【技术实现步骤摘要】
本申请涉及整流芯片，具体而言，涉及一种具有二维res2电极的整流芯片及其制备方法。
技术介绍
1、gan肖特基二极管是一种基于氮化镓（gan）半导体材料的高性能电子器件；随着材料制备技术的进步和对gan肖特基二极管性能理解的深入，gan肖特基二极管的研发和商业化取得了显著进展。如今，gan肖特基二极管已经成为电子器件领域一个重要的研究热点，为高频高功率应用提供了更可靠和高效的解决方案。
2、gan肖特基二极管常作为半导体整流芯片使用，但现有的基于gan肖特基二极管制作的半导体整流芯片依然存在电导率较低、稳定性不足的缺点。
3、针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种具有二维res2电极的整流芯片及其制备方法，以提高半导体整流芯片的电导率和稳定性。
2、第一方面，本申请提供了一种具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，所述方法包括以下步骤：
3、s1、制作gan肖特基二极管和制作二维res2电极，所述gan肖特基二极管包括顶部具有algan外延层的外延片、设置在所述algan外延层上且为欧姆接触的阴极结构以及设置在所述algan外延层上且为肖特基接触的阳极结构；
4、s2、将所述二维res2电极转移至所述gan肖特基二极管上，以使所述algan外延层顶面和所述阳极结构顶面通过所述二维res2电极电气连接。
5、本申请的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法将制备
6、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，所述制作二维res2电极的步骤包括：
7、s121、提供sio2衬底，并在所述sio2衬底生长一层二维res2；
8、s122、在所述二维res2上旋涂一层pmma后，进行烘烤；
9、s123、除去所述sio2衬底，以获取所述二维res2电极。
10、在该示例中，旋涂在二维res2上的pmma作为支撑保护层保护二维res2，以保障后续获取的二维res2电极能顺利转移至gan肖特基二极管上。
11、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，所述制作二维res2电极的步骤还包括执行于步骤s123之后的步骤：
12、s124、将所述二维res2电极拖移至去离子水中浸泡清洗。
13、在该示例中，利用去离子水反复浸泡清洗即可在保证不损伤二维res2电极表面结构的情况下除去二维res2电极上附着的杂质溶液，以保证其底面整洁，以确保步骤s2能顺利完成转移。
14、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，步骤s122的烘烤温度为135-170℃，烘烤时长为30-50分钟。
15、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，步骤s2包括：
16、s21、利用所述gan肖特基二极管将存放在去离子水中的二维res2电极拖出以使所述二维res2电极与所述algan外延层顶面和所述阳极结构顶面贴附；
17、s22、烘烤贴附有所述二维res2电极的gan肖特基二极管以使所述二维res2电极紧密贴附在所述gan肖特基二极管上；
18、s23、除去所述二维res2电极上的pmma。
19、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，步骤s23包括步骤：
20、s231、利用丙酮除去所述二维res2电极上的pmma；
21、s232、利用酒精除去残留的丙酮。
22、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，所述制作gan肖特基二极管的步骤包括：
23、s111、提供外延高阻硅衬底，并在所述外延高阻硅衬底依次生长gan层和algan外延层以获得所述外延片；
24、s112、在所述外延片的algan外延层上制备欧姆接触的阴极结构以及肖特基接触的阳极结构。
25、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，所述阴极结构基于依次沉积的金属ti层、金属al层、金属ni层及金属au层，并在氮气气氛下退火处理而制成。
26、所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其中，所述阳极结构基于依次沉积的al2o3层和肖特基接触金属电极制成。
27、第二方面，本申请还提供了一种具有二维res2电极的整流芯片，所述具有二维res2电极的整流芯片基于如第一方面提供的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法制作而成，其包括gan肖特基二极管和二维res2电极；
28、所述gan肖特基二极管包括顶部具有algan外延层的外延片、设置在所述algan外延层上且为欧姆接触的阴极结构以及设置在所述algan外延层上且为肖特基接触的阳极结构；
29、所述algan外延层顶面和所述阳极结构顶面通过所述二维res2电极电气连接。
30、本申请的具有二维res2电极的整流芯片的algan外延层顶面和阳极结构顶面通过二维res2电极电气连接，在该具有二维res2电极的整流芯片使用时，二维res2电极能使外延片上的algan外延层和肖特基接触的阳极结构保持相同电位，以提高整流芯片的电导率，同时，二维res2电极在电荷环境下表现出较好的稳定性，能够长时间保持其电学性能，能有效提高整流芯片的电学稳定性。
31、由上可知，本申请提供了一种具有二维res2电极的整流芯片及其制备方法，其中，具有二维res2电极的整流芯片的制作方法将制备好的呈现为金属相的二维res2电极转移至gan肖特基二极管上，以使algan外延层顶面和阳极结构顶面通过二维res2电极电气连接，以获得具有二维res2电极的整流芯片，在该具有二维res2电极的整流芯片使用时，二维res2电极能使外延片上的algan外延层和肖特基接触的阳极结构保持相同电位，以提高整流芯片的电导率，同时，二维res2电极在电荷环境下表现出较好的稳定性，能够长时间保持其电学性能，能有效提高整流芯片的电学稳定性。
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1.一种具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述制作二维ReS2电极的步骤还包括执行于步骤S123之后的步骤：
3.根据权利要求1所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，步骤S122的烘烤温度为135-170℃，烘烤时长为30-50分钟。
4.根据权利要求1所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：
5.根据权利要求4所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，步骤S23包括步骤：
6.根据权利要求1所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述制作GaN肖特基二极管的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述阴极结构基于依次沉积的金属Ti层、金属Al层、金属Ni层及金属Au层，并在氮气气氛下退火处理而制成。
8.根据权利要求1所述的具有二维R
9.一种具有二维ReS2电极的整流芯片，其特征在于，所述具有二维ReS2电极的整流芯片基于如权利要求1-8任一项所述的具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法制作而成，其包括GaN肖特基二极管和二维ReS2电极；
...【技术特征摘要】
1.一种具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述制作二维res2电极的步骤还包括执行于步骤s123之后的步骤：
3.根据权利要求1所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，步骤s122的烘烤温度为135-170℃，烘烤时长为30-50分钟。
4.根据权利要求1所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，步骤s2包括：
5.根据权利要求4所述的具有二维res2电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，步骤s23包括步骤：
6.根据权利要求1所述的具有二...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，周润杰，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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