【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆处理液喷洒方法和装置。
技术介绍
1、在半导体器件加工制造过程中，常需要对晶圆进行清洗，尤其是在刻蚀工艺后。在晶圆表面沉积的薄膜上存在盲孔的情况下，要刻蚀晶圆表面不需要结构，会导致刻蚀液会残留在盲孔内，若刻蚀液清洗不彻底则造成盲孔内所需要的材料被刻蚀，损失量过多，最终影响产品的性能。
2、因此，有必要开发一种新型处理液喷洒方法和装置，以改善现有技术存在的上述部分问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆处理液喷洒方法和装置，能够提升晶圆盲孔内的刻蚀液的清洗效果，减少晶圆盲孔内的材料损失量。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的晶圆处理液喷洒方法，包括如下步骤：提供表面带有薄膜的晶圆，所述薄膜表面具有盲孔；驱动所述晶圆交替进行正反转；使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液。
3、本专利技术提供的晶圆处理液喷洒方法的有益效果在于：通过将表面薄膜上带有盲孔的晶圆的正反旋转，可以改变清洗液在晶圆表面的运动方向，对晶圆表面的清洗液起到震荡作用，使得清洗液从多个角度流入盲孔内，清洗液能够更充分地置换出盲孔内的刻蚀液，有利于提升孔内刻蚀液的清洗效果，减小孔内的所需材料的损失，进而提高产品性能。
4、可选的，所述使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液，包括：所述清洗液的液流与所述晶圆表面之间的形成第一夹角，所述第一夹角大于等于30°且小于90°；所述清洗液的液流速度在所述晶圆表面上的分量与所述晶圆表面上清洗液
5、可选的，所述使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液，还包括：移动所述第一喷嘴的位置，使所述第一喷嘴从所述晶圆所在位置上方的一侧移动至另一侧，在所述第一喷嘴的移动过程中，调节所述第一喷嘴的角度使所述清洗液的液流速度满足所述第一夹角和所述第二夹角。其有益效果在于：便于对晶圆表面做整体清洗，提升各个位置处盲孔的清洗效果。
6、可选的，所述交替进行正反转包括：正转时间为10～60秒和反转时间为10～60秒。
7、可选的，在驱动所述晶圆交替进行正反转前，还包括：使用第二喷嘴向所述晶圆喷洒刻蚀液，所述刻蚀液的液流与所述晶圆表面之间的形成第三夹角，所述第三夹角大于0°且小于等于60°；所述刻蚀液的液流速度在所述晶圆表面上的分量与所述晶圆表面上清洗液喷洒点的线速度之间形成第四夹角，所述第四夹角大于等于135°且小于等于180°。其有效果在于：刻蚀液的液流以与所述晶圆之间呈所述第三夹角的方式冲洗晶圆，当刻蚀液接触到所述晶圆时，能够给刻蚀液的液流增加平行于晶圆表面的水平的水平力，能够减少进入孔内的刻蚀液的液量；同时，当刻蚀液的液流速度在所述晶圆表面上的分量与所述晶圆表面上刻蚀液喷洒点的线速度之间呈所述第二夹角时，刻蚀液的液流速度与盲孔处线速度接近反向，能够增大两者之间的速度差，部分刻蚀液从盲孔孔口的一侧流至另一侧而不进入孔内，有利于减少孔内的刻蚀液的液量，便于后续对残留的刻蚀液彻底清洗。
8、本专利技术提供的晶圆处理液喷洒装置包括旋转机构和第一喷嘴；所述旋转机构用于承载晶圆并驱动所述晶圆交替进行正反转；所述第一喷嘴设置于所述旋转机构的上方，用于向所述晶圆喷洒清洗液。
9、本专利技术提供的晶圆处理液喷洒装置的有益效果在于：所述旋转机构承载并驱动表面薄膜上带有盲孔的晶圆的正反转，使用所述第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液时，晶圆正反转可以改变清洗液在晶圆表面的运动方向，对晶圆表面的清洗液起到震荡作用，使得清洗液从多个角度流入盲孔内，清洗液能够更充分地置换出盲孔内的刻蚀液，有利于提升孔内刻蚀液的清洗效果，减小孔内的所需材料的损失，进而提高产品性能。
10、可选的，所述晶圆处理液喷洒装置还包括连接所述第一喷嘴的喷嘴驱动机构，所述喷嘴驱动机构用于驱动所述第一喷嘴从所述晶圆所在位置上方的一侧移动至另一侧。其有益效果在于：便于对晶圆表面做整体清洗，提升各个位置处盲孔的清洗效果。
11、可选的，所述晶圆处理液喷洒装置还包括连接所述第一喷嘴的喷嘴调整机构，所述喷嘴调整机构用于调整所述第一喷嘴的角度以改变所述清洗液的液流的方向。其有益效果在于：通过所述喷嘴调整机构改变所述第一喷嘴的角度，使得清洗液以更容易进入盲孔内液流方向的冲洗晶圆，提升盲孔内刻蚀液的清洗效果。
12、可选的，所述晶圆处理液喷洒装置还包括设置于所述旋转机构上方的第二喷嘴，用于向所述晶圆喷洒刻蚀液。
13、可选的，所述第二喷嘴连接所述喷嘴驱动机构和所述喷嘴调整机构，用于驱动所述第二喷嘴从所述晶圆所在位置上方的一侧移动至另一侧并调整所述第二喷嘴的角度以改变所述刻蚀液的液流的方向。其有益效果在于：所述喷嘴驱动机构调节所述第二喷嘴的位置，便于对晶圆表面做整体刻蚀；同时通过所述喷嘴调整机构调节所述第二喷嘴的角度，减少进入盲孔内的刻蚀液的液量，便于后续对盲孔内刻蚀液的清洗效果。
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1.一种晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，所述使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，所述使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液，还包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，所述交替进行正反转包括：正转时间为10～60秒和反转时间为10～60秒。
5.根据权利要求1所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，在驱动所述晶圆交替进行正反转前，还包括：
6.一种晶圆处理液喷洒装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆处理液喷洒装置，其特征在于，还包括连接所述第一喷嘴的喷嘴驱动机构，所述喷嘴驱动机构用于驱动所述第一喷嘴从所述晶圆所在位置上方的一侧移动至另一侧。
8.根据权利要求7所述的晶圆处理液喷洒装置，其特征在于，还包括连接所述第一喷嘴的喷嘴调整机构，所述喷嘴调整机构用于调整所述第一喷嘴的角度以改变所述清洗液的液流的方向。
9.根据权利要求8
10.根据权利要求9所述的晶圆处理液喷洒装置，其特征在于，所述第二喷嘴连接所述喷嘴驱动机构和所述喷嘴调整机构，用于驱动所述第二喷嘴从所述晶圆所在位置上方的一侧移动至另一侧并调整所述第二喷嘴的角度以改变所述刻蚀液的液流的方向。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，所述使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，所述使用第一喷嘴向所述晶圆喷洒清洗液，还包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，所述交替进行正反转包括：正转时间为10～60秒和反转时间为10～60秒。
5.根据权利要求1所述的晶圆处理液喷洒方法，其特征在于，在驱动所述晶圆交替进行正反转前，还包括：
6.一种晶圆处理液喷洒装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆处理液喷洒装置，其特征在于，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡嗣卓，朴勇男，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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