【技术实现步骤摘要】
本申请涉及星用器件复合材料，具体涉及一种星用器件抗辐射薄层复合材料及其制备方法。
技术介绍
1、现有电子器件的空间辐射防护效率低下，难以满足我国导航、通讯等中高轨卫星及深空探测卫星的抗辐射加固需求。目前，电子器件遭遇的总剂量和位移损伤效应的防护主要靠被动屏蔽，屏蔽防护主要采用单质金属材料铝、钽等进行局部屏蔽，但是单质金属材料的屏蔽效果有限，提升辐射防护效果的方法只能通过增加厚度，这将给单机设备的抗辐射设计带来巨大压力和不可承受的质量成本，因此使用复合材料的空间环境电子器件防护结构技术可以大大节省卫星发射成本和元器件使用成本。
2、目前星用器件抗辐射材料使用铝/钽层状复合材料，铝材使用2a12铝合金，钽使用纯钽，由于2a12铝合金和纯钽的变形抗力不同，在轧制复合过程中，两种金属的流动性不同，会导致轧制后的复合材料发生翘曲。
技术实现思路
1、为了解决本领域存在的上述不足，本申请旨在提供一种星用器件抗辐射薄层复合材料及其制备方法，使得薄层2a12铝合金板材和纯钽板材在轧制复合后不发生翘曲，保持良好的平整度。
2、根据本申请的一方面，提供一种星用器件抗辐射薄层复合材料的制备方法，包括：
3、将2a12铝合金层和钽层分别进行表面处理；
4、将所述表面处理后的2a12铝合金层和钽层分别与固定层进行复合，得固定层-2a12铝合金层和固定层-钽层；
5、将所述固定层-2a12铝合金层和所述固定层-钽层进行轧制复合、退火，即得固定层-2a
6、其中，所述固定层不进行所述表面处理；
7、所述轧制复合包括：
8、当轧制复合单道次变形量≤35％时，将所述固定层-2a12铝合金层和所述固定层-钽层的头部铆接进行轧制复合；
9、当轧制复合单道次变形量＞35％时，将固定层合金和2a12铝合金之间，固定层合金和钽层之间涂覆轧制润滑剂，头部铆接进行轧制复合。
10、根据本申请的一些实施例，所述固定层选自：3系铝合金、铜板或低碳钢板。
11、根据本申请的一些实施例，所述固定层为3系铝合金。
12、根据本申请的一些实施例，所述星用器件抗辐射薄层复合材料厚度小于1mm。
13、根据本申请的一些实施例，所述退火温度为400-500℃，退火时间12-36h。
14、根据本申请的一些实施例，所述轧制复合为25-35℃冷轧。
15、根据本申请的一些实施例，所述轧制润滑剂为石蜡。
16、根据本申请的一些实施例，所述固定层的厚度小于5mm。可选地，所述固定层的厚度为3mm。
17、根据本申请的另一方面，还提供一种上述制备方法制备的星用器件抗辐射薄层复合材料。
18、与现有技术相比，本申请至少包括如下有益效果：
19、一种星用器件抗辐射薄层复合材料及其制备方法，本申请的制备方法中采用冷轧复合，不需要异温或异步轧制等复杂轧制方式，制备工艺简单；且制备的复合材料表面质量及尺寸精度高。
20、本申请的星用器件抗辐射薄层复合材料，厚度小于1mm，在轧制复合后不发生翘曲，保持良好的平整度。
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1.一种星用器件抗辐射薄层复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固定层选自：3系铝合金、铜板或低碳钢板。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述固定层为3系铝合金。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述星用器件抗辐射薄层复合材料厚度小于1mm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火温度为400-500℃，退火时间12-36h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述轧制复合为25-35℃冷轧。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述轧制润滑剂为石蜡。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固定层的厚度小于5mm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固定层的厚度为3mm。
10.一种权利要求1-9任一所述制备方法制备的星用器件抗辐射薄层复合材料。
【技术特征摘要】
1.一种星用器件抗辐射薄层复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固定层选自：3系铝合金、铜板或低碳钢板。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述固定层为3系铝合金。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述星用器件抗辐射薄层复合材料厚度小于1mm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火温度为400-500℃，退火...
【专利技术属性】
技术研发人员：张小军，刘慧，曾曙轩，周德敬，何丹凤，顾琳琳，承龙，吕友华，
申请(专利权)人：银邦金属复合材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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