【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电磁屏蔽膜，具体涉及一种高导热高频电磁屏蔽膜及其制造方法。
技术介绍
1、随着电子信息产业和新一代通信技术的快速发展，各类电子产品的应用日益广泛。在日常生活和工作中，各类电子产品会不断辐射大量不同波长和频率的电磁波，如不采取一定的防护措施，将产生大量负面影响，如电磁干扰、电磁环境污染、电磁信息泄露等问题。这些问题一方面容易影响仪器设备的正常工作，甚至可能引发设备失灵、爆炸等严重事故；另一方面极易对人体健康构成严重威胁。随着具有高频高速特点的5g技术普及，电子终端设备、通讯设备在享用高科技带来的轻薄化、高速化的同时，终端设备电磁辐射、发热等问题日趋突显，防止电磁干扰、降低电磁污染、导热散热的需求将日益凸显。电磁干扰带来的危害已经引起界各国政府和消费者的重视，因此高导热、高频电磁屏膜材料产业将迎来更大发展机遇。
2、以手机为例，其内部的导热散热材料工作原料，主要是利用其材料特性，填充手机零部件之间的空隙，降低热阻，来实现热量快速传输，从而起到散热的作用。手机内部的处理器、电池、屏幕等零部件在工作时会产生热量，温度每升高2℃，零部件的可靠性就会下降10%，而当温度达到50℃时，零部件的寿命只有25℃时的一半。如果是对体积没有特别要求的其他电子设备，还能通过外置散热风扇等进行散热，但是对于手机而言，日益薄化的设计，使得新型导热散热材料非常紧缺。
3、目前市面上量产的电磁膜，具备电磁防护功能，但对高频防护及导热功能性能较差，很难适应5g时代各智能终端对电磁屏蔽膜的更高需求，高导热性、高频段电磁屏蔽膜项
技术实现思路
1、本专利技术针对现有技术下的问题，第一方面，本专利技术提供了一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，包括：
2、步骤一：在基膜表面形成离型层从而形成载体膜，基膜采用聚酰亚胺、pps或聚脂薄膜，基膜厚度在15~100μm之间；
3、步骤二：在载体膜上均匀涂布低介电常数树高导热的高导热氮化物形成绝缘层；
4、步骤三：在绝缘层上进行导电化处理形成屏蔽层，屏蔽层厚度在1~5μm之间；
5、步骤四：在屏蔽层上涂布低介电常数高导热的高导热氮化物导电胶层；
6、步骤五：在高导热氮化物导电胶层上贴合保护离型层，保护离型层厚度在15~150μm之间。
7、进一步的，所述步骤一具体为：在基膜的表面形成离型层：选择合适的基膜，基膜采用聚酰亚胺、pps或聚脂薄膜，基膜厚度在15~100μm之间，在基膜表面均匀涂布1~3μm的无硅离型剂或硅油，经80℃~150℃烘烤固化后形成含有离型层的载体膜，形成第一半成品。
8、进一步的，所述步骤二具体为：在载体膜上均匀涂布低介电常数树高导热的高导热氮化物形成绝缘层，厚度在3~10μm之间，再经80℃~150℃烘烤固化后形成半固化绝缘层，最外层涂料中加入细小颗粒填料，粒径在1-5微米之间，最后形成第二半成品。
9、进一步的，所述步骤三具体为：绝缘层进行导电化处理，导电化处理分两步使屏蔽效能更高形成屏蔽层，形成第三半成品，第一步对绝缘层溅射导电金属，使绝缘层表面导电，为镀铜加厚做基础，采用镍打底铜铺面工艺，第二步采用粗糙铜工艺。
10、进一步的，所述步骤四具体为：屏蔽层上涂布采用导电化处理后的高导热氮化物导电粒子形成高导热氮化物导电胶层，高导热氮化物导电胶层厚度在3~10μm之间，再经80℃~150℃烘烤固化后形成半固化高导热氮化物导电胶层形成第四半成品。
11、进一步的，所述步骤五具体为：贴合保护膜层，采用冷压贴合及热贴合方式进行，保护膜采用聚脂薄膜、聚脂离型膜或硅胶保护膜，厚度在15~150μm之间。
12、第二方面，本专利技术还提供了一种高导热高频电磁屏蔽膜，采用如第一方面所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法制得，包括从上至下依次设置的载体膜、绝缘层、屏蔽层、高导热氮化物导电胶层和保护膜层。
13、与现有技术相比，本专利技术的优点和积极效果在于：
14、本专利技术所生成的高导热高频电磁屏蔽膜，主要是采用了导电化处理层提高屏蔽效能、高导热氮化物绝缘层、高导热氮化物导电胶层解决散热问题，绝缘层和胶层含高导热化氮化物，在fpc电磁屏蔽膜绑定时对比常规电磁屏蔽膜产品，本申请产品导热系数不低于20w/mk;适用于5g、5g+高频信号电磁屏蔽防护，适用于usb3.1通讯标准频率范围10gps(5ghz），屏蔽效能80db以上。为未来5g时代的信号稳定保驾护航。
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1.一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤一具体为：在基膜的表面形成离型层：选择合适的基膜，基膜采用聚酰亚胺、PPS或聚脂薄膜，基膜厚度在15~100μm之间，在基膜表面均匀涂布1~3μm的无硅离型剂或硅油，经80℃~150℃烘烤固化后形成含有离型层的载体膜，形成第一半成品。
3.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤二具体为：在载体膜上均匀涂布低介电常数树高导热的高导热氮化物形成绝缘层，厚度在3~10μm之间，再经80℃~150℃烘烤固化后形成半固化绝缘层，最外层涂料中加入细小颗粒填料，粒径在1-5微米之间，最后形成第二半成品。
4.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤三具体为：绝缘层进行导电化处理，导电化处理分两步使屏蔽效能更高形成屏蔽层，形成第三半成品，第一步对绝缘层溅射导电金属，使绝缘层表面导电，为镀铜加厚做基础，采用镍打底铜铺面工艺，第二步采用粗糙铜工艺。>
5.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤四具体为：屏蔽层上涂布采用导电化处理后的高导热氮化物导电粒子形成高导热氮化物导电胶层，高导热氮化物导电胶层厚度在3~10μm之间，再经80℃~150℃烘烤固化后形成半固化高导热氮化物导电胶层形成第四半成品。
6.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤五具体为：贴合保护膜层，采用冷压贴合及热贴合方式进行，保护膜采用聚脂薄膜、聚脂离型膜或硅胶保护膜，厚度在15~150μm之间。
7.一种高导热高频电磁屏蔽膜，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法制得，包括从上至下依次设置的载体膜、绝缘层、屏蔽层、高导热氮化物导电胶层和保护膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤一具体为：在基膜的表面形成离型层：选择合适的基膜，基膜采用聚酰亚胺、pps或聚脂薄膜，基膜厚度在15~100μm之间，在基膜表面均匀涂布1~3μm的无硅离型剂或硅油，经80℃~150℃烘烤固化后形成含有离型层的载体膜，形成第一半成品。
3.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤二具体为：在载体膜上均匀涂布低介电常数树高导热的高导热氮化物形成绝缘层，厚度在3~10μm之间，再经80℃~150℃烘烤固化后形成半固化绝缘层，最外层涂料中加入细小颗粒填料，粒径在1-5微米之间，最后形成第二半成品。
4.根据权利要求1所述的一种高导热高频电磁屏蔽膜的制造方法，其特征在于，所述步骤三具体为：绝缘层进行导电化处理，导电化处理分两步使屏蔽效能更高形成屏...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨伟民，张子栋，曾庆熙，梁帮乾，李强，李珍，
申请(专利权)人：山东劲拓新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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