【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶炉，尤其涉及一种副炉室升降调速系统及单晶炉。
技术介绍
1、单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。常见的单晶炉包括主炉室、副炉室和提升机构，副炉室位于主炉室的上方，提升机构用于驱动副炉室升降，以与主炉室相对接或者相分离。由于在主炉室的炉盖与副炉室的底部之间设置有止口结构，在副炉室升降过程中需要严格控制副炉室的升降速度，以确保副炉室的平稳性，防止晶棒意外掉落。
2、但目前的单晶炉不具有对副炉室的升降速度的调节功能，一般仅能够将副炉室的升降速度控制在较低的水平，导致单晶生产效率较低。
3、因此，如何解决现有技术中的单晶炉无法对副炉室的升降速度进行调节的问题，成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种副炉室升降调速系统及单晶炉，用以解决现有技术中的单晶炉无法对副炉室的升降速度进行调节的缺陷。
2、本技术提供一种副炉室升降调速系统，包括：
3、液压系统，包括用于驱动副炉室升降的液压缸、用于控制所述液压缸的移动端升降的升降换向阀和用于调节所述液压缸的回油速度的第一调速阀组，所述液压缸的移动端与所述副炉室相连接；
4、位置检测元件，设置为能够检测所述液压缸的移动端或者所述副炉室的位置信息；
5、控制装置，所述升降换向阀、所述第一调速阀组和所述位置检测元件均与所述控制装置电连接，所述控制装置设置为在接收到所述位置信息时，
6、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，所述位置检测元件包括：
7、触发件，设置于所述液压缸的移动端；
8、第一行程开关、第二行程开关和第三行程开关，均设置于用于安装所述液压缸的立柱上，所述第一行程开关、第二行程开关和第三行程开关沿所述立柱的轴线方向间隔分布，所述第二行程开关位于所述第一行程开关与所述第三行程开关之间；
9、所述第一行程开关设置为在所述液压缸的移动端移动至所述副炉室位于工作位置时能够与所述触发件接触，所述第二行程开关设置为在所述液压缸的移动端移动至所述副炉室位于第一分离位置时能够与所述触发件接触，所述第三行程开关设置为在所述液压缸的移动端移动至所述副炉室位于第二分离位置时能够与所述触发件接触。
10、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，所述位置检测元件包括：
11、拉线位移传感器，具有外壳和拉线端子，所述外壳和所述拉线端子中的一者与所述液压缸的移动端相连接，另一者与所述液压缸的固定端相连接。
12、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，所述第一调速阀组包括：
13、第一调速阀，设置在所述液压缸的有杆腔与所述升降换向阀之间；
14、第二调速阀，设置在所述液压缸的无杆腔与所述升降换向阀之间；
15、所述第一调速阀和所述第二调速阀均包括第一节流阀和调速换向阀，所述第一节流阀与所述调速换向阀相并联，所述调速换向阀具有单向工作位和导通工作位，所述单向工作位的进油口与所述升降换向阀连接，所述单向工作位的出油口与所述液压缸连接。
16、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，还包括：
17、第二调速阀组，设置于所述升降换向阀和所述液压缸之间，所述第二调速阀组设置为能够调节所述液压缸的回油速度。
18、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，所述第二调速阀组包括第三调速阀和第四调速阀，所述第三调速阀和所述第四调速阀均包括第一单向阀和第二节流阀，所述第一单向阀与所述第二节流阀相并联，所述第一单向阀的进油口与所述升降换向阀连接，所述第一单向阀的出油口与所述液压缸连接。
19、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，还包括：
20、液压锁，设置于所述第一换向阀与所述第一调速阀组之间。
21、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，所述液压系统包括用于提供液压动力的液压泵和用于驱动所述液压泵运转的驱动件，所述副炉室升降调速系统还包括：
22、压力继电器，设置于所述液压泵的出油口，所述压力继电器与所述驱动件电连接。
23、根据本技术提供的副炉室升降调速系统，还包括：
24、防爆阀，设置于所述液压缸的无杆腔的油路上。
25、本技术还提供了一种单晶炉，包括上述的副炉室升降调速系统。
26、本技术提供的副炉室升降调速系统，包括液压系统、位置检测元件和控制装置，液压系统包括液压缸、升降换向阀和第一调速阀组，液压缸的移动端与副炉室相连接，用于驱动副炉室升降。升降换向阀与液压缸相连接，用于控制液压缸的升降动作。第一调速阀组设置于液压缸与升降换向阀之间，用于调节液压缸的回油速度。位置检测元件、升降换向阀和第一调速阀组均与控制装置电连接，控制装置能够控制升降换向阀切换工作位，以切换液压缸的移动端的升降动作。位置检测元件用于检测液压缸的移动端或者副炉室的位置信息，控制装置获取位置信息后，能够根据位置信息调整第一调速阀组的开度，从而实现对液压缸的回油速度的调节。如此设置，解决了现有技术中的单晶炉无法对副炉室的升降速度进行调节的问题。
27、此外，根据检测到的位置信息确定副炉室与主炉室的相对位置，若副炉室与主炉室正处于分离或接合的过程中，可以控制第一调速阀组的开度减小，减小液压缸的回油速度，使副炉室以较低的速度升降，确保副炉室以及晶棒的平稳性；若副炉室与主炉室处于完全分离的状态，且副炉室与主炉室之间具有一定间距时，可以控制第一调速阀组的开度增加，增加液压缸的回油速度，使副炉室以较高的速度升降，有利于提高单晶的生产效率。
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1.一种副炉室升降调速系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述位置检测元件包括：
3.根据权利要求1所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述位置检测元件包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述第一调速阀组包括：
5.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述第二调速阀组包括第三调速阀和第四调速阀，所述第三调速阀和所述第四调速阀均包括第一单向阀和第二节流阀，所述第一单向阀与所述第二节流阀相并联，所述第一单向阀的进油口与所述升降换向阀连接，所述第一单向阀的出油口与所述液压缸连接。
7.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述液压系统包括用于提供液压动力的液压泵和用于驱动所述液压泵运转的驱动件，所述副炉室升降调速系统还包括：>
9.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，还包括：
10.一种单晶炉，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的副炉室升降调速系统。
...【技术特征摘要】
1.一种副炉室升降调速系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述位置检测元件包括：
3.根据权利要求1所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述位置检测元件包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述第一调速阀组包括：
5.根据权利要求1-3任一项所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的副炉室升降调速系统，其特征在于，所述第二调速阀组包括第三调速阀和第四调速阀，所述第三调速阀和所述第四调速阀均包括第一单向阀和第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，
申请(专利权)人：株洲三一硅能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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