一种新型面板架构制造技术

技术编号:40891560 阅读:14 留言:0更新日期:2024-04-08 18:34
本技术提供一种新型面板架构,包括有显示区和GIP电路,每一行像素均由一级GIP电路驱动,GIP电路设置于显示区的下方;面板的层级结构为:包括有基板,基板的顶部设置有LTPS半导体层,在LTPS半导体层的顶部设置有第一绝缘层,第一绝缘层的顶部设置有第一金属层,第一金属层的顶部设置有绝缘平坦层,绝缘平坦层的顶部设置有第二金属层,第二金属层与LTPS半导体层的漏极连接,第二金属层的顶部设置有第二绝缘层,第二绝缘层的顶部设置有IGZO半导体,IGZO半导体的两侧搭接有第三金属层。本申请通过结合IGZO和LTPS两种面板制程,使得平面上LTPS GIP电路可完全隐藏于面板IGZO像素驱动电路的显示区内,实现面板左右两侧真正的无边框显示,使人眼在视觉上得到更好的观感。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示面板,尤其涉及一种新型面板架构


技术介绍

1、随着面板技术的发展,追求更大屏占比的窄边框显示面板逐渐成为主流,且正朝着无边框显示的方向发展。目前市面上宣称的无边框显示面板,外围都具有较窄的黑色外边框,其下分布着显示驱动电路如gip(gate driver in panel)。

2、而且,根据面板使用的tft半导体材料和制程的不同,可分为igzo(氧化铟镓锌)面板,ltps(低温多晶硅)面板和a-si面板。其中igzo和ltps的电子迁移率较a-si大,故目前市面上主流高端的oled面板使用igzo或ltps半导体。

3、主流的igzo面板和ltps面板的显示区域100和gip驱动电路200相对位置如图1所示,gip电路分布于显示区的两侧。

4、以长度160mm,宽度75mm的手机屏幕为例,其显示区域也为160mmx75mm,像素以阵列的方式布满整个显示区域,如图2所示,每个像素中都有一个2t1c驱动电路:包含一个开关tft,一个驱动tft、一个储存电容c和一个有机发光二级管(oled)。

5、gip电路分布于面板两侧,ck脉冲讯号和与之相反的ckb脉冲讯号等构成驱动讯号,例如,设置四条脉冲讯号ck1~ck4,ck1和ck3互为相反讯号,ck2和ck4互为相反讯号。每一级gip电路都由输出tft发送高电位讯号驱动打开该行像素驱动电路中的开关tft打开。

6、由于现有技术中,gip电路设置在面板的两侧,在较暗使用环境下或黑屏状态下,人眼不易察觉面板周围的黑色窄边,视觉上边框被隐藏了,但在较亮环境或面板点亮的情况下,依然可以清晰地看到黑色的窄边框,故不是真实的无边框显示。


技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题,在于提供一种新型面板架构,一块面板上使用igzo和ltps两种制程,将gip电路隐藏于显示区下方的新型面板架构,实现面板左右两侧的无边框显示。

2、本技术是这样实现的:

3、本技术提供了一种新型面板架构,包括有由复数个像素组成的显示区,复数个所述像素排列成n行,所述面板架构还包括n级使用ltps tft的gip电路,每一行所述像素均由一级gip电路驱动,每一所述像素均包括使用igzo tft的驱动电路,所述gip电路设置于显示区的下方;

4、所述面板的层级结构为:

5、包括有基板,所述基板的顶部设置有用作ltps tft源级和漏极的ltps半导体层,在所述ltps半导体层的顶部设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层的顶部设置有第一金属层,所述第一金属层的顶部设置有绝缘平坦层,所述绝缘平坦层的顶部设置有用作igzotft栅极的第二金属层,所述第二金属层穿过绝缘平坦层和第一绝缘层与ltps半导体层的漏极连接,所述第二金属层的顶部设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层的顶部设置有igzo半导体,所述igzo半导体的两侧搭接有用作igzo tft的源极和漏极的第三金属层。

6、进一步的,所述绝缘平坦层的厚度为第二金属层厚度的3-5倍。

7、进一步的,奇数级所述gip电路设置在显示区左侧像素的下方,偶数级所述gip电路设置在显示区右侧像素的下方。

8、进一步的,所述ltps半导体层的两侧通过掺杂硼离子形成源级和漏极。

9、进一步的,所述第一金属层由用作ltps tft栅极的栅极部和用作ck讯号走线的讯号走线部组成,所述栅极部在垂直方向上与ltps半导体层重合,所述讯号走线部在垂直方向上与ltps半导体层相错开。

10、本技术的优点在于:本技术通过结合igzo和ltps两种面板制程,使得平面上ltps gip电路可完全隐藏于面板igzo像素驱动电路的显示区内,实现面板左右两侧真正的无边框显示,使人眼在视觉上得到更好的观感。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型面板架构,其特征在于:包括有由复数个像素组成的显示区,复数个所述像素排列成N行,所述面板架构还包括N级使用LTPS TFT的GIP电路,每一行所述像素均由一级GIP电路驱动,每一所述像素均包括使用IGZO TFT的驱动电路,所述GIP电路设置于显示区的下方;

2.如权利要求1所述的一种新型面板架构,其特征在于:所述绝缘平坦层的厚度为第二金属层厚度的3-5倍。

3.如权利要求1所述的一种新型面板架构,其特征在于:奇数级所述GIP电路设置在显示区左侧像素的下方,偶数级所述GIP电路设置在显示区右侧像素的下方。

4.如权利要求1所述的一种新型面板架构,其特征在于:所述LTPS半导体层的两侧通过掺杂硼离子形成源级和漏极。

5.如权利要求1所述的一种新型面板架构,其特征在于:所述第一金属层由用作LTPSTFT栅极的栅极部和用作CK讯号走线的讯号走线部组成,所述栅极部在垂直方向上与LTPS半导体层重合,所述讯号走线部在垂直方向上与LTPS半导体层相错开。

【技术特征摘要】

1.一种新型面板架构,其特征在于:包括有由复数个像素组成的显示区,复数个所述像素排列成n行,所述面板架构还包括n级使用ltps tft的gip电路,每一行所述像素均由一级gip电路驱动,每一所述像素均包括使用igzo tft的驱动电路,所述gip电路设置于显示区的下方;

2.如权利要求1所述的一种新型面板架构,其特征在于:所述绝缘平坦层的厚度为第二金属层厚度的3-5倍。

3.如权利要求1所述的一种新型面板架构,其特征在于:奇数级所...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨远直罗敬凯
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司
类型:新型
国别省市:

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