【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种掩模板及其制造方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
1、掩模板(mask，又称掩膜板)又称为光掩模或光罩，为了制造更高分辨率的显示面板等产品，已经开发了相移掩模板(phase shiftmask，psm)，相移掩模板一般由在衬底以及位于衬底上的遮光部和透光部(相位转换图案层)形成，在利用相移掩模板进行曝光工艺时，通过相移材料(相位转换图案层)的光线会产生180度的相位改变，由于相消干涉(即光的干涉被破坏)，因此能提高采用相移掩模板图案形成的图形的分辨率。
2、然而，现有技术中存在相移材料反射率较高，导致采用相移掩模板形成的图案(走线宽度等)的均一性变差。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种掩模板及其制造方法、阵列基板及显示装置，能够解决现有技术中存在相移材料反射率较高，导致采用相移掩模板形成的图案(走线宽度等)的均一性变差的问题。
2、本申请实施例的第一方面，提供了一种掩模板，包括：
3、衬底；
4、相位转换图案层，设置于所述衬底的一侧，所述相位转换图案层的材料包括硅氧烷树脂。
5、在一些实施方式中，在垂直于所述衬底的方向上，所述相位转换图案层的光程差为曝光波长的半波长的奇数倍，所述曝光波长为小于或等于400纳米的任一波长。
6、在一些实施方式中，所述曝光波长为365纳米、403纳米和436纳米中任一个。
7、在一些实施方式中，所述相位转换图案层的材料还包括光敏材料。
8、在一些实施方式中，还包括：
9、遮光图案层，至少设置于所述衬底的上的部分区域，且与所述相位转换图案层设置于所述衬底的同一侧，所述遮光图案层与所述相位转换图案层对应设置。
10、在一些实施方式中，所述相位转换图案层包括多个相位转换块和多个相位转换开口；
11、所述遮光图案层包括与对应的所述相位转换块对应设置的多个遮光块，以及与多个所述相位转换开口对应设置的多个遮光开口；
12、所述遮光块在所述衬底上的正投影位于对应的所述相位转换块在所述衬底上的正投影内。
13、在一些实施方式中，所述遮光块在所述衬底上的正投影的边缘至对应的所述相位转换块在所述衬底上的正投影的边缘的距离为0.1至0.5微米。
14、在一些实施方式中，所述掩模板包括至少一个第一区域和至少一个第二区域，所述遮光图案层只设置于所述第二区域。
15、在一些实施方式中，所述掩模板用于制造阵列基板，所述阵列基板包括至少一个第一走线区和至少一个第二走线区，所述第一走线区的走线密度小于所述第二走线区的走线密度；
16、所述掩模板的所述第一区域用于制作所述第一走线区的走线，所述掩模板的所述第二区域用于制作所述第二走线区的走线。
17、本申请实施例的第二方面，提供了一种掩模板的制造方法，包括：
18、提供一衬底；
19、在所述衬底上形成相位转换图案层，所述相位转换图案层的材料包括硅氧烷树脂。
20、在一些实施方式中，在垂直于所述衬底的方向上，所述相位转换图案层的光程差为曝光波长的半波长的奇数倍，所述曝光波长为小于或等于400纳米的任一波长。
21、在一些实施方式中，在所述在所述衬底上形成相位转换图案层之后，或在所述在所述衬底上形成相位转换图案层之前，还包括：
22、在所述衬底上的至少部分区域形成所述遮光图案层，其中，所述遮光图案层与所述相位转换图案层对应设置。
23、在一些实施方式中，所述在所述衬底上的至少部分区域形成所述遮光图案层，还包括：
24、去除所述衬底上部分区域的所述遮光图案层，以形成至少一个第一区域和至少一个第二区域，所述遮光图案层只设置于所述第二区域。
25、本申请实施例的第三方面，提供了一种阵列基板，采用上述中任一项所述的掩模板制造而成。
26、本申请实施例的第四方面，提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板
27、本申请实施例提供的掩模板中，曝光光线在相位转换图案层中的透过率为10％左右，此透过率与现有技术中的相移材料的透过率相近，能够透过曝光光线，并使得曝光光线会产生180度的相位改变，由于相消干涉(即光的干涉被破坏)，因此能提高采用本申请相移掩模板形成的图案的分辨率。本申请的相位转换图案层的反射率小于5％，比现有技术的相移材料的反射率20％小很多，因此减小了被相位转换图案层反射的曝光光线，避免了反射的曝光光线与入射的曝光光线形成干涉，避免了驻波效应破坏光刻胶图案侧壁(如图7中第二侧壁所示)的垂直性，即采用本申请的掩模板可以形成均一性更好的光刻胶的图案，采用均一性更好的光刻胶的图案形成的图案(走线的宽度等)均一性将大大提升。
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1.一种掩模板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述相位转换图案层的光程差为曝光波长的半波长的奇数倍，所述曝光波长为小于或等于400纳米的任一波长。
3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述曝光波长为365纳米、403纳米和436纳米中任一个。
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述相位转换图案层的材料还包括光敏材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模板，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述相位转换图案层包括多个相位转换块和多个相位转换开口；
7.根据权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述遮光块在所述衬底上的正投影的边缘至对应的所述相位转换块在所述衬底上的正投影的边缘的距离为0.1至0.5微米。
8.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板包括至少一个第一区域和至少一个第二区域，所述遮光图案层只设置于所述第二区域。
9.根据权利要求8所述的掩模板，其特征在于
10.一种掩模板的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的掩模板的制造方法，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述相位转换图案层的光程差为曝光波长的半波长的奇数倍，所述曝光波长为小于或等于400纳米的任一波长。
12.根据权利要求10所述的掩模板的制造方法，其特征在于，在所述在所述衬底上形成相位转换图案层之后，或在所述在所述衬底上形成相位转换图案层之前，还包括：
13.根据权利要求12所述的掩模板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上的至少部分区域形成所述遮光图案层，还包括：
14.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的掩模板制造而成。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述相位转换图案层的光程差为曝光波长的半波长的奇数倍，所述曝光波长为小于或等于400纳米的任一波长。
3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述曝光波长为365纳米、403纳米和436纳米中任一个。
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述相位转换图案层的材料还包括光敏材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模板，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述相位转换图案层包括多个相位转换块和多个相位转换开口；
7.根据权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述遮光块在所述衬底上的正投影的边缘至对应的所述相位转换块在所述衬底上的正投影的边缘的距离为0.1至0.5微米。
8.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板包括至少一个第一区域和至少一个第二区域，所述遮光图案层只设置于所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎午升，顾仁权，姚琪，袁广才，董学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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