【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试，特别是一种高压封装极性测试电路及其测试方法。
技术介绍
1、芯片测试工序是指对芯片进行各种检测和测试，以确保其质量和性能。其脚位对称产品电参数测试前，有极性判断，分辨出产品的方向。分辨原理是：找出产品中，具有唯一等效pn结的脚位，加电压测试击穿。根据找出等效pn结的正反向击穿电压不同，给出不同的信号控制旋转机构，使产品全部以正确，统一的方向进到电参测试工位，避免反方向产品的进入，造成电参测试不良，从而保证测试良率。现市面上的一些产品芯片较特殊，芯片产品脚位两边对称，无法通过外形判断方向，现阶段常规极性判断，不能分辨出方向，其正反向击穿电压分别是10-40v和100多v。现少量的工程批产品只有通过多次返测，提高良率，但频繁返测，效率太低，且产品的引脚镀层会发黑，有损伤，产生废品报废，达不到良品率的要求，无法完成交付要求。
技术实现思路
1、鉴于上述现有的芯片测试中存在的问题，提出了本专利技术。
2、因此，本专利技术其中的一个目的是提供一种高压封装极性测试电路及其测试方法，其通过在测试电路中增加高压电路，能够防止特殊芯片产品在测试过程中的击穿，电压可上百伏至几百伏，可分出产品方向，可以适用于多种封装、不同脚位的对称产品，同时改善了在芯片测试中的测试判断、调整方法与对应的电路，提高了此测试电路的适应度和效率。
3、为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
4、一方面，本专利技术提供一种高压封装极性测试电路，包括测试电路，
5、所述高压电路包括电源u1、电源u2、电阻r7、电阻r8、电感l2和场效应晶体管q3，所述电源u1和电源u2串联，电源u2的正极接地，电源u1的负极连接开关s1的输出端，所述电阻r7串联电阻r8，且电阻r7的输入端连接开关s2的输出端，所述开关s1与开关s2的输入端组成极性判断探针，所述场效应晶体管q3的源极连接电感l2的输出端，场效应晶体管q3的栅极接地，且场效应晶体管q3的基极连接高压极性判断传感器的输入端vcca，所述电感l2的输入端连接所述高压极性判断传感器的输出端vccb，所述高压极性判断传感器的输出端vccb接入驱动稳定电路；
6、所述驱动稳定电路包括放大器a1、电阻r5和电阻r6，所述电阻r5和电阻r6串联，且电阻r5的输入端连接所述电源u1的负极，所述放大器a1的正极连接电阻r7的输出端，且放大器a1的负极连接电阻r5的输出端，所述放大器a1的输出端连接二极管d3的负极，所述二极管d3的正极连接二极管d4的负极，所述二极管d4的正极连接电阻r3的输出端，所述电阻r3和电阻r5的输入端并联至所述高压极性判断传感器的输出端vccb，且所述电阻r3的输入端连接场效应晶体管q2的源极，所述场效应晶体管q2的栅极连接电阻r2的输入端，所述电阻r2的输出端连接场效应晶体管q1的基极，所述场效应晶体管q1的栅极接地，且所述场效应晶体管q1的源极连接电感l1的输出端，所述电感l1的输入端连接场效应晶体管q2的源极；
7、所述输出电路包括二极管d1、二极管d2以及双开开关s3，所述二极管d1和二极管d2之间并联，且二极管d1的负极连接二极管d2的正极，二极管d2的负极以及二极管d1的正极均对应地连接双开开关s3的输入端，所述双开开关s3的输出端与所述二极管d1的负极连接外部的极性判断显示电路。
8、作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述电源u1和电源u2串联后的正反向击穿电压设为10-40v；或
9、大于100v。
10、作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述电感l2的输出端串连接电阻r4，所述电阻r4的输出端并连至所述场效应晶体管q3的基极。
11、作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述电阻r8的输出端接地，所述电阻r6的输出端接地。
12、作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述电阻r3的输出端接地，所述电阻r2的输出端串联连接电阻r1，所述电阻r1的输出端接地。
13、作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述场效应晶体管q2的源极串联连接电容c1并接地，所述高压极性判断传感器的输出端vccb串联连接电容c2并接地。
14、作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述电感l1和电感l2均设为铁芯电感。
15、作为本专利技术的一种优选方案，其中：还包括：
16、用于判断芯片脚位是正确或相反，生成不同信号的方向判断测试工位控制电路；
17、用于根据方向判定生成的相应的信号，正转或反转90度对芯片进行调节的旋转机构控制电路；以及
18、用于对调节后芯片进行电参数测试的电参数测试电路。
19、一方面，本专利技术提供一种高压封装极性测试电路的测试方法，包括：
20、步骤s101，设置待测试芯片，将待测试芯片设置在方向判断测试工位上；
21、步骤s102，测试待测试芯片的极性，通过与测试电路中高压电路的极性判断探针连接，判断芯片脚位是正确或相反，从而生成相应的调整信号；
22、步骤s103，测试芯片调整，旋转机构控制电路响应所述调整信号，控制旋转机构进行正转或反转90度的调节工作；
23、步骤s104，测试芯片电参数测试，完成测试芯片的调节工作后，将测试芯片换装到电参数测试电路上进行电参数测试；
24、步骤s105，记录结果并激光标识，电参数测试合格后，通过激光向芯片的外壳和脚位处进行标识印字并记录结果，进行下一待测试芯片的测试。
25、本专利技术的有益效果：本专利技术通过在测试电路中增加用于极性测试防高压击穿的高压电路，能够施加足够高的电压，防止特殊芯片产品在测试过程中的击穿电压，满足并适用于多种封装、不同脚位的对称产品，电压可上百伏至几百伏，同时控制好流过产品的电流，以免损伤产品；此外在测试电路的基础上改善了在芯片测试中的测试判断、调整方法，能够一体化地完成芯片测试的整套流程，满足绝大多数的需求，提高了此测试电路的适应度和检测效率。
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1.一种高压封装极性测试电路，其特征在于，包括测试电路（10），所述测试电路（10）包括用于极性测试防高压击穿的高压电路、用于极性判断的高压极性判断传感器、驱动稳定电路和用于极性判断信号输出的输出电路；
2.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电源U1和电源U2串联后的正反向击穿电压设为10-40V；或
3.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电感L2的输出端串连接电阻R4，所述电阻R4的输出端并连至所述场效应晶体管Q3的基极。
4.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电阻R8的输出端接地，所述电阻R6的输出端接地。
5.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电阻R3的输出端接地，所述电阻R2的输出端串联连接电阻R1，所述电阻R1的输出端接地。
6.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述场效应晶体管Q2的源极串联连接电容C1并接地，所述高压极性判断传感器的输出端VCCB串联连接电容C2并接地。
8.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，还包括：
9.一种应用于如权利要求8所述的一种高压封装极性测试电路的测试方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高压封装极性测试电路，其特征在于，包括测试电路（10），所述测试电路（10）包括用于极性测试防高压击穿的高压电路、用于极性判断的高压极性判断传感器、驱动稳定电路和用于极性判断信号输出的输出电路；
2.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电源u1和电源u2串联后的正反向击穿电压设为10-40v；或
3.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电感l2的输出端串连接电阻r4，所述电阻r4的输出端并连至所述场效应晶体管q3的基极。
4.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电阻r8的输出端接地，所述电阻r6的输出端接地。
...【专利技术属性】
技术研发人员：周祥兵，陈骏，高潮，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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