【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种太阳能晶硅电池及其制备方法。
技术介绍
1、随着晶硅电池技术迭代发展，基于n型硅片的高效电池技术的研究越来越受到行业追捧。目前主流n型高效电池技术代表为hjt和topcon电池，与此同时，技术的创新性和多样性需求促使多种电池技术应运而生。由于hjt电池采用本征非晶硅层作为钝化膜层，可以得到优异的开路电压，hjt电池的受光面受光区域是非晶硅或微晶硅及tco膜层，tco外层再沉积诸如氧化铝、氧化硅和氟化镁等减反射膜层，技术效果较佳，但工艺实现难度较大，最外层tco的折射率通常在1.8~2.1，如果提高tco光学性能，可能会影响tco的电学性质；另外，受光面的非晶或微晶膜层带来的寄生吸收，一定程度上降低了短路电流。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种太阳能晶硅电池。本专利技术的太阳能晶硅电池工艺步骤较为简单，方法易于操作和实现，可降低成本和提高产能。进一步地，本申请的太阳能晶硅电池正面沿用了topcon电池受光面优异的光学性能设计，背面局部金属化区域采纳hjt电池设计方法，集中两种电池的优点，从而大幅提高电池效率。
2、本申请一实施例提供了一种太阳能晶硅电池。
3、一种太阳能晶硅电池的制备方法，包括如下步骤：
4、对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒以及掺杂元素扩散，所述硅基底的受光面形成p+发射结；
5、去除所述硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层；
6、在所述硅基底的受光面制备减反射层；p>
7、在所述硅基底的背光面制备钝化层；
8、在所述钝化层上制备至少一个延伸至所述硅基底的第一开口区域，在所述减反射层制备至少一个延伸至所述硅基底的第二开口区域，在所述第一开口区域内沉积本征非晶硅层以及n型掺杂层；
9、所述硅基底的背光面制备导电膜层，在所述导电膜层上形成用于隔离所述第一开口区域的隔离槽；以及
10、在所述硅基底的受光面、背光面分别制备正面电极以及背面电极。
11、在其中一些实施例中，对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒时，绒面形貌包括正金字塔图形和/或倒金字塔图形，制绒后所述硅基底的受光面的反射率为6%~15%。
12、在其中一些实施例中，所述掺杂元素扩散时的掺杂元素包括硼或者磷。
13、在其中一些实施例中，对硅基底的受光面与背光面分别进行掺杂元素扩散时，包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行高温硼扩散，扩散设备为高温管式扩散炉，扩散温度为800℃~1000℃，扩散方阻为80ω/sq~150ω/sq。
14、在其中一些实施例中，去除所述硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层时，包括如下步骤：对扩散后所述硅基底的受光面与背光面分别进行化学湿法清洗，以去除掺杂氧化层。
15、在其中一些实施例中，所述减反射层为alox层、sinx层、sinxoy中的一种或几种叠层结构；
16、和/或，所述减反射层的厚度为70nm~120nm。
17、在其中一些实施例中，所述钝化层为氧化铝层；
18、和/或，所述钝化层的厚度为70nm~120nm。
19、在其中一些实施例中，所述本征非晶硅层的厚度为8nm~18nm；
20、和/或，所述n型掺杂层的厚度为10nm~30nm。
21、在其中一些实施例中，所述导电膜层包括ito膜层、ico膜层、iwo膜层、azo膜层或者gazo膜层；
22、和/或，所述导电膜层的厚度为40nm~130nm。
23、本申请一实施例还提供了一种太阳能晶硅电池。
24、一种太阳能晶硅电池，所述太阳能晶硅电池采用所述制备方法制备而成。
25、本申请的太阳能晶硅电池的制备方法工艺较为简单，步骤流程较短，降低制作成本，易于生产。本申请的太阳能晶硅电池的制备方法制备得到的太阳能晶硅电池中，电池受光面沿用了经典topcon电池的正面设计思路，降低光学吸收损失，提高电池短路电流；电池背面金属区域采用hjt本征非晶硅和n型掺杂非晶或非晶硅，提高界面钝化性能，降低暗饱和电流密度，同时也降低金属半导体接触电阻，n+背场又起到了降低少数载流子传输损失；电池背光面非金属区域仍保持了绒面结构和匹配p型的钝化层，增加入射光内反射，提高膜层钝化性能，从而起到提高电池效率的作用。
26、进一步地，本专利技术中的太阳能晶硅电池的制备方法中，首先是几步高温工艺例如高温扩散等，对硅基底质量有一定的要求和吸杂效果，保证了电池高转换效率的前提；再通过低温工序例如沉积制备钝化层以及减反射层等，保障了电池背面各膜层良好的性能，正面沉积具有优异光学性能的减反射了膜层，例如氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层或多层的叠层，背面先沉积氧化铝再制备第一开口区域、沉积制备本征非晶硅和n型掺杂层如n型掺杂非晶硅层或微晶硅层，提高了界面钝化性能，降低暗饱和电流密度，同时也降低金属半导体接触电阻。
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1.一种太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒时，绒面形貌包括正金字塔图形和/或倒金字塔图形，制绒后所述硅基底的受光面的反射率为6%~15%。
3.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，所述掺杂元素扩散时的掺杂元素包括硼或者磷。
4.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，对硅基底的受光面与背光面分别进行掺杂元素扩散时，包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行高温硼扩散，扩散设备为高温管式扩散炉，扩散温度为800℃~1000℃，扩散方阻为80Ω/sq~150Ω/sq。
5.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，去除所述硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层时，包括如下步骤：对扩散后所述硅基底的受光面与背光面分别进行化学湿法清洗，以去除掺杂氧化层。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，所述减反射层为AlOx层、SiNx层、SiNxOy中的一种或几种叠层结构；>
7.根据权利要求1~5任意一项所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层；
8.根据权利要求1~5任意一项所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，
9.根据权利要求1~5任意一项所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，所述导电膜层包括ITO膜层、ICO膜层、IWO膜层、AZO膜层或者GAZO膜层；
10.一种太阳能晶硅电池，其特征在于，所述太阳能晶硅电池采用权利要求1~9任意一项所述的制备方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒时，绒面形貌包括正金字塔图形和/或倒金字塔图形，制绒后所述硅基底的受光面的反射率为6%~15%。
3.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，所述掺杂元素扩散时的掺杂元素包括硼或者磷。
4.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，对硅基底的受光面与背光面分别进行掺杂元素扩散时，包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行高温硼扩散，扩散设备为高温管式扩散炉，扩散温度为800℃~1000℃，扩散方阻为80ω/sq~150ω/sq。
5.根据权利要求1所述的太阳能晶硅电池，其特征在于，去除所述硅基底的受光...
【专利技术属性】
技术研发人员：霍亭亭，杨广涛，陈达明，殷志豪，李宏伟，段誉，孟子博，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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