【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sic mofsfet模块，更具体地说，本专利技术涉及一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块。
技术介绍
1、随着电力电子技术在大功率变流技术、轨道交通领域的不断扩展，对变流器的效率和功率密度提出了更高的要求，相较于硅基材料igbt、mosfet器件材料的特性局限性，大功率sic mofet在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景，sic mosfet模块作为一种第三代半导体器件，目前由于其优异的特性被越来越多的客户所青睐。
2、目前国内sic mofet功率模块一直采用一种封装模式进行生产，采用铝丝键合工艺将裸片与dbc板焊接后，用绑定机打铝线，需要多次焊接，工艺复杂，设备投入大，并且铝丝本身过载能力差，影响产品品质。
3、为了解决上述问题，现提供一种技术方案。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供通过独特的结构设计，制作装配过程简单，并能实现批量化生产，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种sic mofsfet模块，包括：
4、基座、sic mofsfet晶圆、g极电极、s极电极、d极电极、铜连接片和壳体，所述sicmofsfet晶圆、g极电极、s极电极和d极电极均安装在基座上；
5、所述铜连接片两端分别锡焊焊接在sic mofsfet晶圆的g极和g极电极上。
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7、在一个优选的实施方式中，所述g极电极、s极电极和d极电极均安装在壳体上。
8、在一个优选的实施方式中，所述基座上开设有安装孔。
9、通过采用上述技术方案，方便对sic mofsfet模块进行安装处理。
10、本专利技术还提出了一种sic mosfet模块的封装方法，适用于上述任一所述的sicmosfet模块，包括如下步骤：
11、步骤s1：sic mofsfet晶圆的s极和g极通过铜过桥焊接的方式与电极连接；
12、步骤s2：通过特殊定位治具一次焊接完成。
13、在一个优选的实施方式中，所述sic mofsfet晶圆的g极和g极电极采用铜过桥焊接的方式来连接。
14、通过采用上述技术方案，采用铜过桥焊接的方式来实现，设备投入少，产品制作工序简单，成本低，品质可靠。
15、本专利技术的有益效果：
16、本专利技术提出的一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块，目前都采用绑定的方式，需要额外的设备投入和更多次的工艺流程才能实现，本专利技术采用铜过桥焊接的方式来实现，设备投入少，产品制作工序简单，成本低，品质可靠；
17、本专利技术提出的一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块，g极过桥采用特殊设计的铜连接片连接，便于定位焊接；
18、本专利技术提出的一种sic mosfet模块的封装方法及sic mofsfet模块，独特的结构设计，制作装配过程简单，并能实现批量化生产。
19、本专利技术采用铜过桥焊接的方式来实现，设备投入少，产品制作工序简单，成本低，品质可靠。
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1.一种SIC MOSFET模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种SIC MOSFET模块，其特征在于，所述壳体（7）固定安装在基座（1）上。
3.根据权利要求1所述的一种SIC MOSFET模块，其特征在于，所述G极电极（3）、S极电极（4）和D极电极（5）均安装在壳体（7）上。
4.根据权利要求1所述的一种SIC MOSFET模块，其特征在于，所述基座（1）上开设有安装孔。
5.一种SIC MOSFET模块的封装方法，适用于权利要求1-4任一所述的SIC MOSFET模块，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种SIC MOSFET模块的封装方法，其特征在于，所述SICMOFSFET晶圆（2）的G极和G极电极（3）采用铜过桥焊接的方式来连接。
【技术特征摘要】
1.一种sic mosfet模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种sic mosfet模块，其特征在于，所述壳体（7）固定安装在基座（1）上。
3.根据权利要求1所述的一种sic mosfet模块，其特征在于，所述g极电极（3）、s极电极（4）和d极电极（5）均安装在壳体（7）上。
4.根据权利要求1所述的一种sic m...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华军，罗文华，
申请(专利权)人：江苏晶佰源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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