【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种电源电路、电源电压的提供方法及存储器。
技术介绍
1、在芯片设计中，通常将电源电路的输出电压设置为恒定。在需要根据温度对电源进行控制的场合，单独设计检测电路进行检测，并根据检测结果输出控制信号。这种方式导致电路结构通常较为复杂，而且功耗较大。
2、在芯片体积减小需求日益增加的今天，简化芯片中的电路设计，成为本领域急需解决的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种电源电路、电源电压的提供方法及存储器，以随着温度动态调节生成的电压，从而减小电源电路的功耗。
2、本公开一实施例提供了一种电源电路，包括：温度感测模块，被配置为，基于参考信号生成正温度系数电压，正温度系数电压的电压值大小与温度的大小呈正相关；判断模块，连接温度感测模块，被配置为，基于温度参考电压和正温度系数电压的比较结果生成驱动信号，温度参考电压的电压值与预设温度下正温度系数电压的电压值相同；电源提供模块，连接判断模块和温度感测模块，被配置为，根据驱动信号判断，以提供第一内部电源电压或温控电压，温控电压的电压值与正温度系数电压的电压值相同。
3、另外，温度感测模块，包括：感测单元，被配置为，基于参考信号生成正温度系数电压；生成单元，连接判断模块和感测单元，基于驱动信号驱动，被配置为，基于正温度系数电压生成温控电压。
4、另外，正温度系数电压包括：第一正温度系数电压和第二正温度系数电压，第一正温度系数电压的电压值大于第二正温度系数电
5、另外，感测单元，包括：第一放大器，负相输入端用于接收参考信号；第一pmos管，栅极连接第一放大器的输出端，源极接收第二内部电源电压，漏极作为第一输出端输出第一正温度系数电压，第二内部电源电压的电压值大于第一内部电源电压的电压值；第一分压电阻，第一端连接第一输出端，第二端作为第二输出端输出第二正温度系数电压；第二分压电阻，第一端连接第二输出端，第二端连接第一放大器的正相输入端；温控子电路，连接于第二分压电阻的第二端和接地端之间，用于根据温度的变化调节流经温控子电路的电流大小。
6、另外，感测单元，还包括：第一开关晶体管，栅极用于接收使能信号，源极接收第二内部电源电压，漏极连接第一放大器的输出端；第二开关晶体管，栅极用于接收使能信号，串联于温控子电路和接地端之间。通过在感测单元的电路中涉及第一开关晶体管和第二开关晶体管，第一开关晶体管和第二开关晶体管基于使能信号驱动第一放大器，使得感测单元仅基于使能信号导通，实现了驱动温度感测模块的灵活性，节省能耗。
7、另外，温控子电路，包括：至少一个第二pmos管，每一第二pmos管的源极连接第二分压电阻的第二端，漏极与栅极短接，且耦接接地端。另外，温控子电路，还包括：每一第二pmos管与第二分压电阻的第二端之间设置有一选通电路；选通电路基于不同的选择信号导通。通过选通电路选择不同第二pmos管构成温控子电路，从而基于选择的第二pmos管的沟道宽长比调整温控子电路的输出电流随温度变化的程度。
8、另外，不同第二pmos管之间的沟道宽长比互不相同。
9、另外，判断模块，包括：比较器，一输入端用于接收温度参考电压，另一输入端用于接收正温度系数电压，输出端用于输出驱动信号。
10、另外，生成单元，包括：第二放大器，负相输入端用于接收正温度系数电压；第三pmos管，栅极连接第二放大器的输出端，源极接收第二内部电源电压，漏极连接的第二放大器的正相输入端；第三pmos管的漏极还连接负载电阻的第一端，用于输出温控电压；负载电阻的第二端连接接地端。
11、另外，生成单元，还包括：第三开关晶体管，栅极用于接收驱动信号，源极接收第二内部电源电压，漏极连接第二放大器的输出端；第四开关晶体管，串联于负载电阻的第二端和接地端，且栅极接收驱动信号。通过在生成单元的电路中涉及第三开关晶体管和第四开关晶体管，第三开关晶体管和第四开关晶体管基于驱动信号驱动第二放大器，使得生成单元仅基于驱动信号导通，实现了电源电路工作时序的稳定性。
12、另外，预设温度为50℃。
13、本公开另一实施例还提供了一种电源电压的提供方法，应用于上述实施例提供的电源电路，包括：获取正温度系数电压；基于正温度系数电压和温度参考电压的比较结果，判断提供电源电压的方式，温度参考电压的电压值与预设温度下正温度系数电压的电压值相同；其中，若正温度系数电压大于温度参考电压，则基于正温度系数电压生成温控电压，并基于温控电压提供电源电压，若正温度系数电压小于或等于温度参考电压，则基于第一内部电源电压提供电源电压。
14、另外，电源电压的提供方法还包括：基于正温度系数电压获取第一正温度系数电压和第二正温度系数电压；基于正温度系数电压和温度参考电压的比较结果，判断提供电源电压的方式，包括：基于第二正温度系数电压和温度参考电压的比较结果，判断提供电源电压的方式，温度参考电压的电压值与预设温度下第二正温度系数电压的电压值相同；其中，若第二正温度系数电压大于温度参考电压，则基于第一正温度系数电压生成温控电压，并基于温控电压提供电源电压，若第二正温度系数电压小于或等于温度参考电压，则基于第一内部电源电压提供电源电压。
15、本公开又一实施例还提供了一种存储器，包括上述实施例提供的电源电路。
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1.一种电源电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述温度感测模块，包括：
3.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的电源电路，其特征在于，所述感测单元，包括：
5.根据权利要求4所述的电源电路，其特征在于，所述感测单元，还包括：
6.根据权利要求4所述的电源电路，其特征在于，所述温控子电路，包括：
7.根据权利要求6所述的电源电路，其特征在于，所述温控子电路，还包括：
8.根据权利要求7所述的电源电路，其特征在于，不同所述第二PMOS管之间的沟道宽长比互不相同。
9.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述判断模块，包括：比较器，一输入端用于接收所述温度参考电压，另一输入端用于接收所述正温度系数电压，输出端用于输出所述驱动信号。
10.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，所述生成单元，包括：
11.根据权利要求10所述的电源电路，其特征在于，所述生成单元，还包括：
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13.一种电源电压的提供方法，应用于与权利要求1～12任一项所述的电源电路，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的电源电压的提供方法，其特征在于，还包括：
15.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1～12任一项所述的电源电路。
...【技术特征摘要】
1.一种电源电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述温度感测模块，包括：
3.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的电源电路，其特征在于，所述感测单元，包括：
5.根据权利要求4所述的电源电路，其特征在于，所述感测单元，还包括：
6.根据权利要求4所述的电源电路，其特征在于，所述温控子电路，包括：
7.根据权利要求6所述的电源电路，其特征在于，所述温控子电路，还包括：
8.根据权利要求7所述的电源电路，其特征在于，不同所述第二pmos管之间的沟道宽长比互不相同。
9.根据权利要求1所述的电源电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鑫鑫，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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