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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于射频集成电路设计,涉及一种宽带有源移相器电路。
技术介绍
1、近年来,相控阵雷达在军用和民用领域均得到了广泛地应用,移相器是相控阵雷达的核心部件,通过合适的信号控制,可以在输出端得到相位可调的信号。移相器的性能影响整个相控阵系统的性能,其中移相器的相位精度直接决定了天线波束指向角的精度,在通信系统中影响能量传输效率和空域滤波性能,而在目标跟踪雷达中则直接影响了目标识别的精度。现阶段,有源移相器凭借高增益、高精度和宽带宽的优点,在主流单片相控阵t/r芯片中得到了广泛应用。
2、随着硅基半导体工艺的不断进步,尤其是sige bicmos工艺的出现使射频微波频段设计电路有了更多的选择,sige工艺将传统cmos工艺低成本、高集成度的优势与sige工艺出色的射频性能相结合,使得基于sige工艺的移相器芯片具有体积小、成本低、可靠性高以及数字电路兼容性强的特点,促进了相控阵系统小型化和低成本化的发展,从而更广泛地应用于军用和民用领域。
3、目前射频频段的硅基有源移相器的工作带宽较窄、移相误差大、增益低,如何能扩展工作带宽、提高移相精度、减小器件损耗是当前移相器的设计难点和重点。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服上述缺陷,提供一种宽带有源移相器电路,解决了传统硅基有源移相器的工作带宽较窄、移相误差大、增益低的技术问题,本专利技术宽带有源移相器电路,具有移相精度高、工作频率宽、成本低、可靠性高的优势,能够提升相控阵雷达系统的性能并促进其小型化和低成
2、为实现上述专利技术目的,本专利技术提供如下技术方案:
3、一种宽带有源移相器电路,包括输入巴伦、正交信号发生器和矢量调制器;
4、输入巴伦用于接收外部输入的单端信号,将单端信号转化为差分信号,将差分信号输出至正交信号发生器;
5、正交信号发生器用于接收由输入巴伦输入的差分信号,利用差分信号产生相位相差90度的正交信号,将正交信号输出至矢量调制器;
6、矢量调制器接收由正交信号发生器输入的正交信号,对正交信号进行极性选择和增益控制,输出经过移相的差分射频信号。
7、进一步的,输入巴伦包括电容c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7以及互相耦合的电感l1、l2;
8、电容c1一端为单端信号rfin输入端,另一端与电容c4一端和电感l1一端相连;电容c4另一端和电感l1另一端接地;电感l2与电感l1耦合,电感l2一端连接电容c2一端和电容c6一端,电感l2另一端连接电容c3一端和电容c7一端,电感l2的中间抽头通过电容c5接地;电容c2另一端连接输出端v+,电容c3另一端连接输出端v-;电容c6另一端和电容c7另一端接地。
9、进一步的,正交信号发生器包括电感l3、l4,电容c8、c9和电阻r1、r2、r3、r4、r5、r6;
10、由输入巴伦的输出端v+输出的差分信号分为两路,一路经电容c8、电阻r1后从i+端输出,另一路经电感l3、电阻r3橘皮从q+端输出;由输入巴伦的输出端v-输出的差分信号分为两路,一路经电容c9、电阻r2后从i-端输出,另一路经电感l4、电阻r4后从q-端输出;电阻r5跨接在输出端i+和输出端q-之间,电阻r6跨接在输出端i-和输出端q+之间。
11、进一步的,矢量调制器电路包括i路vga阵列、q路vga阵列和输出级;
12、i路vga阵列和q路vga阵列均采用五个不同尺寸带电流舵的gilbert单元并联构成的结构;
13、单路vga阵列包括两组数字控制输入信号端、两路直流偏置输入信号端、两路射频差分信号输入端以及两路差分信号输出端;输出级包括npn三极管q1、q2,电感l5、l6、l7、l8,电阻r7、r8和电容c10、c11;
14、q1和q2的基极连接直流偏置信号vbias3,q1和q2的发射极分别连接两路vga阵列差分输出信号的正端和负端,q1的集电极连接l5的一端和r7的一端,l5的另一端与c10相连作为经过移相的差分射频信号的输出端,l5的另一端同时与l7相连后连接至电源电压vdd;q2的集电极连接l6的一端和r8的一端,l6的另一端与c11相连作为经过移相的差分射频信号的输出端,另一路与l8相连后连接至电源电压vdd,r6和r8另一端与电源电压vdd相连。
15、进一步的,单个vga阵列包括npn三极管q3、q4、q5、q6、q7、q8、q9、q10,反相器inv1,电容c12、c13,电阻r9、r10、r11、r12;
16、q3和q8的基极接控制信号,如图4所示,对于i路vga阵列和q路vga阵列,控制信号分别为vb1和vb2;q4和q7的基极均通过inv1接控制信号vb1,q3和q8的基极以及q4和q7的基极为第一组数字控制输入信号端;q6和q10的基极接控制信号vb3,为第二组数字控制输入信号端;
17、q3和q7的集电极为第一路差分信号输出端;q4和q8的集电极为第二路差分信号输出端;
18、q3和q4的发射极相连并连接到q5集电极和q6的发射极,q7和q8的发射极相连并连接到q9集电极和q10的发射极;
19、q5的基极一路通过c12连接正交信号发生器(200)的输出端i+和输出端q+,为第一路射频差分信号输入端,q5的基极另一路连电阻r9后接直流偏置信号vbias1;q9的基极一路通过c13连接正交信号发生器(200)的输出端i-和输出端q-,为第二路射频差分信号输入端,q9的基极另一路连电阻r11后接直流偏置信号vbias1;q5的基极另一路和q9的基极另一路为第一路直流偏置输入信号端;
20、q5和q9的发射极分别连电阻r10和r12后接地,q6和q10的集电极与直流偏置信号vbias2相连,为第二路直流偏置输入信号端。
21、进一步的,电感l1和l2采用两层电感线圈交叠的结构,内电感线圈和外电感线圈的匝数为1:1。
22、进一步的,l3和l4的感值为0.34~0.54nh(优选0.44nh),c8和c9的容值为250~286ff(优选268ff),r5和r6的阻值为90~110ω(优选100ω),r1、r2、r3和r4的阻值为27~34ω(优选31ω)。
23、进一步的,单个vga单元阵列包含的五组npn三极管的长度分别为6.6μm、3.4μm、1.8μm、1μm和0.6μm。每组npn三极管均包含q3、q4、q5、q6、q7、q8、q9、q10,每组npn三极管中各npn三极管的长度相等。
24、进一步的,npn三极管q3、q4和q5构成gilbert单元电路,q7、q8和q9构成gilbert单元电路;当vb1为高电平时,q3和q8导通,当vb1为低电平时,q4和q7导通,q3和q8导通和q4和q7导通时,输出的射频信号相位相反。
25、进一步的,电容c10、电感l5和电感l7构成t型负载;本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种宽带有源移相器电路,其特征在于,包括输入巴伦(100)、正交信号发生器(200)和矢量调制器(300);
2.根据权利要求1所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,输入巴伦(100)包括电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7以及互相耦合的电感L1、L2;
3.根据权利要求2所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,正交信号发生器(200)包括电感L3、L4,电容C8、C9和电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6;
4.根据权利要求3所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,矢量调制器(300)电路包括I路VGA阵列、Q路VGA阵列和输出级;
5.根据权利要求4所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,单个VGA阵列包括NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10,反相器INV1,电容C12、C13,电阻R9、R10、R11、R12;
6.根据权利要求2所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,电感L1和L2采用两层电感线圈交叠的结构,内电感线圈和外电感线圈的匝数为1:1。
7.
8.根据权利要求5所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,单个VGA单元阵列包含的五组NPN三极管的长度分别为6.6μm、3.4μm、1.8μm、1μm和0.6μm。
9.根据权利要求5所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,NPN三极管Q3、Q4和Q5构成Gilbert单元电路,Q7、Q8和Q9构成Gilbert单元电路;当VB1为高电平时,Q3和Q8导通,当VB1为低电平时,Q4和Q7导通,Q3和Q8导通和Q4和Q7导通时,输出的射频信号相位相反。
10.根据权利要求5所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,电容C10、电感L5和电感L7构成T型负载;
...【技术特征摘要】
1.一种宽带有源移相器电路,其特征在于,包括输入巴伦(100)、正交信号发生器(200)和矢量调制器(300);
2.根据权利要求1所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,输入巴伦(100)包括电容c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7以及互相耦合的电感l1、l2;
3.根据权利要求2所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,正交信号发生器(200)包括电感l3、l4,电容c8、c9和电阻r1、r2、r3、r4、r5、r6;
4.根据权利要求3所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,矢量调制器(300)电路包括i路vga阵列、q路vga阵列和输出级;
5.根据权利要求4所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,单个vga阵列包括npn三极管q3、q4、q5、q6、q7、q8、q9、q10,反相器inv1,电容c12、c13,电阻r9、r10、r11、r12;
6.根据权利要求2所述的一种宽带有源移相器电路,其特征在于,电感l1和l...
【专利技术属性】
技术研发人员:上官依平,权海洋,文武,张佃伟,杨立,程泽,石苑辰,张思佳,
申请(专利权)人:北京时代民芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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