【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，特别是涉及一种光电耦合器。
技术介绍
1、光电耦合器(optical coupler，英文缩写为oc)亦称光电隔离器，简称光耦。光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。它包括光发射器和光探测器，且光发射器和光探测器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。光发射器的引脚为输入端，光探测器的引脚为输出端，输入的电信号驱动光发射器，使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出，这就完成了电—光—电的转换。
2、现有的光电耦合器，如中国专利cn201720890817.x提供的一种多通道双列直插式抗辐照光电耦合器，其包括光电三极管芯片和红外发光二极管芯片，即该光电耦合器中仅设置有一个光探测器(光电三极管芯片)，由于光探测器的最大耐压能力是一定的，光电耦合器的耐压能力受单个光探测器的耐压能力的限制，光电耦合器的耐压能力无法进一步提升；且该光电耦合器中未对光发射器(红外发光二极管芯片)设置抗光衰保护结构，光发射器的光衰较高，导致光电耦合器的寿命较低。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种光电耦合器，以解决上述现有技术存在的问题，能够提高耐压能力，延长使用寿命。
2、为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
3、本技术提供了一种光电耦合器，包括封装本体、光发射器和光探测装置，所述光探测装置包括至少两个串联的光探测器，所述封装本体具有第一正极端口、第一负极端口和两个第一输出端口，且所述
4、优选的，还包括透光胶层，所述光发射器和所述光探测装置均被完全包裹于所述透光胶层内，所述透光胶层与所述封装本体、所述光发射器和各所述光探测器均粘接。
5、优选的，还包括黑色胶层，所述透光胶层被完全包裹于所述黑色胶层内，且所述黑色胶层与所述透光胶层粘接。
6、优选的，所述封装本体包括第一导线架和第二导线架，所述第一导线架具有所述第一正极端口和所述第一负极端口，所述第二导线架具有两个所述第一输出端口，所述光发射器固定连接于所述第一导线架上，所述光探测器固定连接于所述第二导线架上。
7、优选的，所述光发射器为红外发光芯片，所述光探测器为光可控硅芯片。
8、优选的，所述抗光衰层为硅胶层。
9、优选的，所述光探测器为2个，第一个所述光探测器的一个输出端口与第二个所述光探测器的一个输出端口连接，第一个所述光探测器的另一个输出端口和第二个所述光探测器的另一个第二输出端口分别为所述光探测装置的两个所述第二输出端口。
10、优选的，所述光探测器为n个，n＞2，第一个所述光探测器的一个输出端口和第n个所述光探测器的一个输出端口分别为所述光探测装置的两个所述第二输出端口。
11、本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
12、本技术提供的光电耦合器，包括封装本体、光发射器和光探测装置，所述光探测装置包括至少两个串联的光探测器，使光探测装置的耐压能力成倍提高，从而使光电耦合器的耐压能力几乎成倍提高；所述光发射器外包裹有抗光衰层，能够减少光发射器的光衰，保证光发射器的发光强度，从而提高光发射器的使用寿命，从而提高光电耦合器的使用寿命。
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1.一种光电耦合器，其特征在于：包括封装本体、光发射器和光探测装置，所述光探测装置包括至少两个串联的光探测器，所述封装本体具有第一正极端口、第一负极端口和两个第一输出端口，且所述封装本体具有密闭腔体，所述光发射器具有第二正极端口、第二负极端口，所述光探测装置具有两个第二输出端口，所述光发射器和各所述光探测器均固定连接于所述封装本体的所述密闭腔体内，所述光发射器的所述第二正极端口和所述第二负极端口分别与所述封装本体的所述第一正极端口和所述第一负极端口连接，所述光探测装置的两个所述第二输出端口分别与所述封装本体的两个所述第一输出端口连接，所述光发射器外包裹有抗光衰层，所述光发射器发射的光能够被各所述光探测器接收。
2.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于：还包括透光胶层，所述光发射器和所述光探测装置均被完全包裹于所述透光胶层内，所述透光胶层与所述封装本体、所述光发射器和各所述光探测器均粘接。
3.根据权利要求2所述的光电耦合器，其特征在于：还包括黑色胶层，所述透光胶层被完全包裹于所述黑色胶层内，且所述黑色胶层与所述透光胶层粘接。
4.根据权利
5.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于：所述光发射器为红外发光芯片，所述光探测器为光可控硅芯片。
6.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于：所述抗光衰层为硅胶层。
7.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于：所述光探测器为2个，第一个所述光探测器的一个输出端口与第二个所述光探测器的一个输出端口连接，第一个所述光探测器的另一个输出端口和第二个所述光探测器的另一个第二输出端口分别为所述光探测装置的两个所述第二输出端口。
8.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于：所述光探测器为N个，N＞2，第一个所述光探测器的一个输出端口和第N个所述光探测器的一个输出端口分别为所述光探测装置的两个所述第二输出端口。
...【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器，其特征在于：包括封装本体、光发射器和光探测装置，所述光探测装置包括至少两个串联的光探测器，所述封装本体具有第一正极端口、第一负极端口和两个第一输出端口，且所述封装本体具有密闭腔体，所述光发射器具有第二正极端口、第二负极端口，所述光探测装置具有两个第二输出端口，所述光发射器和各所述光探测器均固定连接于所述封装本体的所述密闭腔体内，所述光发射器的所述第二正极端口和所述第二负极端口分别与所述封装本体的所述第一正极端口和所述第一负极端口连接，所述光探测装置的两个所述第二输出端口分别与所述封装本体的两个所述第一输出端口连接，所述光发射器外包裹有抗光衰层，所述光发射器发射的光能够被各所述光探测器接收。
2.根据权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于：还包括透光胶层，所述光发射器和所述光探测装置均被完全包裹于所述透光胶层内，所述透光胶层与所述封装本体、所述光发射器和各所述光探测器均粘接。
3.根据权利要求2所述的光电耦合器，其特征在于：还包括黑色胶层，所述透光胶层被完全包裹于所述黑色胶层内，且所述黑色胶层与所述透光胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：翁念义，杨皓宇，林新強，林紘洋，李昇哲，万喜红，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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