【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高压调控功能材料光电性质，尤其涉及一种压力提高硒化锡半导体基于其体光伏效应的自驱动光电探测性能的方法。
技术介绍
1、光电效应作为光电子工业的核心理论，广泛应用于军事检测、航空航天和生产生活领域。传统的光伏效应通过p型半导体与n型半导体临接形成pn结，通过光诱导电子-空穴对的产生及分离产生电流。通过不断的研究完善，此种异质结产生的光伏效应，其效率已大幅提高，接近理论极限。所以，探索新的途径来增强光伏效应对进一步提高光电转换效率是至关重要的。
2、体光伏效应(bpve)指的是：当匀强光照射在材料表面，在材料表面产生沿某一方向的电场的效应。bpve仅发生在某些具有反转对称性破缺的晶体中，特点是不需要pn结即可实现光电转换，因此有望通过bpve实现光电转换效率的突破。但现有研究中涉及的bpve光电转换效率很低，主要由于产生的内建电场往往较小，若材料本身电阻较大则难以产生可观的光电流。故：具有更小尺寸，更小带隙的半导体被认为是高效的，寻找这种半导体材料是目前bpve研究的主要方向。
3、高压作为一种重要的外部刺激，是改变材料结构和载流子特性的有力手段，高压下材料的带隙往往会变窄，电阻减小，这使通过高压手段实现光电子功能材料的bpve响应增强成为可能。目前，虽然高压已被证明是调节材料光电性质的有力手段，但高压对材料的bpve响应调控还未有研究。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种压力提高硒化锡半导体基于其体光伏效应的自驱动光电探测性能的方法，
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种压力提高硒化锡半导体基于其体光伏效应的自驱动光电探测性能的方法，包括以下步骤：
4、利用金刚石对顶砧压机对金属垫片进行预压后，在得到的压痕中心进行打孔处理，得到带有样品腔的金属垫片；
5、在所述带有样品腔的金属垫片的样品腔表面制备氮化硼和环氧树脂混合物涂层，在所述带有样品腔的的金属垫片的非样品腔区域的表面制备电绝缘层后，在样品腔中添加硒化锡样品后，放置两条铂片，以所述两条铂片作为电极连接光电流测试系统后，用金刚石对顶砧对硒化锡样品进行加压，记录硒化锡样品对脉冲氙灯光源照射的光响应；
6、所述两条铂片相互不交叉。
7、优选的，所述预压后得到的压痕中心的厚度为40μm。
8、优选的，所述预压的压力为18～22gpa。
9、优选的，所述打孔处理得到的样品腔的直径为240μm，厚度为40μm。
10、优选的，制备所述电绝缘层的材料为双组份环氧粘结剂emt。
11、优选的，所述光电测试系统包括吉时利2461数字源表。
12、优选的，所述脉冲氙灯光源的频率为0.01hz，照射到所述硒化锡样品的有效光功率密度为2.7mw/cm2。
13、优选的，所述加压的初始压力点为0gpa，加压梯度为1～3gpa，终止压力点为20.19gpa。
14、本专利技术提供了一种压力提高硒化锡半导体基于其体光伏效应的自驱动光电探测性能的方法，包括以下步骤：对金属垫片进行预压后，在得到的压痕中心进行打孔处理，得到带有样品腔的金属垫片；在所述带有样品腔的金属垫片的样品腔表面制备氮化硼层，在所述带有样品腔的金属垫片的非样品腔区域的表面制备电绝缘层后，在样品腔中添加硒化锡样品后，放置两条铂片，以所述两条铂片作为电极连接光电流测试系统后，用金刚石对顶砧对硒化锡样品进行加压，记录硒化锡样品对脉冲氙灯光源照射的光响应；所述两条铂片相互不交叉。本专利技术采用高压光电实验技术能够改变半导体snse的载流子的分离和传输以及晶体结构，从而调节其bpve响应情况。无需引入掺杂，也无需调节材料尺度，方法简单高效，能推广到更多具有反转对称性破缺的光电半导体基于bpve的自驱动光电探测性能的调控。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种压力调控硒化锡半导体体光伏效应自驱动光电探测性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预压后得到的压痕中心的厚度为40μm。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预压的压力为18～22GPa。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述打孔处理得到的样品腔的直径为240μm，厚度为40μm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制备所述电绝缘层的材料为双组份环氧粘结剂EMT。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光电测试系统包括吉时利2461数字源表。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氙灯光源的频率为0.01Hz，照射到所述硒化锡样品的有效光功率密度为2.7mW/cm2。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加压的初始压力点为0GPa，加压梯度为1～3GPa，终止压力点为20.19GPa。
【技术特征摘要】
1.一种压力调控硒化锡半导体体光伏效应自驱动光电探测性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预压后得到的压痕中心的厚度为40μm。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预压的压力为18～22gpa。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述打孔处理得到的样品腔的直径为240μm，厚度为40μm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。