【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二极管封装，具体为一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺。
技术介绍
1、最大整流电流和最高反向峰值工作电压是整流二极管的一个重要参数，因为在实际使用中往往需要二极管供给一个较大的电流，当pn结上加以正弦交变电压时，在pn结上有一定的功率消耗：在负半周时，反向漏电流会引起功率消耗；在正半周时整流电流会引起功率消耗，二极管的总功率消耗为两者之和。
2、一般情况下反向漏电流很小，反向漏电流引起的功率消耗可以忽略不计，但是，当pn结存在工艺缺陷时，反向漏电流引起的功率消耗在结温或环境温度比较高时，这种功率消耗不但不能忽略，还由于产品损伤缺陷引起的漏电流是局部集中极小的缺陷处，因而高反向电压和高密度电流的局部功率消耗所产生的局部温升很高，从而导致局部击穿。
3、焊接偏心问题影响产品性能，工艺封装合模工艺芯片损伤也会引起，主要表现在，封装时合力产生的微小裂纹，电极接触不均衡是一个很大的热阻，整流电流在芯片pn结内部的功率消耗所产生的热量，必须有效地导出外界空间，如果芯片厚度很厚和电极接触不良，其热阻就很大，若功率消耗所产生的热量不能有效地导出外界空间，会因瞬间结温过高而损坏。
4、失效样品的破坏性物理分析（dpa）显示，偏位产品极易产生裂纹，因为芯片偏位，合模过程所受冲击力有很大差别。其次，无偏位焊接产品也有极少部分存在裂纹产品，工艺存在缺陷性，这样就证实了合模封装冲击力是裂纹产生的主要因素。由于在合模封装时存在的应力作用，芯片封装时产生微小裂纹。裂纹是那么微小，以致于未造成失效。由于在应用
5、在芯片焊接与合模封装工序之前，芯片上没有裂纹。在芯片焊接与合模封装工序之后，在选用的样品中都观测到芯片裂纹（包括内部裂纹）。在芯片焊接与合模封装工序产生的芯片裂纹有的太小，以致于未导致失效。但由于应用温度循环中的热应力作用，裂纹不断增大，最终导致失效。
技术实现思路
1、为解决以上
技术介绍
中提出的问题，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺，包括以下具体步骤：
2、s1、整流二极管的焊接材料匹配标准：引线冒头直径不小于芯片最大对角线，对应面积误差率小于0.2%，避免偏心，同心度极高，具有抗冲击能力；
3、s2、用石墨舟排好引线，装上冒头、芯片、焊片作底模，将石墨舟排好引线的另一模刷上助焊剂作上模，并进行焊接；焊接后，测试产品焊接承受拉力是否合格，焊接合格产品进入塑封工序准备封装；
4、s3、将焊接好产品逐行转入模架，再将模架上的产品平放在压机模具上，模面温度为185-190℃；
5、s4、在进行上下模合模封装过程中，上下模合模间距在2厘米位置时，合模行程降速，合模间距2厘米时合模时间控制在4秒以上，合模碰撞时速度不大于0.005m/s，减小合模冲击力。
6、进一步的，所述底模的选用规格为：
7、匹配对应规格无氧铜引线焊接冒头、匹配规则芯片、ag质量分数不低于1.45%的焊片作为整流二极管的焊接材料。
8、进一步的，所述产品焊接承受拉力不小于2.5kg。
9、进一步的，所述上下模合模封装时，合模压力为8-10mpa。
10、进一步的，所述上下模合模封装时，芯片封装选用的塑封料的膨胀系数不高于2.3×10-6/℃。
11、进一步的，所述上下模合模封装时，选用硅塑封料，塑封用环氧树脂的填充料包括二氧化硅，二氧化硅粉末分成结晶性二氧化硅及熔融二氧化硅，结晶性二氧化硅具有较佳导热性但热膨胀系数较大，熔融二氧化硅导热性较差，但却拥有较小的热膨胀系数，对热冲击的抵抗性较佳。因此，芯片封装选用膨胀系数小的塑封料，防止对芯片损伤。
12、进一步的，所述上下模合模封装时，还包括：
13、将烤软的塑封料投入料筒，利用转进压力将塑封料注入模腔封装产品，转进结束进入合模固化，固化结束开模取料，进入后固化烘烤后，制得合格品。
14、进一步的，所述转进压力为2.5-3.5mpa，转进时间大于25s，合模固化时间大于25s。
15、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
16、该不易裂片失效的整流二极管封装工艺，通过控制冒头与芯片之间尺寸配合，以降低对应面积的误差率，避免偏心，提高焊接质量，同时控制模面表面的温度，并控制合模时的压力和冲击力，从而提高二极管封装合模的效果，避免二极管在合模过程中出现裂纹，从而防止二极管在使用过程中出现局部高温击穿破损的现象，提高二极管的使用性能。
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1.一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其特征在于，包括以下具体步骤：
2.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述底模的选用规格为：
3.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述产品焊接承受拉力不小于2.5kg。
4.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，合模压力为8-10MPa。
5.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，芯片封装选用的塑封料的膨胀系数不高于2.3×10-6/℃。
6.根据权利要求5所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，选用硅塑封料，塑封用环氧树脂的填充料包括二氧化硅。
7.根据权利要求6所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，还包括：
8.根据权利要求7所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述转进压力为2.5-3.5MPa，转进时间大于25s，合模固化时间大于25s。>...
【技术特征摘要】
1.一种不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其特征在于，包括以下具体步骤：
2.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述底模的选用规格为：
3.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述产品焊接承受拉力不小于2.5kg。
4.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所述上下模合模封装时，合模压力为8-10mpa。
5.根据权利要求1所述的不易裂片失效的整流二极管封装工艺，其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙孝兵，
申请(专利权)人：连云港瑞而盛电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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