【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电检测，特别涉及一种探测基板、其制作方法及平板探测器。
技术介绍
1、基于薄膜晶体管(thin film transistor，tft)技术制作的x射线平板探测器(flat x-ray panel detector，fpxd)是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像(如x光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。
2、x射线平板探测器主要包括薄膜晶体管与光电转换器件。在x射线照射下，间接转换型x射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将x射线光子转换为可见光，然后在光电转换器件的作用下将可见光转换为电信号，最终通过薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种探测基板、其制作方法及平板探测器，具体方案如下：
2、本专利技术实施例提供了一种探测基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括设置在所述衬底基板之上的薄膜晶体管；其中，
3、所述薄膜晶体管包括：设置在所述衬底基板上的栅极，设置在所述栅极背离所述衬底基板一侧的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧的有源层，设置在所述有源层背离所述衬底基板一侧的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧的有源掺杂层，以及设置在所述有源掺杂层背离所述衬底基板一侧的源极和漏极；其中，>
4、所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述衬底基板上的正投影，所述源极接触区和漏极接触区在所述衬底基板上的正投影、所述有源掺杂层在所述衬底基板上的正投影、所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影相互重合。
5、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述有源层中除所述沟道区的其余区域在所述衬底基板上的正投影、所述有源掺杂层在所述衬底基板上的正投影、所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影相互重合。
6、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，每一所述探测像素单元还包括与所述薄膜晶体管的源极电连接的光电转换结构，所述光电转换结构包括依次层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，所述源极包括所述第一电极。
7、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，每一所述探测像素单元还包括：位于所述光电转换结构背离所述衬底基板一侧的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧的偏置电压线；所述偏置电压线通过贯穿所述第三绝缘层的第一过孔与所述第二电极电连接；其中，
8、所述第三绝缘层的材料包括sino。
9、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，每一所述探测像素单元还包括与所述偏置电压线同层设置的遮光部，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
10、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏置电压线与所述遮光部相互独立设置。
11、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，还包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的数据线，所述数据线与所述偏置电压线同层设置，且所述遮光部与所述数据线为一体结构；其中，所述数据线的延伸方向和所述偏置电压线的延伸方向相同，且所述数据线通过贯穿所述第三绝缘层的第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
12、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏置电压线在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
13、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏置电压线具有覆盖所述光电转换结构边缘区域的多个第一部分以及连接相邻所述第一部分的第二部分；
14、在垂直于所述偏置电压线的延伸方向上，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
15、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏置电压线与所述遮光部为一体结构。
16、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，还包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的数据线，所述数据线与所述漏极同层设置；其中，所述数据线的延伸方向和所述偏置电压线的延伸方向相同，且所述偏置电压线在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影之间。
17、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述遮光部通过贯穿所述第三绝缘层的第一过孔与所述第二电极电连接，所述遮光部具有覆盖所述光电转换结构边缘区域的第三部分；
18、在垂直于所述偏置电压线的延伸方向上，所述第三部分的宽度大于所述偏置电压线的宽度。
19、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述遮光部的材料为防腐蚀的金属材料。
20、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述遮光部的材料包括cr、ti、w至少其中之一。
21、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，还包括：位于所述遮光部背离所述衬底基板一侧的第四绝缘层，以及位于所述第四绝缘层背离所述衬底基板一侧的闪烁体层。
22、相应地，本专利技术实施例还提供了一种平板探测器，包括本专利技术实施例提供的上述任一项所述的探测基板。
23、相应地，本专利技术实施例还提供了一种探测基板的制作方法，包括：
24、在衬底基板的探测像素单元内形成栅极；
25、在所述栅极背离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；
26、在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧沉积有源材料膜层；
27、在所述有源材料膜层背离所述衬底基板的一侧沉积第二绝缘材料膜层，并对所述第二绝缘材料膜层进行构图，形成第二绝缘层；
28、在所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧沉积有源掺杂材料膜层；
29、在所述有源掺杂材料膜层背离所述衬底基板的一侧沉积第一金属材料膜层；
30、通过一次构图工艺同时对所述第一金属材料膜层、所述有源掺杂材料膜层和所述有源材料膜层进行构图，分别形成源极和漏极、有源掺杂层和有源层；其中，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影，所述源极接触区和漏极接触区在所述衬底基板上的正投影、所述有源掺杂层在所述衬底基板上的正投影、所述源极和漏极在所述衬底基板上的正投影相互重合。
31、可选地，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，还包括：
32、在形成所述源极时，所示源极包括光电转换结构的第一电极；
33、在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧沉积光电转换材料膜层；
34、在所述光电转换材料膜层背离所述衬底基板的一侧沉积透明导电材料膜层；...
【技术保护点】
1.一种探测基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括设置在所述衬底基板之上的薄膜晶体管；其中，
2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括与所述薄膜晶体管的源极电连接的光电转换结构，所述光电转换结构包括依次层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，所述源极复用为所述第一电极。
3.如权利要求2所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括：位于所述光电转换结构背离所述衬底基板一侧的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧的偏置电压线；所述偏置电压线通过贯穿所述第三绝缘层的第一过孔与所述第二电极电连接；其中，
4.如权利要求3所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括与所述偏置电压线同层设置的遮光部，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线与所述遮光部相互独立设置。
6.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于
7.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
8.如权利要求7所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线具有覆盖所述光电转换结构边缘区域的多个第一部分以及连接相邻所述第一部分的第二部分；
9.如权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线与所述遮光部为一体结构。
10.如权利要求9所述的探测基板，其特征在于，还包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的数据线，所述数据线与所述漏极同层设置；其中，所述数据线的延伸方向和所述偏置电压线的延伸方向相同，且所述偏置电压线在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影之间。
11.如权利要求10所述的探测基板，其特征在于，所述遮光部通过贯穿所述第三绝缘层的第一过孔与所述第二电极电连接，所述遮光部具有覆盖所述光电转换结构边缘区域的第三部分；
12.如权利要求4-11任一项所述的探测基板，其特征在于，所述遮光部的材料为防腐蚀的金属材料。
13.如权利要求12所述的探测基板，其特征在于，所述遮光部的材料包括Cr、Ti、W至少其中之一。
14.如权利要求4-11任一项所述的探测基板，其特征在于，还包括：位于所述遮光部背离所述衬底基板一侧的第四绝缘层，以及位于所述第四绝缘层背离所述衬底基板一侧的闪烁体层。
15.一种平板探测器，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的探测基板。
16.一种探测基板的制作方法，其特征在于，包括：
17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，还包括：
18.如权利要求17所述的制作方法，其特征在于，还包括：
19.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于，还包括：
20.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，在对所述第三绝缘材料膜层进行构图形成所述第一过孔时，还包括在所述第三绝缘材料膜层上形成与所述漏极对应的第二过孔；
21.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，在形成所述源极和漏极时，还包括形成与所述漏极同层设置且电连接的数据线；
22.如权利要求19-21任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种探测基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括设置在所述衬底基板之上的薄膜晶体管；其中，
2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括与所述薄膜晶体管的源极电连接的光电转换结构，所述光电转换结构包括依次层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，所述源极复用为所述第一电极。
3.如权利要求2所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括：位于所述光电转换结构背离所述衬底基板一侧的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧的偏置电压线；所述偏置电压线通过贯穿所述第三绝缘层的第一过孔与所述第二电极电连接；其中，
4.如权利要求3所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括与所述偏置电压线同层设置的遮光部，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线与所述遮光部相互独立设置。
6.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于，还包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的数据线，所述数据线与所述偏置电压线同层设置，且所述遮光部与所述数据线为一体结构；其中，所述数据线的延伸方向和所述偏置电压线的延伸方向相同，且所述数据线通过贯穿所述第三绝缘层的第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
7.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
8.如权利要求7所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线具有覆盖所述光电转换结构边缘区域的多个第一部分以及连接相邻所述第一部分的第二部分；
9.如权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述偏置电压线与所述遮光部为一体结构。
【专利技术属性】
技术研发人员：庞凤春，侯学成，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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