【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件，具体涉及到一种碳化硅mosfet沟道形成方法。
技术介绍
1、碳化硅mosfet器件的沟道技术决定碳化硅mosfet特性最重要的技术，其沟道的长度直接影响到产品的指标。目前的沟道形成的现有技术中，形成p-base区域后首先在基底上形成一层硬掩膜，如图1a所示，并在硬掩膜的表面和两端以及基底表面形成一层隔离介质，如图1b所示，最后还需要在硬掩膜的两端进行刻蚀后去除位于硬掩膜的表面和基底表面的隔离介质，只留下位于硬掩膜的两端的隔离介质，如图1c所示，最后再p-base区域内注入n+以形成沟道，如图1d所示。使得沟道形成步骤较繁琐，不能保证在去除一段隔离介质后所形成的每一沟道长度保持一致，使得碳化硅mosfet特性不明显，影响产品质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服上述现有技术中沟道形成步骤繁琐，且沟道形成的长度不一致的不足，提供了一种碳化硅mosfet沟道形成方法。
2、本专利技术是这样实现的：一种碳化硅mosfet沟道形成方法，包括如下步骤：
3、s01、在碳化硅衬底内形成p-base区域；
4、s02、在碳化硅衬底的表面上生长一层硅硬掩膜层；
5、s03、在硅硬掩膜层的表面沉淀一层二氧化硅硬掩膜层；
6、s04、在硅硬掩膜层和二氧化硅硬掩膜层的两端垂直进行光刻开孔；
7、s05、将硅硬掩膜层和二氧化硅硬掩膜层同时蚀刻至碳化硅衬底的表面，形成一个两层膜结构，并在硅硬掩膜层的
8、s06、对硅硬掩膜层的两侧均进行热氧化处理，在热氧化的过程中，每一侧墙上形成有一层二氧化硅薄膜；
9、s07、在p-base区域内采用高温注入的方式形成n+注入区域；
10、s08、在n+注入区域注入n+后并进行高温激活，形成由n型和p型区域组合成的mosfet沟道。
11、进一步的，硅硬掩膜层为单晶硅硬掩膜层或多晶硅硬掩膜层。
12、进一步的，硅硬掩膜层的厚度为1000埃-10000埃，二氧化硅硬掩膜层的厚度为2000埃-10000埃。
13、进一步的，在步骤s03中，采用cvd沉淀方式将二氧化硅硬掩膜层沉淀于硅硬掩膜层上。
14、进一步的，在步骤s06中，采用氧气或氧气与氢气的混合气体，以干氧或湿氧的热氧化方式对硅硬掩膜层的两侧进行热氧化处理以在每一侧墙上形成二氧化硅薄膜。
15、进一步的，二氧化硅薄膜的厚度为2000埃-6000埃。
16、进一步的，形成mosfet沟道的长度为0.2微米-0.6微米。
17、本专利技术提供的一种碳化硅mosfet沟道形成方法，在碳化硅衬底上形成两层膜结构，从下至上分别为硅硬掩膜层和二氧化硅硬掩膜层，通过对硅硬掩膜层进行热氧化处理形成二氧化硅薄膜侧墙，达到隔离作用，代替了现有技术中，先形成后去除的繁琐步骤，进一步简化沟道的形成步骤，保证沟道长度一致高，大大改善碳化硅mosfet特性，提高产品质量。
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1.一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：所述硅硬掩膜层(2)为单晶硅硬掩膜层(2)或多晶硅硬掩膜层(2)。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：所述硅硬掩膜层(2)的厚度为1000埃-10000埃，所述二氧化硅硬掩膜层(3)的厚度为2000埃-10000埃。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：在步骤S03中，采用CVD沉淀方式将所述二氧化硅硬掩膜层(3)沉淀于所述硅硬掩膜层(2)上。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：在步骤S06中，采用氧气或氧气与氢气的混合气体，以干氧或湿氧的热氧化方式对所述硅硬掩膜层(2)的两侧进行热氧化处理以在每一所述侧墙(4)上形成所述二氧化硅薄膜(5)。
6.根据权利要求5所述的一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：所述二氧化硅薄膜
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET沟道(7)形成方法，其特征在于：形成所述MOSFET沟道(7)的长度为0.2微米-0.6微米。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅mosfet沟道(7)形成方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet沟道(7)形成方法，其特征在于：所述硅硬掩膜层(2)为单晶硅硬掩膜层(2)或多晶硅硬掩膜层(2)。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet沟道(7)形成方法，其特征在于：所述硅硬掩膜层(2)的厚度为1000埃-10000埃，所述二氧化硅硬掩膜层(3)的厚度为2000埃-10000埃。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅mosfet沟道(7)形成方法，其特征在于：在步骤s03中，采用cvd沉淀方式将所述二氧化硅硬掩膜层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈智勇，张海涛，孙娜，
申请(专利权)人：宁波达新半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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