【技术实现步骤摘要】
本申请涉及继电器保护，具体而言，涉及一种控制继电器以及继电器控制装置。
技术介绍
1、继电器是一种具有隔离功能的自动开关元件，继电器被广泛应用于遥控、遥测、通讯以及自动控制等机电一体化的电子设备中。继电器作为一种重要的电子控制元件之一，如何保护继电器以延长电子设备的使用寿命是当前的重要突破点。
2、目前，传统的继电器线圈的吸合电压通常为额定电压的70％-80％，针对继电器的驱动需要设置额外的驱动电路，以使得中央控制器(central processing unit，简称cpu)的输入/输出(input/output，简称io)端口的控制信号可以作用于继电器的供电电路，进而控制继电器的吸合与释放。
3、然而，基于上述方案进行继电器保护时，继电器自身的吸合电压较高，cpu的io端口无法直接控制继电器的吸合与释放，且继电器不具备隔离或快速控制的能力，一旦继电器中的线圈发生短路，无法快速断开继电器的供电电路，使得继电器的供电电路烧毁。因此，上述方案存在缺少继电器的隔离或快速控制保护，且cpu无法直接控制继电器的通断电的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种控制继电器以及继电器控制装置，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。
2、本申请的实施例是这样实现的：
3、本申请实施例的第一方面，提供一种控制继电器，该控制继电器包括：控制模块以及继电器模块，其中，控制模块包括光耦合器或金属-氧
4、控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，控制模块的第二输入端连接电源正极，控制模块的输出端与继电器模块的第一输入端连接；
5、继电器模块的第二输入端连接电源负极；
6、控制模块用于在继电器控制信号的作用下，控制继电器模块的通断。
7、可选地，控制继电器还包括第一电阻，第一电阻的第一端与控制模块的第一输入端连接，第一电阻的第二端接入继电器控制信号。
8、可选地，在控制模块为光耦合器时，光耦合器包括光电三极管和光敏二极管，光电三极管与光敏二极管之间光电耦合；光敏二极管的输入端与第一电阻的第一端连接，光敏二极管的输出端连接电源负极；光电三极管的输入端连接电源正极，光电三极管的输出端与继电器模块的第一输入端连接。
9、可选地，在控制模块为光耦合器时，光耦合器的导通电压为1v～1.5v。
10、可选地，在控制模块为金属-氧化物半导体场效应晶体管时，金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与第一电阻的第一端连接，金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接电源正极，金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极与继电器模块的第一输入端连接。
11、可选地，在控制模块为金属-氧化物半导体场效应晶体管时，金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极导通压降为2v～4v。
12、可选地，继电器模块包括电磁线圈以及开关单元，控制模块的输出端与电磁线圈的第一端连接，电磁线圈的第二端连接电源负极。
13、本申请实施例的第二方面，提供了一种继电器控制装置，该继电器控制装置包括：控制器、电源、检测单元以及上述第一方面所述的控制继电器，其中，检测单元以及控制继电器分别与控制器连接；
14、控制继电器与电源连接；
15、控制器用于基于检测单元发送的检测信号对控制继电器进行控制。
16、可选地，检测单元与控制继电器的电磁线圈的两端连接；
17、检测单元用于对流经电磁线圈的电流进行检测。
18、可选地，检测单元包括第二电阻，第二电阻的两端分别与电磁线圈的两端连接。
19、本申请实施例的有益效果包括：
20、在本申请实施例中，通过将光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管集合在控制继电器中，使得控制继电器在光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管的导通或截止状态下，实现控制继电器的中电磁线圈的吸合与释放，进而使得控制继电器进入通断状态。其中，控制继电器由控制模块和继电器模块组成，控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，使得将中央控制器的继电器控制信号接入控制继电器的供电电路，控制继电器直接基于中央控制器的继电器控制信号进入通断状态，控制模块的第二端与电源正极连接，用于将电源的正极电信号接入控制继电器，控制模块基于中央控制器的继电器控制信号以及电源正极电信号进入导通或截止状态，并输出相应的信号至继电器模块，继电器模块的第二输入端与电源负极连接，使得流经继电器的电信号形成闭合回路。另外，通过将光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管集合在控制继电器中，使得控制继电器增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且控制继电器中的控制模块直接接入中央控制器的继电器控制信号，使得中央控制器的继电器控制信号可以直接控制继电器模块的通断。如此，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种控制继电器，其特征在于，包括：控制模块以及继电器模块，其中，所述控制模块包括光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管；
2.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，所述控制继电器还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述控制模块的第一输入端连接，所述第一电阻的第二端接入所述继电器控制信号。
3.根据权利要求2所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述光耦合器时，所述光耦合器包括光电三极管和光敏二极管，所述光电三极管与所述光敏二极管之间光电耦合；
4.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述光耦合器时，所述光耦合器的导通电压为1V～1.5V。
5.根据权利要求2所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述第一电阻的第一端连接；
6.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极导通压降为2V～4V。>
7.根据权利要求1-6任一项所述的控制继电器，其特征在于，所述继电器模块包括电磁线圈以及开关单元，所述控制模块的输出端与所述电磁线圈的第一端连接，所述电磁线圈的第二端连接所述电源负极。
8.一种继电器控制装置，其特征在于，所述继电器控制装置包括：控制器、电源、检测单元以及权利要求1-7任一项所述的控制继电器，其中，所述检测单元以及所述控制继电器分别与所述控制器连接；
9.根据权利要求8所述的继电器控制装置，其特征在于，所述检测单元与所述控制继电器的电磁线圈的两端连接；
10.根据权利要求9所述的继电器控制装置，其特征在于，所述检测单元包括第二电阻，所述第二电阻的两端分别与所述电磁线圈的两端连接。
...【技术特征摘要】
1.一种控制继电器，其特征在于，包括：控制模块以及继电器模块，其中，所述控制模块包括光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管；
2.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，所述控制继电器还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述控制模块的第一输入端连接，所述第一电阻的第二端接入所述继电器控制信号。
3.根据权利要求2所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述光耦合器时，所述光耦合器包括光电三极管和光敏二极管，所述光电三极管与所述光敏二极管之间光电耦合；
4.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述光耦合器时，所述光耦合器的导通电压为1v～1.5v。
5.根据权利要求2所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述第一电阻的第一端连接；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李威，张慧松，张娜，何贝，
申请(专利权)人：北京斯年智驾科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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