【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种电子电路，更具体地说，尤其涉及一种开关电路。
技术介绍
1、在高压(如几百伏甚至上千伏)应用中，常通器件与常断器件组成的混合级联结构被广泛使用。图1所示为由结型场效应晶体管jfet j1和金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet m1组成的典型的级联结构100。其中jfet j1为常通器件，具有200伏至3000伏的工作电压；mosfet m1为常断器件，具有5伏至48伏的工作电压。所谓的常通器件，通常指的是当该器件的控制端未施加负向电压(如jfet的栅极未施加负向栅源电压)时，器件处于导通状态。所谓的常断器件，通常指的是当该器件的控制端未施加正向电压(如mosfet的栅极未施加正向栅源电压)时，器件处于断开状态。
2、在级联结构100的工作过程中，当mosfet m1关断且jfet的漏端电压dj上升时，jfet j1和mosfet m1连接处的中间节点md的电压会上升到高于jfet j1的夹断电压。接着，与中间节点md相连接的元件(如，内部电容cdsm、cgsj)将被充电，从而提高了元件的存储电荷量。元件的存储电荷包括a)mosfet m1的体二极管d1的反向恢复电荷；b)存储在mosfet m1的漏源电容cdsm的电荷；c)存储在jfet j1的栅源电容cgsj的电荷。这些由高压电压源提供的存储电荷在放电时会导致功率损耗。
技术实现思路
1、为减少开关过程中的功率损耗，提出了一种混合开关电路及其制作方法。
2、根据本专利技术的实
3、根据本专利技术的实施例，提出了一种半桥电路，包括如前所述的混合开关电路，还包括：开关节点；输入端；以及耦接在开关节点与输入端之间的电感。
4、根据本专利技术的实施例，提出了一种混合开关电路，包括：第一端；第二端；常通功率开关和常断功率开关，在第一端和第二端之间以级联结构耦接；其中，所述常通功率开关包括第一源端、第一栅端以及耦接于第一端的第一漏端；所述常断功率开关包括第二漏端、第二栅端以及耦接于第二端的第二源端；所述级联结构包括：第一源端和第二漏端的电连接；第一栅端和第二源端的电连接；以及其中第一源端和第二漏端的电连接形成中间节点；以及电压源和偏置开关，串联耦接在第二端和中间节点之间。
5、根据本专利技术的实施例，提出了一种制作混合开关电路的方法，包括：将常通功率开关和常断功率开关以级联结构相耦接；其中，所述常通功率开关包括第一漏端，第一源端和第一栅端；所述常断功率开关包括第二漏端，第二源端和第二栅端；所述级联结构包括第一源端和第二漏端的电连接；第一栅端和第二源端的电连接；以及其中第一源端和第二漏端的电连接形成中间节点；以及将电压源和偏置开关串联耦接在第二源端和中间节点之间。
6、在了解包括附图和权利要求在内的所有公开内容后，本公开的这些和其他特征对本领域普通技术人员来说是显而易见的。
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1.一种混合开关电路，在半桥电路中作为高侧功率开关，所述混合开关电路包括：
2.如权利要求1所述的混合开关电路，其中：
3.如权利要求1所述的混合开关电路，其中：
4.如权利要求1所述的混合开关电路，还包括：
5.如权利要求4所述的混合开关电路，其中半桥电路还包括低侧功率开关，以及其中：
6.如权利要求1所述的混合开关电路，其中：
7.一种半桥电路，包括如权利要求1至6任一项所述的混合开关电路，还包括：
8.一种混合开关电路，包括：
9.一种制作混合开关电路的方法，包括：
10.如权利要求9所述的方法，其中常断功率开关还包括体二极管，其中：
11.如权利要求9所述的方法，还包括在混合开关电路的反向恢复过程之前导通偏置开关。
12.如权利要求9所述的方法，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种混合开关电路，在半桥电路中作为高侧功率开关，所述混合开关电路包括：
2.如权利要求1所述的混合开关电路，其中：
3.如权利要求1所述的混合开关电路，其中：
4.如权利要求1所述的混合开关电路，还包括：
5.如权利要求4所述的混合开关电路，其中半桥电路还包括低侧功率开关，以及其中：
6.如权利要求1所述的混合开关电路，其中：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：维平达斯·帕拉，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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