【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、双向双极结型晶体管(下文中称为b-tran)是由半导体材料的第一侧上的基极及集电极-发射极及与第一侧相对的半导体材料的第二侧上的不同且单独基极及集电极-发射极构造的结型晶体管。当由外部驱动器适当配置时，电流可沿任一方向选择性流动通过b-tran，且因此b-tran装置被视为双向装置。集电极-发射极被视为集电极(例如，电流流入到b-tran中)还是发射极(例如，电流从b-tran流出)取决于所施加的外部电压且因此取决于电流流动通过b-tran的方向。
2、当使电流流动通过集电极-发射极时，b-tran装置展现集电极到发射极压降，称为vceon。因为b-tran装置多次用作电源开关，所以减小vceon的任何系统或方法减少总功耗且因此提高效率。
技术实现思路
1、双向电源开关。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：上基极区，其与半导体材料衬底的第一侧相关联；上ce沟槽，其界定于所述第一侧上，所述上ce沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端；上集电极-发射极区，其经安置于所述上ce沟槽的所述远端处；下基极区，其与所述衬底的第二侧相关联；及下集电极-发射极区，其与所述第二侧相关联。
2、在所述实例性半导体装置中，所述上ce沟槽可界定在10到50微米之间且包含10及50微米的深度。
3、所述实例性半导体装置可进一步包括：上基极沟槽，其界定于所述第一侧上，所述上基极沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端；其中所述上基极区经安
4、所述实例性半导体装置可进一步包括：下ce沟槽，其界定于所述第二侧上，所述下ce沟槽界定所述第二侧处的近端开口及衬底内的远端；且其中所述下集电极-发射极区经安置于所述下ce沟槽的所述远端处。所述上ce沟槽可进一步包括长圆形且所述下ce沟槽可进一步包括长圆形。所述上ce沟槽及所述下ce沟槽可在制造公差内全等。所述实例性半导体装置可进一步包括：上基极沟槽，其界定于所述第一侧上，所述上基极沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端，其中所述上基极区经安置于所述上基极沟槽的所述远端处；下基极沟槽，其界定于所述第二侧上，所述下基极沟槽界定所述第二侧处的近端开口及所述衬底内的远端，其中所述下基极区经安置于所述下基极沟槽的所述远端处。所述上基极沟槽界定第一深度，所述上ce沟槽界定第二深度，且其中所述第一深度可大于所述第二深度；且其中所述下基极沟槽界定第三深度，所述下ce沟槽界定第四深度，且其中所述第三深度可大于所述第四深度。
5、所述实例性半导体装置可进一步包括安置于所述上ce沟槽的侧壁上的一层氧化物。
6、所述实例性半导体装置可进一步包括所述上基极区是p型，且所述上集电极-发射极区是n型。
7、又一实例是一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：掺杂产生与半导体材料衬底的第一侧相关联的上基极区；蚀刻所述第一侧以产生上ce沟槽，所述上ce沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端；通过所述上ce沟槽的所述远端掺杂以产生上集电极-发射极区；掺杂产生与所述衬底的第二侧相关联的下基极区；及掺杂产生与所述第二侧相关联的下集电极-发射极区。
8、在所述实例性方法中，蚀刻产生所述上ce沟槽可进一步包括蚀刻使得所述上ce沟槽界定在10到75微米之间且包含10及75微米的深度。
9、所述实例性方法可进一步包括在掺杂产生所述上基极区之前蚀刻所述第一侧以产生上基极沟槽，所述上基极沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述半导体材料衬底内的远端；且掺杂产生所述上基极区可进一步包括通过所述上基极沟槽的所述远端掺杂。所述上基极沟槽界定第一深度，所述上ce沟槽界定第二深度，且所述第一深度可大于所述第二深度。
10、所述实例性方法可进一步包括在掺杂产生所述下集电极-发射极区之前蚀刻所述衬底的第二侧以产生下ce沟槽，所述下ce沟槽界定所述第二侧处的近端开口及所述半导体材料衬底内的远端；且掺杂产生所述下集电极-发射极区可进一步包括通过所述下ce沟槽的所述远端掺杂。所述实例性方法可进一步包括在掺杂产生所述上基极区之前蚀刻所述第一侧以产生上基极沟槽，所述上基极沟槽界定所述第一侧上的近端开口及所述半导体材料衬底内的远端；且掺杂产生所述上基极区可进一步包括通过所述上基极沟槽的所述远端掺杂；在掺杂产生所述下基极区之前，所述实例性方法可进一步包括蚀刻所述第二侧以产生下基极沟槽，所述下基极沟槽界定所述第二侧上的近端开口及所述半导体材料衬底内的远端；且掺杂产生所述下基极区可进一步包括通过所述下基极沟槽的所述远端掺杂。所述上基极沟槽界定第一深度，所述上ce沟槽界定第二深度，且所述第一深度可大于所述第二深度；且所述下基极沟槽界定第三深度，所述下ce沟槽界定第四深度，且其中所述第三深度可大于所述第四深度。
11、所述实例性方法可进一步包括：将第一层氧化物放置于所述上ce沟槽的侧壁上；将第二层氧化物放置于所述上基极沟槽的侧壁上；将第三层氧化物放置于所述下ce沟槽的侧壁上；及将第四层氧化物放置于所述下基极沟槽的侧壁上。
12、在所述实例性方法中，掺杂产生所述上基极区可进一步包括植入产生p型所述上基极区，且其中掺杂产生所述上集电极-发射极区进一步包括植入产生p型集电极-发射极区。
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1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述上CE沟槽界定在10到50微米之间且包含10及50微米的深度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述上基极沟槽界定第一深度，所述上CE沟槽界定第二深度，且其中所述第一深度大于所述第二深度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述上CE沟槽界定长圆形且所述下CE沟槽界定长圆形。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述上CE沟槽及所述下CE沟槽在制造公差内全等。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括安置于所述上CE沟槽的侧壁上的一层氧化物。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括所述上基极区是P型，且所述上集电极-发射极区是N型。
12.一种制造
13.根据权利要求12所述的方法，其中蚀刻产生所述上CE沟槽进一步包括蚀刻使得所述上CE沟槽界定在10到75微米之间且包含10及75微米的深度。
14.根据权利要求12所述的方法：
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述上基极沟槽界定第一深度，所述上CE沟槽界定第二深度，且所述第一深度大于所述第二深度。
16.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在掺杂产生所述下集电极-发射极区之前：
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：
18.根据权利要求17所述的方法：
19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
20.根据权利要求12所述的方法，其中掺杂产生所述上基极区进一步包括植入产生P型所述上基极区，且其中掺杂产生所述上集电极-发射极区进一步包括植入产生P型集电极-发射极区。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述上ce沟槽界定在10到50微米之间且包含10及50微米的深度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述上基极沟槽界定第一深度，所述上ce沟槽界定第二深度，且其中所述第一深度大于所述第二深度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述上ce沟槽界定长圆形且所述下ce沟槽界定长圆形。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述上ce沟槽及所述下ce沟槽在制造公差内全等。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括安置于所述上ce沟槽的侧壁上的一层氧化物。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·布，C·布卢恰，A·莫贾布，J·克纳普，R·D·布达尔，
申请(专利权)人：理想能量有限公司，
类型：发明
国别省市：
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