【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种垂直芯片的制造方法。
技术介绍
1、在垂直芯片的制造过程中，通常会在剥离生长基板后，将露出的缓冲层去除，进而露出第一掺杂氮化镓层，以便于在第一掺杂氮化镓层上设置金属层。
2、但由于生长基板和缓冲层之间存在一定的晶格失配和成核层结晶质量较差等因素，在剥离生长基板后，会导致缓冲层表面粗糙且有一定的深孔洞，若直接对缓冲层进行刻蚀，则会影响第一掺杂氮化镓层的表面平整度，进而降低了垂直芯片出光效率，减少了垂直芯片的生产效率。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种用于增加垂直芯片的出光效率和生产效率的垂直芯片的制造方法，具体包括如下技术方案：
2、本申请实施例提供了一种垂直芯片的制造方法，包括如下步骤：
3、在生长基板上依次形成缓冲层、第一掺杂氮化镓层、多量子阱层、第二掺杂氮化镓层、以及金属键合层；
4、将衬底基板贴合于金属键合层，并剥离生长基板以露出缓冲层；
5、在缓冲层表面覆盖一层胶层；
6、蚀刻缓冲层和胶层，直至露出第一掺杂氮化镓层，并去除剩余的胶层；
7、在第一掺杂氮化镓层上制作金属层。
8、本申请垂直芯片的制造方法通过在生长基板上依次制作缓冲层、第一掺杂氮化镓层、多量子阱层、第二掺杂氮化镓层、以及金属键合层，以形成垂直芯片的大部分结构。通过将该大部分结构转移至衬底基板上，并使得衬底基板与金属键合层贴合，同时将生长基板剥离以露出缓冲层
9、由于缓冲层表面粗糙且缓冲层和第一掺杂氮化镓层的蚀刻速率相近，若是直接蚀刻去除缓冲层，会导致露出的第一掺杂氮化镓层表面的粗糙度与缓冲层的表面粗糙度相近。通过在缓冲层表面覆盖一层胶层，使得在蚀刻过程中，胶层能够对缓冲层的蚀刻起到缓冲作用，该缓冲作用缓解了蚀刻过程中缓冲层的粗糙表面对第一掺杂氮化镓层的影响，进而使得第一掺杂氮化镓层能相对缓冲层平整。
10、进一步的，通过对胶层和缓冲层进行蚀刻，直至露出第一掺杂氮化镓层，并去除剩余胶层，便于金属层的设立。通过在第一掺杂氮化镓层制作金属层，以形成完整的垂直芯片结构。
11、在一种实施例中，在缓冲层表面覆盖一层胶层时，包括：
12、使衬底基板保持第一转速进行涂胶，使胶覆盖缓冲层；
13、使衬底基板保持第二转速进行匀胶，以形成胶层，第二转速大于第一转速。
14、在本实施例中，通过使得衬底基板以第一转速进行旋转，对衬底基板进行涂胶，使得胶在自身流动性和第一转速的配合下，能够从衬底基板延伸至缓冲层，且能覆盖缓冲层。基于第一转速将胶覆盖至缓冲层的前提下，通过设置使衬底基板以第二转速进行匀胶，以形成胶层，使得胶层表面的平整度得以提升，进而保证蚀刻结束时，第一掺杂氮化镓层的表面平整度。同时，通过设置大于第一转速的第二转速，使得胶层在第二转速所提供的更大的离心力的基础上，配合自身的流动性，能更好地保证匀胶效率，进而保证胶层的均匀程度，提升表面的平整度。
15、在一种实施例中，第一转速为30-60转/min，第二转速为1000-2000转/min。
16、在一种实施例中，在使衬底基板保持第二转速进行匀胶之前，还包括：
17、使衬底基板保持第三转速进行匀胶，以消除胶层的中心与边缘区域厚度差，第三转速大于第二转速。
18、在本实施例中，在胶层采用第二转速匀胶之前，通过设置第三转速消除胶层中心与边缘区域的厚度差，使得胶层边缘的胶层厚度不会过厚，进而影响胶层的厚度和表面平整度。同时，通过设置大于第二转速的第三转速，能更好地依靠离心力消除边缘较厚的胶层，进一步的保证胶层的厚度和表面平整度，从而提升第一掺杂氮化镓层的表面平整度，增加了垂直芯片的出光效率。
19、在一种实施例中，第三转速为3000转/min，持续时间为2-5s。
20、在一种实施例中，在缓冲层表面覆盖一层胶层时，包括：
21、在缓冲层表面覆盖一层胶层，且胶层的厚度高于缓冲层的厚度1-4μm。
22、在本实施例中，由于缓冲层的表面粗糙，使得对缓冲层的厚度测量存在一定误差，无法保证按照测量的缓冲层厚度设置的胶层是否对缓冲层全覆盖。通过设定高于缓冲层1-4μm的胶层，能够保证胶层对缓冲层的全覆盖，进而使得在蚀刻过程中，胶层能对缓冲层起到缓冲作用，从而降低第一掺杂氮化镓层的表面粗糙度。
23、在一种实施例中，在缓冲层表面覆盖一层胶层时，还包括：
24、在缓冲层表面覆盖一层胶层，并烘烤胶层以使得胶层的蚀刻速率与缓冲层的蚀刻速率比值为0.9～1.1。
25、在本实施例中，通过烘烤改变胶层的蚀刻速率，保证胶层的蚀刻速率与缓冲层的蚀刻速率的比值为0.9～1.1，进而使得在蚀刻过程中，胶层和缓冲层的蚀刻速率相近。基于胶层表面平整的前提，通过设置蚀刻速率相近的胶体和缓冲层，能够保证蚀刻结束时，第一掺杂氮化镓层的表面平整，从而提升垂直芯片的出光效率，保证了垂直芯片的电压稳定性。
26、在一种实施例中，胶层的蚀刻速率与缓冲层的蚀刻速率的比值为1。
27、在本实施例中，通过设置比值为1的胶层和缓冲层的蚀刻速率比值，使得在对胶层和缓冲层蚀刻时，蚀刻速率一致，进而使得最终露出的第一掺杂氮化镓层的表面平整度与胶层的表面平整度一致。
28、在一种实施例中，胶层所采用的光刻胶型号为567，且对应的烘烤温度为120-130℃。
29、在本实施例中，光刻胶的蚀刻速率和温度有关，且相同温度的变化对不同的光刻胶的蚀刻速率的变化并不相同。通过将光刻胶型号设置为567，且使其烘烤温度为120-130℃，以保证胶层能在120-130℃的烘烤温度下，蚀刻速率得以下降至与缓冲层蚀刻速率相近，进而保证了蚀刻的效果。
30、在一种实施例中，蚀刻缓冲层和胶层时，包括：
31、基于多个预设时段刻蚀缓冲层和胶层，且相邻两个预设时段之间留有间隔时段。
32、在本实施例中，通过设置多个预设时段对缓冲层和胶层进行蚀刻，能够缩短每次的蚀刻时间，降低在蚀刻时间内所产生的热量。同时，在相邻两个预设时段之间设置间隔时段，并利用该间隔时间对蚀刻环境进行降温冷却，避免胶层被蚀刻过程所产生的高温碳化，进而影响外观良率。
33、在一种实施例中，蚀刻缓冲层和胶层时，还包括：
34、在间隔时段内采用氩气对胶层降温，以防止胶层碳化。
35、在本实施例中，通过在间隔时段中通入氩气对胶层降温，以加快间隔时段的降温效果，同时降低蚀刻过程中所产生的高温对胶层的影响，避免了胶层碳化，从而影响垂直芯片的外观良率。同时，通入惰性气体氩气，不会干扰蚀刻环境，也不会使得氩气与胶层和缓冲层反应，从而影响蚀刻进程和蚀刻效果。
36、在一种实施例中，氩气的气体流量为150-250sccm。
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【技术保护点】
1.一种垂直芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面覆盖一层胶层时，包括：
3.根据权利要求2所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在使所述衬底基板保持第二转速进行匀胶之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面覆盖一层胶层时，包括：
5.根据权利要求1所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面覆盖一层胶层时，还包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述蚀刻所述缓冲层和所述胶层时，包括：
7.根据权利要求6所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述蚀刻所述缓冲层和所述胶层时，还包括：
8.根据权利要求6所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述蚀刻所述缓冲层和所述胶层时，包括：
9.根据权利要求1-5任一项所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述蚀刻所述缓冲层和所述胶层时，包括：
10.根据
...【技术特征摘要】
1.一种垂直芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面覆盖一层胶层时，包括：
3.根据权利要求2所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在使所述衬底基板保持第二转速进行匀胶之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面覆盖一层胶层时，包括：
5.根据权利要求1所述的垂直芯片的制造方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面覆盖一层胶层时，还包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵世雄，马非凡，戴广超，陈德伪，王子川，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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