【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质。
技术介绍
1、作为半导体装置的制造工序的一工序，例如有使用加热装置对处理室内的基板进行加热，使在基板的表面成膜的薄膜中的组成、晶体结构变化的退火处理(例如，专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献1：日本特开2015-70045号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在退火处理中，有时无法均匀地加热基板，无法进行对象膜的均匀的处理。
3、本公开提供一种能够进行均匀的基板处理的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；电磁波产生器，其向所述处理室内供给电磁波；气体供给部，其调整供给冷却气体的方向而向所述基板供给所述冷却气体。
6、专利技术效果
7、根据本公开，能够进行均匀的基板处理。
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
16.根据权利要求12所
17.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
18.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
20.一种记录有程序的计算机可读取的记录介质，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要...
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