【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可控硅触发导通检测领域，特别涉及一种可控硅触发电压检测电路及检测装置。
技术介绍
1、在大功率整流电源中，可控硅的可靠触发是保证整流电源稳定工作的关键。目前检测可控硅工作是否稳定的方法是通过检测可控硅输出电压或电流端波形的正确性，来确定可控硅是否被触发导通，由于可控硅使用环境常会出现低频强磁干扰，因此，上述检测方法需要配合复杂的滤波及分析电路或算法，可控硅触发导通检测过程复杂，此外，常规可控硅特性检测装置通过人为调整装置输出电压至可控硅门极，同时配合检查可控硅导通状况实现可控硅触发门槛电压检测。这种检测方式检测精度低，同时自动化程度也不高，无法提高可控硅检测效率。
技术实现思路
1、为了克服上述技术缺陷，本专利技术提供一种可控硅触发电压检测电路及检测装置，为了解决上述问题，本专利技术按以下技术方案予以实现的：
2、第一方面，提供一种可控硅触发电压检测电路，所述检测电路包括：
3、滤波电路模块，所述滤波电路模块与第一电源连接；
4、可控硅，所述可控硅与所述滤波电路模块连接；
5、分压电路模块，所述分压电路模块与所述可控硅连接；
6、单片机，所述单片机不同的引脚分别与所述滤波电路模块、可控硅和分压电路模块连接；
7、比较器电路模块，所述比较器电路模块包括由运算放大器，所述运算放大器的一引脚与所述可控硅连接，所述运算放大器的另一引脚与所述单片机连接；
8、其中，所述滤波电路模块输出的电压连接
9、结合第一方面，进一步地，所述滤波电路模块包括：
10、mos管、第一电阻、第一电容、第二电容、电感和二极管；
11、其中，所述mos管的栅极与第一电阻和单片机连接；所述mos管的源极与所述第一电源和所述第一电容的正极连接，所述mos管道漏极与所述电感的和所述二极管的负极连接；
12、所述第一电阻一端与所述mos管的栅极和单片机连接，所述第一电阻的另一端与所述mos管的源极、第一电源和第一电容的正极连接；
13、所述第一电容的正极与所述mos管的源极连接，第一电容的负极与所述二极管正极连接后接地；
14、所述二极管的正极接地，所述二极管的负极与所述mos管道漏极和电感连接；
15、所述电感的一端与所述二极管的阴极和所述mos管道漏极连接，所述电感的另一端与所述第二电容和可控硅连接；
16、所述第二电容的一端连接电感和第二电阻；所述第二电容的另一端与所述二极管的正极连接后接地。
17、结合第一方面，进一步地，所述滤波电路模块还包括：
18、第二电阻和第三电容；
19、所述第二电阻的一端与所述电感和第二电容连接，所述第二电阻的另一端与所述第三电容和可控硅的门极连接；
20、所述第三电容一端与所述第二电阻和可控硅的门极连接，所述第三电容的另一端与所述第二电容连接后接地。
21、结合第一方面，进一步地，所述可控硅的阳极与第二电源和比较器电路模块连接，所述可控硅的门极与滤波电路模块和分压电路模块连接；所述可控硅的阴极接地。
22、结合第一方面，进一步地，所述可控硅阳极与所述第二电源之间连接有第三电阻，所述第三电阻为可控硅导通限流电阻。
23、结合第一方面，进一步地，所述分压电路模块包括：
24、第四电阻、第五电阻和第四电容；
25、所述第四电阻的一端与所述可控硅的门极连接，所述第四电阻的另一端与所述第五电阻和单片机连接；
26、所述第五电阻的一端与所述第四电阻和单片机连接，所述第五电阻的另一端接地；
27、所述第四电容与所述第五电阻并联。
28、结合第一方面，进一步地，所述比较器电路模块包括：
29、第六电阻、第七电阻和第三电源；
30、所述运算放大器的2引脚与所述可控硅的阳极连接，所述运算放大器的3引脚与所述第六电阻和第七电阻连接，所述运算放大器的4引脚接地，所述运算放大器的6引脚与所述单片机连接，所述运算放大器的7引脚与第一电压端连接；
31、所述第六电阻一端与所述第三电源连接，所述第六电阻的另一端与所述第七电阻和运算放大器的3引脚连接；
32、所述第七电阻的一端与所述第六电阻和运算放大器的3引脚连接，所述第七电阻的另一端接地。
33、结合第一方面，进一步地，所述单片机为stm32单片机。
34、结合第一方面，进一步地，所述mos管的栅极与所述单片机的37引脚连接；
35、所述第四电阻与所述单片机的10引脚连接；
36、所述运算放大器的6引脚与所述单片机的33引脚连接。
37、结合第二方面，提供一种可控硅触发电压检测装置，所述可控硅触发电压检测装置包括上述任意一项所述的一种可控硅触发电压检测电路。
38、本专利技术所述一种可控硅触发电压检测电路及检测装置与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
39、一种可控硅触发电压检测电路，所述检测电路包括：滤波电路模块、可控硅、分压电路模块、单片机和比较器电路模块；所述滤波电路模块与第一电源连接；所述可控硅与所述滤波电路模块连接；所述分压电路模块与所述可控硅连接；所述单片机不同的引脚分别与所述滤波电路模块、可控硅和分压电路模块连接；所述比较器电路模块包括由运算放大器，所述运算放大器的一引脚与所述可控硅连接，所述运算放大器的另一引脚与所述单片机连接；
40、其中，所述滤波电路模块输出的电压连接至所述可控硅的门极，所述分压电路模块将可控硅门极电压分压后送至单片机进行采样转换，所述比较器电路模块用于判断可控硅当前状态。
41、本专利技术的可控硅触发电压检测电路采用直流斩波降压电路拓扑结构，通过stm32单片机控制占空比大小实现输出直流电压的连续可调，同时，配合lc滤波电路，使得输出至可控硅门极的直流电压纹波尽量小，达到精准检测可控硅触发门槛电压的目的。
42、当检测到可控硅导通时，单片机记录当前门极电压对应的采样电压值，通过记录的电压值与可控硅门极电压值比例关系即可换算出门极电压的实际值，最终实现可控硅门极触发门槛电压可靠自动检测。
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1.一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述检测电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述滤波电路模块(10)包括：
3.根据权利要求2所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述滤波电路模块(10)还包括：
4.根据权利要求2所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述分压电路模块(30)包括：
7.根据权利要求6所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述比较器电路模块(50)包括：
8.根据权利要求7所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于：
10.一种可控硅触发电压检测装置，其特征在于：所述可控硅触发电压检测装置包括权利要求1-9中任意一项所述的一种可控硅触发电压检测电路。
【技术特征摘要】
1.一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述检测电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述滤波电路模块(10)包括：
3.根据权利要求2所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于，所述滤波电路模块(10)还包括：
4.根据权利要求2所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的一种可控硅触发电压检测电路，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的一种可...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨兴富，孙新志，余耀，郭洪娜，丰显忠，李海燕，麦先春，
申请(专利权)人：四川大唐国际甘孜水电开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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