【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于线圈，具体地涉及一种线圈结构及其制作方法。
技术介绍
1、在许多大型设备中，经常会使用到尺寸较大的面状线圈，面状线圈包括平面状线圈、弧面状线圈等。现有的面状线圈的常规制作方法是：1.在设备组件(如由环氧树脂材料制成的组件)上雕铣线槽；2.将铜导线依雕铣的线槽进行绕制；3.灌封树脂，使绕制线圈紧密固定于线槽内。其存在的缺点是：手动绕线，制作效率低，精度差，成本高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种线圈结构的制作方法用以解决上述存在的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种线圈结构的制作方法，包括如下步骤：
3、步骤s1，准备单面覆导电层的基板；
4、步骤s2，在基板的导电层上覆盖遮蔽膜；
5、步骤s3，依线圈线路图形的边沿对遮蔽膜进行切割；
6、步骤s4，去除切割线圈轮廓外的遮蔽膜，将未被遮蔽膜盖住的导电层刻蚀掉；
7、步骤s5，去除覆盖于线圈线路表面的遮蔽膜。
8、进一步的，所述步骤s1中的基板为单面覆铜fr4板。
9、更进一步的，所述基板的fr4基材层厚度为0.3-1.0mm。
10、进一步的，所述步骤s1和s2之间还包括步骤s12：在基板的对应于非线圈线路图形的区域加工槽孔。
11、更进一步的，所述步骤s12还包括在基板的边角上加工非对称的对位孔。
12、进一步的，所述步骤s2中，先对基板的导电层
13、更进一步的，所述步骤s2中，遮蔽膜的朝向导电层的表面涂覆硅胶，再覆盖在导电层上，并通过压膜机过塑滚压。
14、进一步的，所述步骤s3中，采用激光切割依线圈线路图形的边沿对遮蔽膜进行切割。
15、更进一步的，所述步骤s3中，激光切割时，对激光切割轮廓线进行外扩补偿。
16、本专利技术还公开了一种线圈结构，采用上述的线圈结构的制作方法制作形成。
17、本专利技术的有益技术效果：
18、本专利技术避免手工绕制的效率低、精度差的问题，可适合大批量生产；不采用感光干膜曝光工艺，不被曝光机尺寸受限，可实现超大尺寸的加工能力。
19、此外，本专利技术的产品内部增加槽孔，避免水池效应，确保大尺寸产品的蚀刻能力，提升蚀刻精度；且后续安装时，可通过槽孔进行灌胶，以增强产品的安装的结合强度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种线圈结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中的基板为单面覆铜FR4板。
3.根据权利要求2所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述基板的FR4基材层厚度为0.3-1.0mm。
4.根据权利要求1所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S1和S2之间还包括步骤S12：在基板的对应于非线圈线路图形的区域加工槽孔。
5.根据权利要求4所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S12还包括在基板的边角上加工非对称的对位孔。
6.根据权利要求1所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，先对基板的导电层进行化学清洗，再覆盖遮蔽膜。
7.根据权利要求6所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，遮蔽膜的朝向导电层的表面涂覆硅胶，再覆盖在导电层上，并通过压膜机过塑滚压。
8.根据权利要求1所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用激光切割依线圈线路图形的边沿对遮蔽膜进行切割。
...【技术特征摘要】
1.一种线圈结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s1中的基板为单面覆铜fr4板。
3.根据权利要求2所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述基板的fr4基材层厚度为0.3-1.0mm。
4.根据权利要求1所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s1和s2之间还包括步骤s12：在基板的对应于非线圈线路图形的区域加工槽孔。
5.根据权利要求4所述的线圈结构的制作方法，其特征在于，所述步骤s12还包括在基板的边角上加工非对称的对位孔。
6.根据权利要求1所述的线圈结构的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文宝，吴永进，周夕军，洪诗阅，
申请(专利权)人：厦门市铂联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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