【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及荧光陶瓷，特别地是，红色荧光的荧光陶瓷、制备方法及使用方法。
技术介绍
1、激光照明是以半导体激光器为核心光源，采用激光激发荧光体或纯激光混光等技术，产生高亮白光的照明技术。利用蓝色激光激发黄色荧光体ce:yag合成白光的激光照明方式光源结构简单，成本较低，适合批量生产，是目前激光照明研究的主流技术方向。显色指数为光源显色性评价系数，是照明中三大重要指数之一。然而ce:yag荧光陶瓷与蓝光ld芯片组成的白光光谱中缺少红光成分，显色指数较低，极大地限制了其在高显色领域中的应用。目前yag基荧光陶瓷显色指数提升方式包括：涂覆红光荧光粉或荧光薄膜、样品发光光谱整体红移。
技术实现思路
1、本专利技术目的是解决现有技术中ce:yag荧光陶瓷与蓝光ld芯片组成的白光光谱中缺少红光成分的问题，而提供一种新型的红色荧光的荧光陶瓷、制备方法及使用方法。
2、为了实现这一目的，本专利技术的技术方案如下：红色荧光的荧光陶瓷是以luag作为基质材料，以mn4+离子作为发光离子。
3、作为红色荧光的荧光陶瓷的优选方案，所述mn4+离子的摩尔浓度范围在0＜y≤2at.%。
4、作为红色荧光的荧光陶瓷的优选方案，所述荧光陶瓷的分子式为mnx:lu3al5-xo12，其中，x的取值范围：0＜x≤0.1。
5、本专利技术还公开红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，用于制备所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，包括以下步骤并且依次执行：
6、步骤s1
7、步骤s2，将步骤s1的素坯放入真空钨丝烧结炉中真空烧结；
8、步骤s3，将步骤s2烧结后的素坯放入管式气氛炉中氧气热处理烧结；以及，
9、步骤s4，对素坯进行后处理，得到陶瓷成品。
10、作为红色荧光的荧光陶瓷的制备方法的优选方案，步骤s1中，称取mno2、lu2o3、al2o3，使得所述mn4+离子的摩尔浓度范围在0＜y≤2at.%。
11、作为红色荧光的荧光陶瓷的制备方法的优选方案，步骤s2中，真空度范围在10-3pa以下，加热温度范围在1500-1800℃，保温时间范围在5-20h。
12、作为红色荧光的荧光陶瓷的制备方法的优选方案，步骤s2中，经过真空烧结后的素坯的致密度≥85%。
13、作为红色荧光的荧光陶瓷的制备方法的优选方案，步骤s3中，氧气气氛下，加热温度范围在1350-1700℃，保温时间在10-30h。
14、作为红色荧光的荧光陶瓷的制备方法的优选方案，步骤s4中，后处理包括：抛光加工处理。
15、本专利技术公开红色荧光的荧光陶瓷的使用方法，包括：所述的荧光陶瓷在ld或led的出射光的的直接激发下获得红光区域宽峰发射；较佳地，出射光的波长范围在440-460nm。
16、与现有技术相比，本专利技术的有益效果至少在于：1.制备得到的荧光陶瓷具有高热导率及优异的机械性能，可直接利用现有高亮度投影仪中的蓝色激发光源，生成红色光源，解决高亮度激光照明及投影产品中红色荧光陶瓷的缺失问题；2.利用真空烧结加氧气氛热处理烧结两步法进行制备，实现高光学质量陶瓷制备的同时将mn元素的离子价态完全氧化调控至正四价，实现mn4+离子在455nm附近蓝光的激发下发射600-750nm红光；3.无需添加锰离子价态调控离子，减少荧光陶瓷缺陷中心数量，提升荧光陶瓷耐辐照性能及光学性能。
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1.红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷是以LuAG作为基质材料，以Mn4+离子作为发光离子。
2.根据权利要求1所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，所述Mn4+离子的摩尔浓度范围在0＜y≤2at.%。
3.根据权利要求1所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷的分子式为Mnx:Lu3Al5-xO12，其中，x的取值范围：0＜x≤0.1。
4.红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，用于制备权利要求1至3中任意一项所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，包括以下步骤并且依次执行：
5.根据权利要求4所述的红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中，称取MnO2、Lu2O3、Al2O3，使得所述Mn4+离子的摩尔浓度范围在0＜y≤2at.%。
6.根据权利要求4所述的红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，真空度范围在10-3Pa以下，加热温度范围在1500-1800℃，保温时间范围在5-20h。
7.根据权利要求4所述的红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S2中，经过
8.根据权利要求4所述的红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中，氧气气氛下，加热温度范围在1350-1700℃，保温时间在10-30h。
9.根据权利要求4所述的红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S4中，后处理包括：抛光加工处理。
10.红色荧光的荧光陶瓷的使用方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷是以luag作为基质材料，以mn4+离子作为发光离子。
2.根据权利要求1所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，所述mn4+离子的摩尔浓度范围在0＜y≤2at.%。
3.根据权利要求1所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷的分子式为mnx:lu3al5-xo12，其中，x的取值范围：0＜x≤0.1。
4.红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，用于制备权利要求1至3中任意一项所述的红色荧光的荧光陶瓷，其特征在于，包括以下步骤并且依次执行：
5.根据权利要求4所述的红色荧光的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤s1中，称取mno2、lu2o3、al2o3，使得所述mn4+离子的摩尔浓度范...
【专利技术属性】
技术研发人员：张攀德，王红，叶勇，李东升，曾庆兵，
申请(专利权)人：上海航空电器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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