本发明专利技术提供一种漂浮种植盘及淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，涉及镉污染技术领域，包括漂浮盘体、插穗、扦插定植、整地、漂浮种植管理等，在漂浮盘体上开设有若干个定植穴，定植穴呈矩阵排布；漂浮种植盘内设置有若干个横向通道和纵向通道，横向通道和纵向通道相互垂直交错排布，且与定植穴连通或者连接，横向通道和纵向通道均位于同一横截面。插穗为以伴矿景天或东南景天为母株，至少带有1个生长点，扦插定植，插穗用促生根剂浸泡基部，取出阴干；目标修复田块整地，且调节田块水层高度。漂浮种植管理，分别于漂浮种植后1个月、3个月时每亩喷施尿素。漂浮种植时间结合水稻生产的季节性，可于10‑11月份插穗，漂浮种植至翌年4月或5月移除。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及镉污染的，具体而言，涉及一种漂浮种植盘及淹水条件下镉污染农田的植物修复方法。
技术介绍
1、随着工业发展，镉污染问题日益突出，对人类健康的潜在威胁受到世界各国的关注。植物修复技术因其成本效益和环境友好性等优点备受瞩目，利用超富集植物提取和去除镉在全球范围内得到广泛关注。随着我国经济结构中第一产业所占总产值比重逐渐缩小，冬闲田面积不断扩大，虾稻规模快速扩张也导致含水冬闲田面积增加，且长江中下游水稻产区冬闲田多有积水。受目前技术限制，当下的物理修复、化学萃取等方法多不适于在受镉污染的淹水田块开展修复。
2、现有的植物修复技术仍存在着一些问题：一是受育苗技术限制，修复植物的工厂化育苗技术尚未成熟，种苗价格偏高；二是植物修复过程中因超富集植物产量低或者死亡等导致修复效率低的情况时有发生，水肥管理、病虫草害防治等栽培措施所需人工成本较高，栽培技术有待进一步提高；三是植物修复过程中草害防控难，草害发生不仅会降低修复效果，还会造成后茬作物草害频发；四是与大多数植物一样，大部分镉超富集植物不耐涝，淹水农田不适合其生长，淹水田块修复植物难栽培存活，故淹水田块开展植物修复技术较困难。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，通过设置漂浮种植盘和配套的种植修复方法来实现提高镉富集植物的存活率以及修复效果。
2、本专利技术通过以下技术方案实现：包括漂浮盘体，在所述漂浮盘体上开设有若干个定植穴，所述定植穴呈矩阵排布；
>3、所述漂浮种植盘内设置有若干个横向通道和纵向通道，所述横向通道和纵向通道相互垂直交错排布，且与所述定植穴连通或者连接，所述横向通道和所述纵向通道均位于同一横截面。4、为了更好的实现本专利技术，进一步的，相邻所述定植穴间距为8.5～9.0cm；
5、所述横向通道和所述纵向通道的直径为0.5～0.8cm。
6、为了更好的实现本专利技术，进一步的，所述定植穴呈长方体状，所述定植穴的顶面呈正方形，其边长为2.0～2.5cm，高为4.5～5.5cm，方形穴孔所含基质多且水分分布均匀，可保证所种植物根系发育更加充分；所述定植穴的底部还连通设置有直径为0.5～0.8cm的孔洞，便于植物更系伸出漂浮盘、向下扎进待修复土壤中。
7、插穗插入其定植穴内时，能够有利于种植的生长，同时还能够提高植株的存活率。
8、一种淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，
9、包括以下操作步骤：
10、对污染农田进行翻耕、整平，灌水并调节农田水层高度，同时洒施缓效肥作为基肥；
11、在农田里放置所述的漂浮种植盘，所述漂浮种植盘内种植有用于去除镉污染的植物，该植物以东南景天或伴矿景天为主；
12、在修复过程中定期进行施肥。
13、本专利技术采用在漂浮种植盘上种植伴矿景天或东南景天，在运用过程中无需多次移栽，节约人工成本，在修复方式简单，可操作性极强，修复效果极佳。
14、为了更好的实现本专利技术，进一步的，
15、将植物种植于所述漂浮种植盘的具体操作如下：
16、将基质装入漂浮种植盘上的定植穴内；
17、将插穗植物的下端部剪呈马蹄形，并用溶液浸泡插穗植物基部，浸泡后取出插穗植物进行阴干且置于通风阴凉处晾干；
18、将处理后的插穗植物进行扦插定植，插穗插入至基质内，插入深度为0.8～1.5cm，插穗后喷水淋湿基质。
19、本专利技术将插穗插入至基质内，使其插穗植物能够生根快，相对直接插入至农田，能够大大提高成活率。
20、为了更好的实现本专利技术，进一步的，
21、使用溶液浸泡插穗植物基部，所述溶液选用浓度为0.5～10.0mg/l的naa溶液或浓度为2.0～10.0mg/l iba溶液，浸泡时间为30～60min。
22、为了更好的实现本专利技术，进一步的，
23、所述漂浮种植的时间为：在本年11月份将带有植物的漂浮种植盘放置于污染农田里，并在种植过程中定期施肥，于翌年的4月或5月移除，依次重复。
24、为了更好的实现本专利技术，进一步的，
25、所述农田水层高度为3.0～6.0cm。
26、上述选用农田水层高度最优选为5cm，将其漂浮种植盘放入农田后，随着植株长大，其根系通过定植穴的底面孔洞穿出，并伸入至农田内，通过根系对镉的吸收，从而达到对污染农田镉的修复。除此之外，该农田水层高度更便于栽培过程中水肥一体化管理。
27、为了更好的实现本专利技术，进一步的，
28、在将漂浮种植盘放置农田过程中，将其多个漂浮种植盘并排整齐排放，相邻之间的漂浮种植盘紧密靠近。
29、淹水农田里放置漂浮种植盘，均采用紧密靠近，整齐排放，这样做目的主要在于能够使漂浮种植盘能够全面覆盖农田，避免因覆盖不全而导致修复不彻底，除此之外，紧密贴合排布能够有效避免杂草生长。
30、为了更好的实现本专利技术，进一步的，所述植物选用伴矿景天或东南景天。
31、伴矿景天和东南景天是镉、锌超富集植物，具有生物量大、分布广、可多次收割、耐瘠薄干旱等优点，在实际修复过程中得出，多次种植修复并不会影响景天对镉的提取效率，且污染程度高、地力肥沃的农田中景天镉提取效率更高，本专利技术选用伴矿景天和东南景天，其植物喜阴，忌强光但耐冷，更适合秋、冬、春季种植，在试验过程中，其修复效率高，适合对淹水污染农田进行修复。
32、本专利技术选将景天植物进行淹水农田镉污染修复，该漂浮种植盘能够提高植物的成活率，保证修复效率，同时能够避免因超富集植物死亡带来的二次污染问题等。
33、本专利技术的有益效果是：
34、其一，本专利技术的漂浮种植伴矿景天或东南景天修复淹水cd污染农田的技术中，种苗扦插至漂浮种植盘后即可直接移至目标修复田块进行种植、修复，无需再次移栽，节约人工成本；其二，植株扦插于基质中，生根快，成活率高；其三，目标修复田块水层高度适宜，随植株长大，其根系通过定植穴底面孔道直接扎入农田中进行cd的吸收；其四，目标修复田块水层高度适宜，方便栽培过程中水肥一体化管理；其五，本专利技术的漂浮种植盘所种植的景天成活率高，可保证修复效率，同时避免了因超富集植物死亡带来的二次污染等问题；其六，修复过程中，漂浮种植盘覆盖整个田块，可有效防止杂草生长；其七，本专利技术的漂浮种植盘可循环利用，节约修复成本；其八，修复过程简单，可操作性强。
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【技术保护点】
1.一种漂浮种植盘，其特征在于，包括漂浮盘体，在所述漂浮盘体上开设有若干个定植穴，所述定植穴呈矩阵排布；
2.根据权利要求1所述的漂浮种植盘，其特征在于，相邻所述定植穴间距为8.5～9.0cm；所述横向通道和所述纵向通道的直径为0.5～0.8cm。
3.根据权利要求1所述的漂浮种植盘，其特征在于，所述定植穴呈长方体状，所述定植穴的顶面呈正方形，其边长为2.0～2.5cm，高为4.5～5.5cm；所述定植穴的底部还连通设置有直径为0.5～0.8cm的孔洞。
4.一种淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
5.根据权利要求4所述的淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，其特征在于，使用溶液浸泡插穗植物基部，所述溶液选用浓度为0.5～10.0mg/L的NAA溶液或浓度为2.0～10.0mg/L IBA溶液，浸泡时间为30～60min。
7.根据权利要求4所述的漂浮种植盘，其特征在于，所述漂浮种植的时间为：在本年11月份将带有植物的漂浮种植盘放置于污染农田里，并在种植过程中定期施肥，于翌年的4月或5月移除，依次重复。
8.根据权利要求4所述的漂浮种植盘，其特征在于，所述农田水层高度为3.0～6.0cm。
9.根据权利要求4所述的淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，其特征在于，在将漂浮种植盘放置农田过程中，将其多个漂浮种植盘并排整齐排放，相邻之间的漂浮种植盘紧密靠近。
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【技术特征摘要】
1.一种漂浮种植盘，其特征在于，包括漂浮盘体，在所述漂浮盘体上开设有若干个定植穴，所述定植穴呈矩阵排布；
2.根据权利要求1所述的漂浮种植盘，其特征在于，相邻所述定植穴间距为8.5～9.0cm；所述横向通道和所述纵向通道的直径为0.5～0.8cm。
3.根据权利要求1所述的漂浮种植盘，其特征在于，所述定植穴呈长方体状，所述定植穴的顶面呈正方形，其边长为2.0～2.5cm，高为4.5～5.5cm；所述定植穴的底部还连通设置有直径为0.5～0.8cm的孔洞。
4.一种淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
5.根据权利要求4所述的淹水条件下镉污染农田的植物修复方法，其特征在于，
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴艳娇，陈锦，贺爱国，谢运河，蒋慧丹，邓燕，彭华，
申请(专利权)人：湖南省农业环境生态研究所，
类型：发明
国别省市：
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