【技术实现步骤摘要】
本公开属于显示，具体涉及一种显示基板、显示基板的制作方法和显示装置。
技术介绍
1、随着元宇宙概念的爆发，关于vr概念的产品获得了市场极大的关注。而 vr显示技术需要高的像素密度(ppi)，这就给工艺带来极大的难度。在超高 ppi产品方面，ltpo在同ppi级别具有更大的开口率，更高的透过率和更低的功耗。ltpo技术综合了低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管高的电子迁移率和氧化物(oxide)薄膜晶体管低的漏电流的优势。但由于需要将两种半导体技术有机结合起来，源漏电极的过孔刻蚀工艺方面一般需要两道掩膜版刻蚀制成，分别针对ltps薄膜晶体管开孔和oxide薄膜晶体管开孔，由于后续的源漏极和半导体层的接触在两道掩膜版刻蚀后进行，这样对工艺间隔时间(q-time)的管控要求就更高，常因此会发生ltps薄膜晶体管的半导体层的poly-si氧化，导致接触电阻大而驱动能力差的问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板和显示装置。
2、第一方面，解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，其包括衬底基板和设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述显示基板还包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第二导电层；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；
3、所述第一有源层位于所述第一半导体层
4、所述第一栅极和遮光电极位于所述第一导电层；
5、所述第二有源层位于所述第二半导体层；所述第二有源层通过第一连接过孔与所述遮光电极电连接，且所述遮光电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
6、所述第一源极、所述第一漏极和所述第二源极位于所述第二导电层，且所述第一源极通过第二连接过孔与所述第一有源层的源极接触区电连接；所述第一漏极通过第三连接过孔与所述第一有源层的漏极接触区电连接；所述第二源极通过第四连接过孔与所述遮光电极电连接。
7、其中，显示基板还包括：
8、第三导电层，位于所述第二导电层和第二半导体层之间；所述第二栅极位于所述第三导电层；
9、第四导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板一侧；所述第二漏极位于所述第四导电层，且所述第二漏极通过第五连接过孔与所述第二有源层的漏极接触区电连接。
10、其中，所述遮光电极沿第一方向设置；所述遮光电极包括在第二方向上相对设置的第一侧边和第二侧边，且所述第一侧边相较于所述第二侧边更远离所述第二漏极；所述第一连接过孔与所述第一侧边的距离大于0.6μm；所述第四连接过孔与所述第一侧边的距离大于0.6μm；
11、所述第二栅极沿第一方向设置；所述遮光电极包括在第二方向上相对设置的第三侧边和第四侧边，且所述第三侧边相较于所述第四侧边更远离所述第二漏极；所述第四连接过孔与所述第三侧边的距离大于0.6μm。
12、其中，显示基板还包括：
13、第一栅极绝缘层，设置在所述第一半导体层和第一导电层之间；
14、第一层间绝缘层，设置在所述第一导电层和第二半导体层之间；
15、第二栅极绝缘层，设置在所述第二半导体层和第三导电层之间；
16、第二层间绝缘层，设置在第三导电层和所述第二导电层之间；
17、钝化层，设置在所述第二导电层和第四导电层之间；
18、所述第一连接过孔贯穿第一层间绝缘层；所述第二连接过孔和第三连接过孔贯穿第一栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；所述第四连接过孔贯穿第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；第五连接过孔贯穿所述钝化层、第二层间绝缘层和第二栅极绝缘层。
19、第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法，其包括在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；其中，所述显示基板还包括在所述衬底基板上依次形成的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第二导电层；
20、形成所述第一半导体层包括形成所述第一有源层；
21、形成所述第一导电层包括形成所述第一栅极和遮光电极；
22、形成所述第二半导体层包括形成所述第二有源层；所述第二有源层通过第一连接过孔与所述遮光电极电连接，且所述遮光电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
23、在所述第二导电层形成所述第一源极、所述第一漏极和所述第二源极，且所述第一源极通过第二连接过孔与所述第一有源层的源极接触区电连接；所述第一漏极通过第三连接过孔与所述第一有源层的漏极接触区电连接；所述第二源极通过第四连接过孔与所述遮光电极电连接。
24、其中，显示基板的制作方法还包括：
25、位于所述第一半导体层和第一导电层之间形成第一栅极绝缘层；
26、位于所述第一导电层和第二半导体层之间形成第一层间绝缘层；
27、位于所述第二半导体层背离所述衬底基板一侧形成第二栅极绝缘层；
28、位于所述第二栅极绝缘层背离所述衬底基板一侧形成第二层间绝缘层；
29、在形成所述第一层间绝缘层后，形成所述第一连接过孔；
30、在形成所述第二层间绝缘层后，形成所述第二连接过孔、第三连接过孔和第四连接过孔；
31、所述第一连接过孔贯穿第一层间绝缘层；所述第二连接过孔和第三连接过孔贯穿第一栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；所述第四连接过孔贯穿第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层。
32、第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板，其包括衬底基板和设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述显示基板还包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第三导电层；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；
33、所述第一有源层位于所述第一半导体层；
34、所述第一栅极和遮光电极位于所述第一导电层；
35、所述第二有源层位于所述第二半导体层；所述遮光电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
36、所述第一源极、所述第一漏极和所述第二栅极位于所述第三导电层，且所述第一源极通过第二连接过孔与所述第一有源层的源极接触区电连接；所述第一漏极通过第三连接过孔与所述第一有源层的漏极接触区电连接。
37、其中，显示基板还包括：
38、第二导电层，位本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其包括衬底基板和设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述显示基板还包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第二导电层；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光电极沿第一方向设置；所述遮光电极包括在第二方向上相对设置的第一侧边和第二侧边，且所述第一侧边相较于所述第二侧边更远离所述第二漏极；所述第一连接过孔与所述第一侧边的距离大于0.6μm；所述第四连接过孔与所述第一侧边的距离大于0.6μm；
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
5.一种显示基板的制备方法，其包括在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；其中，所述显示基板
6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：
7.一种显示基板，其包括衬底基板和设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述显示基板还包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第三导电层；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括：
10.一种显示基板的制备方法，其包括在衬底基板上的形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；其中，所述显示基板还包括在所述衬底基板上依次形成第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第三导电层；
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-5和权利要求7-9中任一所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其包括衬底基板和设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，所述显示基板还包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第二导电层；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光电极沿第一方向设置；所述遮光电极包括在第二方向上相对设置的第一侧边和第二侧边，且所述第一侧边相较于所述第二侧边更远离所述第二漏极；所述第一连接过孔与所述第一侧边的距离大于0.6μm；所述第四连接过孔与所述第一侧边的距离大于0.6μm；
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
5.一种显示基板的制备方法，其包括在衬底基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二有源层；其中，所述显示基板还包括在所述衬底基板上依次形成的第一半导体层、第一导电层、第二半导体层和第二导...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏海东，李峰，方业周，辛昊毅，姚磊，李凯，王成龙，朱晓刚，杨桦，钱晓婷，候林，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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