【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆电镀，具体涉及一种晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法。
技术介绍
1、目前半导体电镀技术中，电镀均匀性是电镀工艺的关键，而电镀均匀性又会有很多因素的影响，例如电场，电场边缘效应差异化对于晶圆片均匀性具有重要影响。电镀过程中，电镀的均匀性首先应该保证工作离子输运电流的稳定和均匀。但对于具有平边的晶圆，平边和圆周造成了晶圆边缘的差异化，由此造成了电镀电场强度在晶圆圆周和平边区域的差异化。因此在通常情况下，晶圆平边的缺口附近有一个点的电镀厚度很高，导致整体电镀均匀性变差。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中具有缺口的晶圆电镀均匀性差的缺陷，提供一种晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法。
2、本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
3、一种晶圆缺口遮挡装置，其包括：
4、转子环，所述转子环套设于晶圆的外部的下方，所述转子环设置有多个南北极交错并沿所述晶圆的圆周均匀分布的设置于径向方位的永磁体，所述转子环设置有能够位于所述晶圆的缺口正下方的遮挡部；
5、电磁感应环，所述电磁感应环设置于所述转子环的外部，所述电磁感应环内设置有与所述永磁体对应的线圈组，所述电磁感应环用于驱动所述转子环悬浮且旋转；
6、第一定位传感器，所述第一定位传感器安装到晶圆电镀工艺腔外缘，所述第一定位传感器用于定位所述晶圆的缺口的零点位置；
7、第二定位传感器，
8、在本方案中，通过第一定位传感器，可以定位晶圆缺口的位置，保证晶圆的位置固定，电磁感应环可以驱动转子环旋转，进而带动位于转子环上的遮挡部旋转，遮挡部通过第二定位传感器，可以定位晶圆的缺口的位置，当确定晶圆缺口位置后，电磁感应环可以驱动转子环带动遮挡部随晶圆同步同速同方向旋转，遮挡部可以遮挡晶圆的缺口处的电场边缘效应，在电镀槽上，电镀液中阳离子均匀分布与电场分布变化有关，遮挡部的电场边缘效应差异的对冲，减少了电场强度在晶圆的缺口附近过高的影响，提高了电镀的均匀性。
9、较佳地，所述第一定位传感器包括接收部和发射部，所述接收部和所述发射部设置于所述零点位置。
10、在本方案中，通过接收部和发射部，当晶圆的缺口位于发射部和接收部之间时，接收部与发射部可以连通，此时会有一个信号上升沿或者下降沿的变化，通过此变化，便可以定位晶圆缺口的零点位置，进而保证晶圆的位置放置正确。
11、较佳地，所述第一定位传感器为光电式传感器，所述接收部为光接收管，所述发射部为光发射管。
12、在本方案中，采用光电式传感器，成本低，稳定性好。
13、较佳地，所述晶圆缺口遮挡装置还包括平衡部，所述平衡部与所述遮挡部对称设置于所述转子环的两端使转子环保持水平。
14、在本方案中，通过设置平衡部，可以平衡遮挡部的重量，使得转子环的旋转更为稳定。
15、较佳地，所述平衡部设置于所述转子环的内部。
16、在本方案中，平衡部设置于转子环的内部，在电镀过程中，不会遮挡晶圆的有效电镀面积。
17、较佳地，所述永磁体设置于所述转子环的内部，并且所述永磁体靠近所述转子环的外周部均匀分布并沿径向方向设置。
18、在本方案中，永磁体设置于转子环的内部，在电镀过程中，永磁体不会遮挡晶圆的有效电镀面积，并且永磁体靠近转子环的外周部，永磁体与电磁感应环的距离更近，因此，转子环的旋转稳定性更好。
19、较佳地，所述遮挡部位于所述晶圆的正下方3-5mm。
20、在本方案中，3-5mm的距离是要保证电镀液和其他没有遮挡部的地方一样有足够的流量，同时遮挡部不影响电镀头的旋转，不会发生干涉。
21、较佳地，所述遮挡部位于所述晶圆的正下方的部分与所述晶圆的缺口的大小相同。
22、在本方案中，遮挡部仅对晶圆缺口进行遮挡，不会对晶圆进行遮挡，因此，在电镀过程中，不会遮挡晶圆的有效电镀面积。
23、一种电镀装置，其包括如上所述的晶圆缺口遮挡装置。
24、在本方案中，电镀装置在对具有缺口的晶圆进行电镀时，通过晶圆缺口遮挡装置可以对晶圆的缺口进行遮挡，进而提高晶圆的电镀均匀性。
25、较佳地，所述第二定位传感器为霍尔效应传感器，所述遮挡部的内部设置有金属定位件。
26、在本方案中，金属定位件可以触发霍尔效应传感器，进而帮助遮挡部定位晶圆缺口的位置。
27、一种提高晶圆电镀均匀性的方法，其采用如上所述的晶圆缺口遮挡装置，所述方法包括：
28、s10、通过向电磁感应环通入电流驱动转子环带动遮挡部旋转；
29、s20、遮挡部通过第二定位传感器定位晶圆缺口的位置；
30、s30、基于晶圆缺口的位置，通过改变通入电磁感应环的电流以控制转子环带动所述遮挡部与所述晶圆同步同速同方向旋转。
31、在本方案中，电磁感应环可以驱动转子环带动遮挡部旋转，在定位到晶圆缺口的位置后，遮挡部可以随晶圆同步同速同方向旋转，在电镀过程中，遮挡部可以对晶圆的缺口进行遮挡，进而提高了晶圆的电镀均匀性。
32、本专利技术的积极进步效果在于：在本方案中，通过第一定位传感器，可以定位晶圆缺口的位置，保证晶圆的位置固定，电磁感应环可以驱动转子环旋转，进而带动位于转子环上的遮挡部旋转，遮挡部通过第二定位传感器，可以定位晶圆的缺口的位置，当确定晶圆缺口位置后，电磁感应环可以驱动转子环带动遮挡部随晶圆同步同速同方向旋转，遮挡部可以遮挡晶圆的缺口处的电场边缘效应，在电镀槽上，电镀液中阳离子均匀分布与电场分布变化有关，遮挡部的电场边缘效应差异的对冲，减少了电场强度在晶圆的缺口附近过高的影响，提高了电镀的均匀性。
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1.一种晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，其包括：
2.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述第一定位传感器包括接收部和发射部，所述接收部和所述发射部设置于所述零点位置。
3.如权利要求2所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述第一定位传感器为光电式传感器，所述接收部为光接收管，所述发射部为光发射管。
4.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述晶圆缺口遮挡装置还包括平衡部，所述平衡部与所述遮挡部对称设置于所述转子环的两端使转子环保持水平。
5.如权利要求4所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述平衡部设置于所述转子环的内部。
6.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述永磁体设置于所述转子环的内部，并且所述永磁体靠近所述转子环的外周部均匀分布并沿径向方向设置。
7.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述遮挡部位于所述晶圆的正下方3-5mm。
8.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述遮挡部位于所述晶圆的正下方的部分与所述晶圆的缺口的大
9.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述第二定位传感器为霍尔效应传感器，所述遮挡部的内部设置有金属定位件。
10.一种电镀装置，其特征在于，其包括如权利要求1-9任意一项所述的晶圆缺口遮挡装置。
11.一种提高晶圆电镀均匀性的方法，其特征在于，其采用如权利要求1-9任意一项所述的晶圆缺口遮挡装置，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，其包括：
2.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述第一定位传感器包括接收部和发射部，所述接收部和所述发射部设置于所述零点位置。
3.如权利要求2所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述第一定位传感器为光电式传感器，所述接收部为光接收管，所述发射部为光发射管。
4.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述晶圆缺口遮挡装置还包括平衡部，所述平衡部与所述遮挡部对称设置于所述转子环的两端使转子环保持水平。
5.如权利要求4所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述平衡部设置于所述转子环的内部。
6.如权利要求1所述的晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，所述永磁体设置于...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，
申请(专利权)人：新阳硅密上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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