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【技术实现步骤摘要】
本公开的示例性实施方式涉及用于处理基板的设备。
技术介绍
1、通常,在制造半导体的工艺之中,如果需要,可以在诸如光工艺、蚀刻工艺和封装工艺的工艺中对基板进行冷却,并且随后可以执行后续工艺。例如,在制造半导体的工艺中,光工艺可以包括在工艺腔室中对基板进行施加光致抗蚀剂、显影、清洗、热处理等的工艺。已经经过处理的基板可以以高温状态排出到工艺腔室的外部,并且基板可能需要为了后续工艺而被冷却至预定的温度。
2、通常,作为用于对基板进行冷却的冷却装置,用于利用冷却液来进行冷却的冷却装置可以安装在用于支承基板的冷却板中。然而,至于冷却装置,可能有必要进行关于实现针对基板的快速冷却的研究。
技术实现思路
1、本公开的示例性实施方式提供了可以改善针对基板的冷却性能的用于处理基板的设备。
2、根据本公开的示例性实施方式,用于处理基板的设备包括:支承板,包括设置在其中的具有圆盘形状的第一容纳空间,并且支承基板;第一冷却装置,容纳在第一容纳空间中,并且包括相变材料;以及第二冷却装置,设置在支承板中,并且设置成使第一冷却装置的至少一部分介于第二冷却装置与支承板的上表面之间,并且包括在支承板中流动的冷却液。
3、第二冷却装置可以在支承板中与第一容纳空间的下部分隔开,且第一冷却装置可以包括设置在第一容纳空间的内壁表面上并且与相变材料接触的传热构件。
4、传热构件可以包括设置在第一容纳空间的上壁表面上的第一传热构件和设置在第一容纳空间的下壁表面上的第二传热构件。<
...【技术保护点】
1.一种用于处理基板的设备,包括:
2.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,
3.根据权利要求2所述的用于处理基板的设备,其中,所述传热构件包括设置在所述第一容纳空间的上壁表面上的第一传热构件和设置在所述第一容纳空间的下壁表面上的第二传热构件。
4.根据权利要求3所述的用于处理基板的设备,其中,
5.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备,其中,
6.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备,其中,
7.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备,其中,所述第一传热销和所述第二传热销在所述支承板的厚度方向上彼此交替地突出,并且所述第一传热销和所述第二传热销具有在与所述厚度方向垂直的方向上彼此重叠的部分。
8.根据权利要求7所述的用于处理基板的设备,其中,所述第一传热销的突出端和所述第二传热销的突出端在与所述厚度方向垂直的方向上彼此重叠。
9.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,当从上方观察时,所述第一容纳空间具有完全覆盖所述第二冷却装置的区域。
10.根据权利
11.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,所述支承板包括壳体,所述壳体在其中形成所述第一容纳空间。
12.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,所述第二冷却装置包括冷却液流动路径,所述冷却液流动路径在所述支承板中与所述第一容纳空间的下部分间隔开并且包括所述冷却液通过其流入的入口端口和所述冷却液通过其流出的出口端口从而允许所述冷却液流动通过。
13.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,
14.根据权利要求2所述的用于处理基板的设备,其中,
15.一种用于处理基板的设备,包括:
16.一种用于处理基板的设备,包括:
17.根据权利要求16所述的用于处理基板的设备,其中,当从上方观察时,所述第一容纳空间具有完全覆盖所述冷却液流动路径的区域。
18.根据权利要求16所述的用于处理基板的设备,其中,所述第一传热销和所述第二传热销在所述支承板的厚度方向上彼此交替地突出,并且所述第一传热销的突出端和所述第二传热销的突出端在与所述厚度方向垂直的方向上彼此重叠。
19.根据权利要求18所述的用于处理基板的设备,其中,
20.根据权利要求16所述的用于处理基板的设备,其中,所述相变材料包括石蜡材料和共晶盐材料中的一种。
...【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备,包括:
2.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,
3.根据权利要求2所述的用于处理基板的设备,其中,所述传热构件包括设置在所述第一容纳空间的上壁表面上的第一传热构件和设置在所述第一容纳空间的下壁表面上的第二传热构件。
4.根据权利要求3所述的用于处理基板的设备,其中,
5.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备,其中,
6.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备,其中,
7.根据权利要求4所述的用于处理基板的设备,其中,所述第一传热销和所述第二传热销在所述支承板的厚度方向上彼此交替地突出,并且所述第一传热销和所述第二传热销具有在与所述厚度方向垂直的方向上彼此重叠的部分。
8.根据权利要求7所述的用于处理基板的设备,其中,所述第一传热销的突出端和所述第二传热销的突出端在与所述厚度方向垂直的方向上彼此重叠。
9.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,当从上方观察时,所述第一容纳空间具有完全覆盖所述第二冷却装置的区域。
10.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备,其中,所述相变材料包括石蜡材料和共晶盐材料中的一种。
11.根据权利要求1所述的用于...
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