【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件加工领域，尤其是多工位半导体器件加工设备。
技术介绍
1、在晶圆减薄时，常会采用分度台来驱动多个载片台转动到减薄机构处进行加工，在减薄时，可以通过电机到位判断来进行分度台的转动控制。为了避免电机到位判断出现异常，在分度台控制过程中，还会采用申请公开号为cn115179130a的中国专利技术专利所揭示的结构来限制分度台转动。
2、这种结构通过设置多个锁紧机构来实现分度台的限制，其结构较为复杂，且需要多个驱动器来驱动锁紧机构。
技术实现思路
1、本技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种多工位半导体器件加工设备。
2、本技术的目的通过以下技术方案来实现：
3、多工位半导体器件加工设备，包括设置于分度台上的至少两个均分圆周的承片台以及至少一个对承片台上的工件进行减薄的减薄机构，所述减薄机构侧部的预定高度设置有与控制装置连接的防转检测传感器，所述减薄机构的主轴处于减薄位置时，所述防转检测传感器能够检测到所述主轴，所述减薄机构的主轴处于等待位置时，所述主轴底部的磨轮位于所述防转检测传感器的上方，所述控制装置根据所述防转检测传感器的信号控制所述分度台的转动。
4、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，所述承片台之间设置有挡板，所述挡板的顶部高于所述承片台的台面，所述检测传感器位于所述挡板的上方。
5、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，所述减薄机构为两个，位于减薄位置的两个主轴并排设置。>
6、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，所述防转检测传感器为对射传感器，所述对射传感器的发射器和接收器位于减薄位置的两个所述主轴的排布方向的两侧。
7、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，所述承片台为真空吸附台，所述真空吸附台的台面包括同心设置的多个吸附区，每个所述吸附区由一组均分圆周的吸孔确定。
8、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，多个所述吸附区的吸附范围是直径为3寸、4寸、5寸、6寸及8寸的圆中的至少两个。
9、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，每组吸孔通过台面上凹设的圆形吸附槽连通。
10、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，所述真空吸附台包括底盘及设置在所述底盘上的微孔陶瓷盘，所述底盘上设置有多组所述吸孔。
11、优选的，所述多工位半导体器件加工设备中，所述微孔陶瓷盘为两个且同心嵌入在所述底盘上的凹槽中。
12、本技术技术方案的优点主要体现在：
13、本技术只需要通过一个防转检测传感器来检测主轴的位置，控制装置根据防转检测传感器的信号来控制分度台转动与否，能够在电机到位判断进行分度台控制的基础上增加冗余防护措施，能够有效防止加工过程中分度台异常转动的情况，提高了安全性，这种结构更简单，无需多个驱动器，易于实现和实际应用。
14、本技术采用挡板将多个载片台隔开，能够有效防止不同工位的干扰，同时使防转检测传感器位于挡板上方，能够有效保证主轴移动到足够高度时才使分度台转动，有利于提高安全性。
15、本技术的真空吸附台包括多个吸附区，能够有效地满足不同尺寸的晶圆的加工需要，应用灵活性更好。
16、本技术的真空吸附台采用微孔陶瓷盘，能够有效地保证减薄加工时的吸附稳定和减薄后的晶圆安全。同时，微孔陶瓷盘采用分体的结构，能够进行局部更换，便于使用。
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1.多工位半导体器件加工设备，包括设置于分度台上的至少两个均分圆周的承片台以及至少一个对承片台上的工件进行减薄的减薄机构，其特征在于：所述减薄机构侧部的预定高度设置有与控制装置连接的防转检测传感器，所述减薄机构的主轴处于减薄位置时，所述防转检测传感器能够检测到所述主轴，所述减薄机构的主轴处于等待位置时，所述主轴底部的磨轮位于所述防转检测传感器的上方，所述控制装置根据所述防转检测传感器的信号控制所述分度台的转动。
2.根据权利要求1所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述承片台之间设置有挡板，所述挡板的顶部高于所述承片台的台面，所述检测传感器位于所述挡板的上方。
3.根据权利要求1所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述减薄机构为两个，位于减薄位置的两个主轴并排设置。
4.根据权利要求3所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述防转检测传感器为对射传感器，所述对射传感器的发射器和接收器位于减薄位置的两个所述主轴的排布方向的两侧。
5.根据权利要求1-4任一所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述承片台为真
6.根据权利要求5所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：多个所述吸附区的吸附范围是直径为3寸、4寸、5寸、6寸及8寸的圆中的至少两个。
7.根据权利要求5所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：每组吸孔通过台面上凹设的圆形吸附槽连通。
8.根据权利要求5所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述真空吸附台包括底盘及设置在所述底盘上的微孔陶瓷盘，所述底盘上设置有多组所述吸孔。
9.根据权利要求8所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述微孔陶瓷盘为两个且同心嵌入在所述底盘上的凹槽中。
...【技术特征摘要】
1.多工位半导体器件加工设备，包括设置于分度台上的至少两个均分圆周的承片台以及至少一个对承片台上的工件进行减薄的减薄机构，其特征在于：所述减薄机构侧部的预定高度设置有与控制装置连接的防转检测传感器，所述减薄机构的主轴处于减薄位置时，所述防转检测传感器能够检测到所述主轴，所述减薄机构的主轴处于等待位置时，所述主轴底部的磨轮位于所述防转检测传感器的上方，所述控制装置根据所述防转检测传感器的信号控制所述分度台的转动。
2.根据权利要求1所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述承片台之间设置有挡板，所述挡板的顶部高于所述承片台的台面，所述检测传感器位于所述挡板的上方。
3.根据权利要求1所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述减薄机构为两个，位于减薄位置的两个主轴并排设置。
4.根据权利要求3所述的多工位半导体器件加工设备，其特征在于：所述防转检测传感器为对射传感器，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：董文豪，赵锋，孙志超，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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