【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。
技术介绍
1、目前晶体硅(c-si)太阳能电池在光伏(pv)行业中占主导地位，占据了约95％的市场份额。以“单晶硅/氢化本征非晶硅/氢化掺杂微晶硅”为核心结构的异质结电池，凭借优异的电荷选择性传输和界面钝化特性，具有效率高、温度系数低和双面性高而受到研究人员的高度关注。但传统异质结太阳能电池还存在短波长范围内的光谱响应差、长波长穿透硅片后利用率低和紫外衰减(uvid)等缺点。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件，该太阳能电池具有较高的外部量子效率、短波长范围(紫外线区域)的光谱响应、较低的长波长(近红外区域)光子透过率以及几乎没有紫外线引起的衰减问题。
2、本专利技术提供一种太阳能电池，包括以下结构：
3、衬底，具有相对的第一表面和第二表面；
4、在所述衬底的第一表面上依次层叠设置的第一钝化层、n型掺杂硫化锌层以及第一透明导电氧化物层，以及在所述衬底的第二表面上依次层叠设置的第二钝化层、p型掺杂层以及第二透明导电氧化物层；其中，第一钝化层包括二氧化硅层。
5、在其中一个实施例中，所述第一表面为绒面，所述第二表面为抛光面。
6、在其中一个实施例中，所述第二钝化层的材料包括二氧化硅或氢化本征非晶硅。
7、在其中一个实施例中，所述第二钝化层的厚度为1nm～15nm。
8、在其中一个实施例中，
9、在其中一个实施例中，所述p型掺杂层的厚度为5nm～50nm。
10、在其中一个实施例中，所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层的材料各自独立地包括氧化铟锡、钨掺杂氧化铟、铈掺杂氧化铟、铝掺杂氧化锌、铟掺杂氧化镉以及锑掺杂氧化锡中的一种或多种。
11、在其中一个实施例中，所述第一透明导电氧化物层和/或所述第二透明导电氧化物层的厚度为40nm～80nm。
12、在其中一个实施例中，所述n型掺杂硫化锌层的厚度为5nm～25nm。
13、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的厚度为1nm～5nm。
14、进一步地，本专利技术还提供一种如上述的太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
15、提供所述衬底；
16、在所述衬底的所述第一表面上依次制备所述第一钝化层、所述n型掺杂硫化锌层以及所述第一透明导电氧化物层，以及在所述衬底的所述第二表面上依次制备所述第二钝化层、所述p型掺杂层以及所述第二透明导电氧化物层。
17、更进一步地，本专利技术提供一种光伏组件，包括如上述的太阳能电池。
18、本专利技术中，通过选择二氧化硅作为衬底与n型掺杂层之间的第一钝化层，以及使用硫化锌作为n型掺杂层，可以有效减少表面反射，进一步减少表面复合速率，增强陷光效应和提高载流子寿命来改善衬底的电性能。具有此结构的太阳能电池实现较高的外部量子效率、短波长范围(紫外线区域)的光谱响应、较低的长波长(近红外区域)光子的透过率以及几乎没有紫外线引起的衰减问题。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括以下结构：
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一表面为绒面，所述第二表面为抛光面。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括二氧化硅或氢化本征非晶硅。
4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为1nm～15nm。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂层的材料包括P型氢化掺杂微晶硅或P型掺杂氧化镍。
6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂层的厚度为5nm～50nm。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧化物层的材料各自独立地包括氧化铟锡、钨掺杂氧化铟、铈掺杂氧化铟、铝掺杂氧化锌、铟掺杂氧化镉以及锑掺杂氧化锡中的一种或多种。
8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层和/或所述第二透明导电氧化物层的厚度为40nm～80nm。
9.如权利要求1～8任一项所述的
10.如权利要求1～8任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为1nm～5nm。
11.一种如权利要求1～10任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
12.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1～10任一项所述的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括以下结构：
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一表面为绒面，所述第二表面为抛光面。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括二氧化硅或氢化本征非晶硅。
4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为1nm～15nm。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂层的材料包括p型氢化掺杂微晶硅或p型掺杂氧化镍。
6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂层的厚度为5nm～50nm。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层以及所述第二透明导电氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：舍赫罗兹·拉扎克，胡玉婷，刘霖，杨伯川，陶加华，
申请(专利权)人：东方日升新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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