用于LED芯片的透明导电层及LED芯片制造技术

本技术公开了一种用于LED芯片的透明导电层及LED芯片，涉及光电子制造技术领域。其中，用于LED芯片的透明导电层设置在LED芯片的外延结构上，所述外延结构包括依次层叠的衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述透明导电层层叠于所述P型半导体层上；其特征在于，所述透明导电层包括依次层叠于所述P型半导体层上的第一ITO层，Ag金属层和第二ITO层；其中，所述第一ITO层的厚度所述Ag金属层的厚度本技术的透明导电层具有较优的导电性能，电流扩展作用强。且不会造成电极击穿，也不会因透明导电层反射光而导致光效下降。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电子制造，尤其涉及一种用于led芯片的透明导电层及led芯片。

技术介绍

1、近些年，高功率、大功率的氮化镓(gan)基蓝光发光二极管(led)有很大的发展，被广泛应用于夜景装饰、交通信号灯指示、室内照明、汽车照明、大屏幕全彩显示、手机背光灯等领域。为了进一步提高led的性能，还需要解决很多的问题。由于p型gan材料的空穴浓度低，出现电流扩展问题，为解决此问题，目前业内使用铟锡氧化物(sn掺杂in2o3，ito)作为电流扩展层。ito透明导电薄膜是一种宽能隙半导体材料，能隙值约3.5～4.3ev，在可见光范围内具有良好的穿透性和良好的导电性能，折射率可达1.8-2.1。但目前led中所采用的ito膜具有以下几个问题：一是ito膜通常是在厚度为微米数量级才能同时具有优异的透过性能和导电性能，但是微量级元素铟价格昂贵，而且有毒。因此在平常使用的ito膜一般为左右，导电性能相对较差，不能满足一些特殊场景(如高压等)应用的led。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题在于，提供一种用于led芯片的透明导电层，其导电性能强，可更好地实现电流扩展。

2、本技术还要解决的技术问题在于，提供一种led芯片。

3、为了解决上述技术问题，本技术提供了一种用于led芯片的透明导电层，其设置在led芯片的外延结构上，所述外延结构包括依次层叠的衬底、n型半导体层、有源层和p型半导体层；所述透明导电层层叠于所述p型半导体层上；所述透明导电层包括依次层叠于所述p型半导体层上的第一ito层，ag金属层和第二ito层；

4、其中，所述第一ito层的厚度所述ag金属层的厚度

5、作为上述技术方案的改进，所述ag金属层的厚度为

6、作为上述技术方案的改进，所述ag金属层的厚度为

7、作为上述技术方案的改进，所述第一ito层的厚度大于所述第二ito层的厚度。

8、作为上述技术方案的改进，所述第一ito层的厚度为所述第二ito层的厚度的1.2～1.8倍。

9、作为上述技术方案的改进，所述第一ito层的厚度为所述第二ito层的厚度的1.3～1.5倍。

10、作为上述技术方案的改进，所述透明导电层的总厚度

11、作为上述技术方案的改进，所述第一ito层的厚度为所述第二ito层的厚度为

12、作为上述技术方案的改进，所述第一ito层、ag金属层、第二ito层均通过磁控溅射法制备而得。

13、相应的，本专利技术还公开了一种led芯片，其包括上述的用于led芯片的透明导电层。

14、实施本技术，具有如下有益效果：

15、本技术的用于led芯片的透明导电层包括依次层叠的第一ito层，ag金属层和第二ito层；通过ag金属层的引入，可有效提升透明导电层整体的导电性能，使得电流扩展作用更佳，进而可降低透明导电层整体的厚度，降低成本，减少有毒材料的使用。此外，通过控制第一ito层的厚度可有效防止ag跃迁到下方的p型半导体层中，避免击穿电极。通过控制ag金属层的厚度可避免形成整体的反射层，将有源层发出的光反射。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于LED芯片的透明导电层，其设置在LED芯片的外延结构上，所述外延结构包括依次层叠的衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述透明导电层层叠于所述P型半导体层上；其特征在于，所述透明导电层包括依次层叠于所述P型半导体层上的第一ITO层，Ag金属层和第二ITO层；

2.如权利要求1所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述Ag金属层的厚度为

3.如权利要求1或2所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述Ag金属层的厚度为

4.如权利要求1所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述第一ITO层的厚度大于所述第二ITO层的厚度。

5.如权利要求1或4所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述第一ITO层的厚度为所述第二ITO层的厚度的1.2～1.8倍。

6.如权利要求1或4所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述第一ITO层的厚度为所述第二ITO层的厚度的1.3～1.5倍。

7.如权利要求1所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述

8.如权利要求1所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述第一ITO层的厚度为所述第二ITO层的厚度为

9.如权利要求1所述的用于LED芯片的透明导电层，其特征在于，所述第一ITO层、Ag金属层、第二ITO层均通过磁控溅射法制备而得。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的用于LED芯片的透明导电层。

...

【技术特征摘要】

1.一种用于led芯片的透明导电层，其设置在led芯片的外延结构上，所述外延结构包括依次层叠的衬底、n型半导体层、有源层和p型半导体层；所述透明导电层层叠于所述p型半导体层上；其特征在于，所述透明导电层包括依次层叠于所述p型半导体层上的第一ito层，ag金属层和第二ito层；

2.如权利要求1所述的用于led芯片的透明导电层，其特征在于，所述ag金属层的厚度为

3.如权利要求1或2所述的用于led芯片的透明导电层，其特征在于，所述ag金属层的厚度为

4.如权利要求1所述的用于led芯片的透明导电层，其特征在于，所述第一ito层的厚度大于所述第二ito层的厚度。

5.如权利要求1或4所述的用于led芯片的透明导电层，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卡，曹丹丹，康龙，胡瑶，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：