【技术实现步骤摘要】
本公开一般而言涉及电子系统和设备，并且更具体而言，涉及使用一个或多个晶体管的电子系统和设备。更准确地，本公开涉及一种用于使用有源和无源组件来控制晶体管的控制电路。
技术介绍
1、在允许保护电子元件免受电压峰影响的不同现有方法中，使用包括用于抑制瞬态电压的瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor，tvs)设备的控制电路是用于保护电子组件(尤其是晶体管)的广泛方法。
2、tvs设备的示例是用于抑制瞬态电压的二极管，也称为tvs二极管。它是以半导体材料制成的二极管，通过雪崩效应限制电压浪涌，以保护电子电路。
3、期望能够至少部分地改进已知晶体管控制电路的一些方面。
4、需要更高效的晶体管控制电路。
5、需要更高效的晶体管控制电路，并且包括用于抑制瞬态电压的二极管。
6、需要更高效的晶体管控制电路并且包括用于抑制瞬态电压的二极管和有源组件。
7、需要解决已知晶体管控制电路的全部或一些缺点。
技术实现思路
1、在一个实施例中，用于第一晶体管的控制电路包括：用于抑制瞬态电压的二极管，其阴极被配置为耦接到第一晶体管的第一传导端子，并且其阳极耦接到第一节点；第一电阻器，被配置为将第一节点耦接到第一晶体管的控制端子；第二晶体管，其控制端子耦接到第一节点，其第一传导端子被配置为接收第一供电电压，并且其第二传导端子被配置为耦接到第一晶体管的控制端子；其中供电电压小于20v。
2、根据一个实
3、根据一个实施例，第二晶体管是mos型晶体管。
4、根据一个实施例，第二晶体管是双极型晶体管。
5、根据一个实施例，用于抑制瞬态电压的二极管具有高于20v的击穿电压。
6、根据一个实施例，用于抑制瞬态电压的二极管具有大约580v的击穿电压。
7、根据一个实施例，第一电阻器具有大约10欧姆的电阻。
8、根据一个实施例，该电路还包括第二电阻器，其第一端子耦接到用于抑制瞬态电压的二极管的阳极，并且其第二端子耦接到第一节点。
9、根据一个实施例，该电路还包括第三电阻器，其第一端子耦接到第二晶体管的第一传导端子，并且其第二端子耦接到被配置为接收第一供电电压的第二节点。
10、根据一个实施例，该电路还包括电容器，其第一端子耦接到被配置为接收第一供电电压的第二节点，并且其第二端子耦接到被配置为接收参考电压的第三节点。
11、根据一个实施例，参考电压是地。
12、根据一个实施例，第一晶体管被配置为在其传导端子之间接收高于20v的电压。
13、根据一个实施例，第一晶体管是mos型晶体管。
14、根据一个实施例，第一晶体管是双极型晶体管。
15、根据一个实施例，第一晶体管是绝缘栅双极型晶体管。
16、另一个实施例提供了一种用于三相电动马达的供电电路，其包括至少第三晶体管和至少一个如前所述的控制电路。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种控制电路，用于控制第一晶体管，所述控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的电路，还包括驱动电路，该驱动电路由第二供电电压供电并生成施加到第一晶体管的控制端子的控制信号。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一供电电压小于所述第二供电电压。
4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一供电电压等于所述第二供电电压。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述整流二极管阻止控制信号被施加到第二晶体管。
6.根据权利要求1所述的电路，其中第二晶体管是MOS型晶体管。
7.根据权利要求1所述的电路，其中第二晶体管是双极型晶体管。
8.根据权利要求1所述的电路，其中被配置为抑制瞬态电压的二极管具有高于20V的击穿电压。
9.根据权利要求8所述的电路，其中瞬态电压抑制二极管具有580V左右的击穿电压。
10.根据权利要求1所述的电路，其中第一电阻器具有10欧姆左右的电阻。
11.根据权利要求1所述的电路，还包括第二电阻器，该第二电阻器具有耦接到瞬态电压抑制二极管的阳极
12.根据权利要求1所述的电路，还包括第三电阻器，该第三电阻器具有耦接到第二晶体管的第一传导端子的第一端子，以及耦接到被配置为接收第一供电电压的第二节点的第二端子。
13.根据权利要求1所述的电路，还包括电容器，该电容器具有耦接到被配置为接收第一供电电压的第二节点的第一端子，以及耦接到被配置为接收参考电压的第三节点的第二端子。
14.根据权利要求13所述的电路，其中参考电压是地。
15.根据权利要求1所述的电路，其中第一晶体管被配置为在第一晶体管的第一导电端子与第二导电端子之间接收高于20V的电压。
16.根据权利要求1所述的电路，其中第一晶体管是MOS型晶体管。
17.根据权利要求1所述的电路，其中第一晶体管是双极型晶体管。
18.根据权利要求1所述的电路，其中第一晶体管是绝缘栅双极型晶体管。
19.一种用于三相电动马达的供电电路，包括：
20.一种控制电路，用于控制具有第一传导端子、第二传导端子和控制端子的第一晶体管，所述控制电路包括：
...【技术特征摘要】
1.一种控制电路，用于控制第一晶体管，所述控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的电路，还包括驱动电路，该驱动电路由第二供电电压供电并生成施加到第一晶体管的控制端子的控制信号。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一供电电压小于所述第二供电电压。
4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一供电电压等于所述第二供电电压。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述整流二极管阻止控制信号被施加到第二晶体管。
6.根据权利要求1所述的电路，其中第二晶体管是mos型晶体管。
7.根据权利要求1所述的电路，其中第二晶体管是双极型晶体管。
8.根据权利要求1所述的电路，其中被配置为抑制瞬态电压的二极管具有高于20v的击穿电压。
9.根据权利要求8所述的电路，其中瞬态电压抑制二极管具有580v左右的击穿电压。
10.根据权利要求1所述的电路，其中第一电阻器具有10欧姆左右的电阻。
11.根据权利要求1所述的电路，还包括第二电阻器，该第二电阻器具有耦接到瞬态电压抑制二极管的阳极的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：JM·西莫内，F·吉东，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：发明
国别省市：
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