【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体膜生产设备，具体涉及一种半导体膜状扩散源成型装置及使用方法。
技术介绍
1、半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料，特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高，半导体薄膜是构成这类器件的基本材料。半导体膜状扩散源是含有磷和硼或其他掺杂元素的半导体材料，其质量直接影响到半导体的性能和可靠性。
2、在现有技术中，半导体膜状扩散源生产成型过程需要经过喷涂、固化、分切等步骤，其中在对半导体膜状扩散源进行固化时，随着固化过程的持续，容易导致内部反应激烈，从而对薄膜造成过大的热应力，进而导致 扩散膜杂质分布不均匀，但是如果温度不足，又会导致反应不充分；并且在半导体膜状扩散源生产成型过程中，尤其是在固化、分切等过程中，容易因温度太高、机械分割以及半导体膜状扩散源的抗裂性不足导致薄膜破裂，进而影响产品质量。
技术实现思路
1、本专利技术针对上述半导体膜状扩散源容易因烘干过热等原因导致分布不均匀，以及在成型过程中容易破裂的问题，提供了一种半导体膜状扩散源成型装置及使用方法。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：.一种半导体膜状扩散源成型装置，包括机架、成膜传送辊、喷涂机构、烘干机构和分切机构，所述机架上安装成膜传送辊，所述成膜传送辊上方安装喷涂机构，所述成膜传送辊输出端安装分切机构，所述喷涂机构与分切机构之间的机架上安装烘干机构，所述喷涂机构与烘干机构之间安装离子注入机构；所述烘干机构包括烘干箱，所述成膜传送辊穿过烘干箱底部，所述烘干箱
3、作为优选，所述离子注入机构包括离子注入箱，所述成膜传送辊穿过离子注入箱底部，所述离子注入箱内安装离子注入机。
4、作为优选，所述温度控制组件包括控制面板，所述控制面板安装于烘干箱外壁，所述控制面板信号连接多个所述发热管外部电源开关，所述烘干箱底端安装有温度感受器，所述温度感受器信号连接控制面板。
5、作为优选，所述发热管的外表面均匀设置有翅片；所述烘干箱内还安装有过滤网板，所述过滤网板安装于所述发热管下方。
6、作为优选，所述烘干箱下方安装有除湿回风组件，所述除湿回风组件包括引风机、除湿箱和进气管和排气管，所述除湿箱内设置除湿层，所述除湿层内填充干燥剂，所述除湿层顶部安装多个所述进气管，所述除湿层底部安装所述引风机，所述引风机连接所述排气管，所述排气管进风口连通除湿层底部，排气管出风口连接所述烘干箱顶部。
7、作为优选，所述喷涂机构包括乳液搅拌桶和喷头，所述乳液搅拌桶固设于所述机架上，所述乳液搅拌桶固定连接所述喷头。
8、作为优选，所述分切机构包括张紧轮、倾斜传动平台和往复式切刀，所往张紧轮和所述往复式切刀安装于倾斜传动平台上，所述往复式切刀通过外部伺服电机进行驱动且所往复式切刀刀刃垂直于倾斜传动平台传送面。
9、一种半导体膜状扩散源成型装置使用方法，包括以下步骤，
10、步骤一、将含扩散源原料的乳液加入喷涂机构中的乳液搅拌桶搅拌，然后将搅拌好的扩散源原料由喷头喷涂于成膜传送辊上初步成型；
11、步骤二、初步成型后，由成膜传送辊运至离子注入箱内，启动离子注入机， 用于膜改性的离子从离子源中引出，经过离子引入和质量分析器筛选出目标离子束后再经过加速管获得较高能量，最后在扫描系统的瞄准聚焦下注入靶材。
12、步骤三、离子注入后的纸膜经成膜传送辊运送至烘干箱内，启动送风机以及加热管并启动引风机，送风机将外部的风吹入进烘干箱内，发热管加热形成热风，烘干纸膜；
13、步骤四、温度控制组件控制干燥温度，当干燥温度超过设置范围时，温度感受器将信号传递给控制面板，控制面板减少发热管的工作数量，降低烘干箱内的温度；当温度较低时，控制面板打开更多的发热管，升高温度；
14、步骤五、干燥成膜后，至少一次在前一次纸膜层的基础上再次通过喷涂、离子注入，并再次干燥成膜，最后将各次附着后形成的成品放进分切机构；
15、步骤六、成品经分切机构中的倾斜传动平台带动，经过往复式切刀，并被分切成合适大小。
16、与现有技术相比，本专利技术的优点和积极效果在于：
17、本专利技术的半导体膜状扩散源成型装置及使用方法，
18、(1)通过离子注入机构改变材料表面的性质，增强半导体膜状扩散源的抗裂性，从而一定程度防止因半导体膜状扩散源的抗裂性不足，在需要承受较高温度和压力条件的热风烘吹、机械分割等后续工艺过程中出现的薄膜破裂的情况，以保证产品品质；
19、(2)通过温度控制组件，较为准确实现控温的效果，使得设备能够根据实际需要烘干的物料能够及时调整相应温度，避免在膜状扩散源成型过程中，由于温度的影响导致扩散不均匀，从而影响半导体的性能和可靠性；
20、(3)通过除湿回风组件实现对热气的循环利用，节约资源。
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1.一种半导体膜状扩散源成型装置，包括机架（1）、成膜传送辊（2）、喷涂机构（3）、烘干机构（4）和分切机构（5），所述机架（1）上安装成膜传送辊（2），所述成膜传送辊（2）上方安装喷涂机构（3），所述成膜传送辊（2）输出端安装分切机构（5），所述喷涂机构（3）与分切机构（5）之间的机架（1）上安装烘干机构（4），其特征在于，所述喷涂机构（3）与烘干机构（4）之间安装离子注入机构（6）；所述烘干机构（4）包括烘干箱（401），所述成膜传送辊（2）穿过烘干箱（401）底部，所述烘干箱（401）上方安装送风机（402），所述送风机（402）输出端与烘干箱（401）内连通，所述烘干箱（401）内安装有多个发热管（403），所述发热管（403）连接外部电源，所述烘干箱（401）安装温度控制组件（7）。
2.根据权利要求1所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述离子注入机构（6）包括离子注入箱（601），所述成膜传送辊（2）穿过离子注入箱（601）底部，所述离子注入箱（601）内安装离子注入机（602）。
3.根据权利要求2所述的半导体膜状扩散源成型装置，其
4.根据权利要求3所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述发热管（403）的外表面均匀设置有翅片；所述烘干箱（401）内还安装有过滤网板（404），所述过滤网板（404）安装于所述发热管（403）下方。
5.根据权利要求3所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述烘干箱（401）下方安装有除湿回风组件（8），所述除湿回风组件（8）包括引风机（801）、除湿箱（802）和进气管（803）和排气管（804），所述除湿箱（802）内设置除湿层（805），所述除湿层（805）内填充干燥剂，所述除湿层（805）顶部安装多个所述进气管（803），所述除湿层（805）底部安装所述引风机（801），所述引风机（801）连接所述排气管（804），所述排气管（804）进风口连通除湿层（805）底部，所述排气管（804）出风口连接所述烘干箱（401）顶部。
6.根据权利要求5所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述喷涂机构（3）包括乳液搅拌桶（301）和喷头（302），所述乳液搅拌桶（301）固设于所述机架（1）上，所述乳液搅拌桶（301）固定连接所述喷头（302）。
7.根据权利要求6所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述分切机构（5）包括张紧轮（501）、倾斜传动平台（502）和往复式切刀（503），所往张紧轮（501）和所述往复式切刀（503）安装于倾斜传动平台（502）上，所述往复式切刀（503）通过外部伺服电机进行驱动且所往复式切刀（503）刀刃垂直于倾斜传动平台（502）传送面。
8.一种半导体膜状扩散源成型装置使用方法，根据权利要求7所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，包括以下步骤，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体膜状扩散源成型装置，包括机架（1）、成膜传送辊（2）、喷涂机构（3）、烘干机构（4）和分切机构（5），所述机架（1）上安装成膜传送辊（2），所述成膜传送辊（2）上方安装喷涂机构（3），所述成膜传送辊（2）输出端安装分切机构（5），所述喷涂机构（3）与分切机构（5）之间的机架（1）上安装烘干机构（4），其特征在于，所述喷涂机构（3）与烘干机构（4）之间安装离子注入机构（6）；所述烘干机构（4）包括烘干箱（401），所述成膜传送辊（2）穿过烘干箱（401）底部，所述烘干箱（401）上方安装送风机（402），所述送风机（402）输出端与烘干箱（401）内连通，所述烘干箱（401）内安装有多个发热管（403），所述发热管（403）连接外部电源，所述烘干箱（401）安装温度控制组件（7）。
2.根据权利要求1所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述离子注入机构（6）包括离子注入箱（601），所述成膜传送辊（2）穿过离子注入箱（601）底部，所述离子注入箱（601）内安装离子注入机（602）。
3.根据权利要求2所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述温度控制组件（7）包括控制面板（701），所述控制面板（701）安装于烘干箱（401）外壁，所述控制面板（701）信号连接多个所述发热管（403）外部电源开关，所述烘干箱（401）底端安装有温度感受器（702），所述温度感受器（702）信号连接控制面板（701）。
4.根据权利要求3所述的半导体膜状扩散源成型装置，其特征在于，所述发热管（403）的外表面均匀设置有...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，王锡康，姜兰虎，尹红，
申请(专利权)人：山东芯源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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