【技术实现步骤摘要】
本申请涉及通信，具体涉及一种天线组件及电子设备。
技术介绍
1、电子设备的天线组件中，天线组件的非工作频段，例如5g频段，若通过辐射体辐射出去，可能导致干扰其他5g天线的信道，对5g天线灵敏度造成影响。因此，如何减少天线组件的非工作频段的辐射，减少对其他同频或相邻频段天线的干扰，提高电子设备的整体天线性能，成为需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种能够减少天线组件的非工作频段的辐射，减少对其他同频或相邻频段天线的干扰的天线组件及具有该天线组件的电子设备。
2、第一方面，本申请提供的一种天线组件，包括：
3、辐射体，所述辐射体包括第一辐射段及第二辐射段，所述第一辐射段包括依次设置的第一端、馈电点及第二端，所述第二辐射段包括相背设置的第三端及第四端，所述第二端与所述第三端之间为耦合缝隙；
4、耦合体，所述耦合体的一端与所述第二端间隔设置且耦合，所述耦合体的另一端与所述第三端间隔设置且耦合，所述耦合体包括至少两个相对设置且电连接的第一导电段；及
5、馈源，所述馈源电连接所述馈电点，所述馈源用于激励所述辐射体上形成支持第一频段的第一谐振模式及支持第二频段的第二谐振模式，所述第一谐振模式的谐振电流从所述第一辐射段经所述耦合缝隙流向所述第二辐射段，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一辐射段经所述耦合体流向所述第二辐射段，所述第二谐振模式的谐振电流在两个相对设置的所述第一导电段上的方向相反，使所述第二谐振模式所支持的频段带宽小于或
6、第二方面，本申请提供的一种电子设备，所述电子设备包括所述的天线组件。
7、本申请提供的天线组件及电子设备，辐射体包括第一辐射段及第二辐射段，第一辐射段包括馈电点及第一端，第二辐射段包括第一端，第一端与第一端之间为耦合缝隙；耦合体的一端与第一端间隔设置且耦合，耦合体的另一端与第一端间隔设置且耦合，耦合体包括至少两个相对设置且电连接的第一导电段；馈源电连接馈电点，馈源用于激励辐射体上形成支持第一频段的第一谐振模式及支持第二频段的第二谐振模式，第一谐振模式的谐振电流从第一辐射段经耦合缝隙流向第二辐射段，第二谐振模式的谐振电流从第一辐射段经耦合体流向第二辐射段，第二谐振模式的谐振电流在两个相对设置且电连接的第一导电段上的方向相反，使第二谐振模式所支持的频段带宽小于或等于预设带宽，减少第二谐振模式的辐射效率，进而减少天线组件的非工作频段(第二频段)对其他天线的干扰。
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1.一种天线组件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述耦合缝隙在所述第一辐射体上的位置位于所述第一谐振模式的电流弱区且位于所述第二谐振模式的电流强区。
3.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第一辐射段的长度大于或等于所述辐射体的总长的2/3。
4.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式为所述辐射体上的基模，所述第二谐振模式为所述辐射体上的高次模。
5.如权利要求4所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式为所述第一频段的中心频点的1/4波长模式，所述第二谐振模式为所述第二频段的中心频点的3/4波长模式。
6.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述第一端为接地端；所述第四端为自由端。
7.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式的谐振电流从所述第一辐射段的第一端经所述耦合缝隙流向所述第二辐射段的第四端；
8.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述辐射体上的所述第一端与所述第四端之间的电长度为所述第一频段的中心频
9.如权利要求8所述的天线组件，其特征在于，所述第一端与所述第四端之间的距离对应的电长度大于所述第一频段的中心频点的1/4波长；
10.如权利要求9所述的天线组件，其特征在于，所述耦合缝隙为1-3mm，所述初始端点与所述第四端之间的距离为3-5mm。
11.如权利要求8所述的天线组件，其特征在于，所述第一端与所述第四端之间的距离对应的电长度小于所述第一频段的中心频点的1/4波长；
12.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述至少两个相对设置且电连接的第一导电段包括第一导电子段及第二导电子段，所述第一导电子段的延伸方向与所述第一辐射段的延伸方向垂直，所述第二导电子段的延伸方向与所述第二辐射段的延伸方向垂直，所述第一导电子段与所述第二导电子段之间通过连接段连接，所述第二谐振模式在所述第一导电子段上谐振电流与所述第二谐振模式在所述第二导电子段上谐振电流反向。
13.如权利要求12所述的天线组件，其特征在于，所述第一导电子段的长度为3-6mm，所述第二导电子段的长度为3-6mm。
14.如权利要求1-13任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件还包括馈线，所述馈线电连接所述馈电点与所述馈源之间；
15.如权利要求14所述的天线组件，其特征在于，所述陷波结构呈开口环结构，所述陷波结构的开口朝向背离所述馈线的一侧，所述陷波结构的电长度为所述第二频段的中心频点的1/4波长。
16.如权利要求15所述的天线组件，其特征在于，所述陷波结构包括依次连接的第一边、第二边、第三边及第四边，所述第一边与所述第一辐射段间隔且耦合，所述第二边与所述馈线间隔且耦合，所述第三边用于与参考地板间隔且耦合，所述第四边设有所述陷波结构的开口。
17.如权利要求1-13、15-16任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件还包括介质基板及参考地板，所述介质基板包括相背设置的第一面和第二面，所述辐射体、所述馈源设于所述第一面，所述参考地板设于所述第二面，述辐射体在所述第二面的正投影位于所述参考地板之外；
18.如权利要求17所述的天线组件，其特征在于，所述耦合体位于所述辐射体背离所述参考地板的一侧。
19.如权利要求1-13、15-16任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述辐射体为边框天线，所述耦合体位于所述边框天线的内侧。
20.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-19任意一项所述的天线组件。
...【技术特征摘要】
1.一种天线组件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述耦合缝隙在所述第一辐射体上的位置位于所述第一谐振模式的电流弱区且位于所述第二谐振模式的电流强区。
3.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第一辐射段的长度大于或等于所述辐射体的总长的2/3。
4.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式为所述辐射体上的基模，所述第二谐振模式为所述辐射体上的高次模。
5.如权利要求4所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式为所述第一频段的中心频点的1/4波长模式，所述第二谐振模式为所述第二频段的中心频点的3/4波长模式。
6.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述第一端为接地端；所述第四端为自由端。
7.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式的谐振电流从所述第一辐射段的第一端经所述耦合缝隙流向所述第二辐射段的第四端；
8.如权利要求6所述的天线组件，其特征在于，所述辐射体上的所述第一端与所述第四端之间的电长度为所述第一频段的中心频点的1/4波长。
9.如权利要求8所述的天线组件，其特征在于，所述第一端与所述第四端之间的距离对应的电长度大于所述第一频段的中心频点的1/4波长；
10.如权利要求9所述的天线组件，其特征在于，所述耦合缝隙为1-3mm，所述初始端点与所述第四端之间的距离为3-5mm。
11.如权利要求8所述的天线组件，其特征在于，所述第一端与所述第四端之间的距离对应的电长度小于所述第一频段的中心频点的1/4波长；
12.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述至少两个相对设置且电连接的第一导电段包括第一导电子段及第二导电子段，所述第一导电子段的延伸方向与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙孝，文明，周林，路宝，胡伟，姜文，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：
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