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LED阵列和LED阵列光引擎的制造制造技术

技术编号:40915800 阅读:15 留言:0更新日期:2024-04-18 14:42
本说明书公开了包括网格结构的LED阵列,该网格结构物理地且光学地将阵列中的相邻LED或LED组彼此隔离。该网格结构包括壁的布置,该壁的布置限定单元。阵列中的各个LED或LED组定位于该单元的不同单元内,并通过网格壁与相邻LED或LED组分开。本说明书还公开了此类LED阵列的制造方法。在这些制造方法中,网格结构形成为分立的整体式结构。LED或pcLED被布置在衬底(例如,印刷电路板)上并附接到该衬底,之后网格结构被附接到与LED或pcLED的布置一起登记的衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术总体上涉及发光二极管阵列、包括这种阵列的光引擎以及用于制造这种阵列和光引擎的方法。


技术介绍

1、半导体发光二极管和激光二极管(本文统称为“led”)是当前可用的最有效的光源之一。led的发射光谱通常在某波长处表现出单个窄峰,该波长由装置的结构和构成装置的半导体材料的成分决定。通过适当选择装置结构和材料系统,led可以设计为在紫外线、可见光或红外线波长下工作。

2、led可以与一种或多种波长转换材料(本文中通常称为“磷光体”)组合,所述波长转换材料吸收led发射的光并且作为响应发射更长波长的光。对于此类磷光体转换led(“pcled”),led发射的光中被磷光体吸收的部分取决于led发射的光的光路中磷光体材料的量,例如取决于设置在led上或周围的磷光体层中磷光体材料的浓度以及该层的厚度。磷光体转换led可以设计为使得led发出的所有光都被一种或多种磷光体吸收,在这种情况下,pcled的发射完全来自磷光体。在这种情况下,可以选择磷光体以例如发射窄光谱区域中的光,该窄光谱区域并不有效地直接由led产生。或者,pcled可以被设计成使得只有led发射的光的一部分被磷光体吸收,在这种情况下,来自pcled的发射是led发射的光和磷光体发射的光的混合。通过适当选择led、磷光体和磷光体成分,这样的pcled可以被设计成发射例如具有期望色温和期望显色特性的白光。

3、这样的led和pcled可以布置成阵列以用在例如显示器中、内部和外部的一般照明中(例如在建筑物和房屋中)、内部和外部的汽车照明(例如,前照灯和其他外部汽车照明)中和用于此类应用的光引擎中。本说明书使用术语“led阵列”来包括led、pcled或led与pcled的组合的阵列。光引擎通常包括安装在例如印刷电路板上的led阵列,其安装方式为该阵列提供了电气和机械固定,使其易于在应用(例如,照明器)中被固定就位。


技术实现思路

1、本说明书公开了包括网格结构的led阵列,该网格结构物理地且光学地将阵列中的相邻led或led组彼此隔离。网格结构包括限定单元或开口的壁的布置。阵列中的各个led或led组位于该单元的不同单元内,并通过网格壁与相邻的led或led组分开。该网格结构可以减少阵列中的相邻像素之间的串扰(漏光)并提高相邻像素之间的对比度。

2、本说明书还公开了这种led阵列的制造方法。在这些制造方法中,网格结构形成为分立的整体式结构。led或pcled布置到衬底(例如,印刷电路板)上并附接至衬底(例如,印刷电路板),之后将网格结构附接到与led或pcled的布置一起登记的衬底,以将它们光学地和物理地隔离(如上所述)。

3、本文公开的led阵列可以有利地用于例如上文
技术介绍
部分或下文中所列出的任何装置和应用中。

4、当结合首先被简要地进行描述的附图并参考以下对本专利技术的更详细描述时,本专利技术的其他实施例、特征和优点对于本领域技术人员来说将变得更加明晰。

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【技术保护点】

1.一种发光二极管阵列的制作方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述整体式网格是硅或包含硅。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述整体式网格是树脂或包含树脂。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述树脂是聚硅氧烷。

5.根据权利要求2所述的方法,还包括:提供硅晶片;

6.根据权利要求1所述的方法,还包括:提供塑性晶片;

7.根据权利要求1所述的方法,还包括:对所述整体式网格的单元进行金属化以形成反射侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括:将分布式布拉格反射器(DBR)设置在所述整体式网格的单元中以形成反射侧壁。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底是印刷电路板,并且在所述衬底上提供所述发光二极管的阵列包括:通过拾取和放置将所述LED设置在所述衬底上。

10.一种发光二极管装置,包括:

11.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述LED是可一串一串地进行寻址的LED。

12.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述阵列是X*X阵列,其中X为5至15。

13.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述整体式网格是硅或包含硅。

14.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述整体式网格是树脂或包含树脂。

15.根据权利要求14所述的发光二极管,其中所述树脂是聚硅氧烷。

16.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述整体式网格的反射侧壁相对于其上设置有所述阵列的所述衬底的平面具有倾斜角度,并且与所述衬底相对的所述单元的顶部比面向该衬底的所述单元的底部具有更大的面积。

17.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述整体式网格的反射侧壁相对于其上设置有所述阵列的所述衬底的平面具有倾斜角度,并且与所述衬底相对的所述单元的顶部比面向该衬底的所述单元的底部具有更小的面积。

18.根据权利要求10所述的发光二极管,还包括反射侧壁,所述反射侧壁设置在所述整体式网格的单元中并且包括与所述整体式网格的材料不同的金属。

19.根据权利要求10所述的发光二极管,还包括反射侧壁,所述反射侧壁设置在所述整体式网格的单元中并且包括与所述整体式网格的材料不同的金属。

20.根据权利要求10所述的发光二极管,其中每个所述LED是离散的管芯并且所述衬底是印刷电路板。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光二极管阵列的制作方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述整体式网格是硅或包含硅。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述整体式网格是树脂或包含树脂。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述树脂是聚硅氧烷。

5.根据权利要求2所述的方法,还包括:提供硅晶片;

6.根据权利要求1所述的方法,还包括:提供塑性晶片;

7.根据权利要求1所述的方法,还包括:对所述整体式网格的单元进行金属化以形成反射侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括:将分布式布拉格反射器(dbr)设置在所述整体式网格的单元中以形成反射侧壁。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底是印刷电路板,并且在所述衬底上提供所述发光二极管的阵列包括:通过拾取和放置将所述led设置在所述衬底上。

10.一种发光二极管装置,包括:

11.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述led是可一串一串地进行寻址的led。

12.根据权利要求10所述的发光二极管,其中所述阵列是x*x阵列,其中x为5至15。

13.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:久志増井F·常
申请(专利权)人:亮锐有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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