【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种紫外led外延片及其制备方法、led芯片。
技术介绍
1、紫外led(uv led)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面。
2、与gan基蓝光led相比，紫外led的研制面临着许多独特的技术困难，如：高al组分algan的材料的外延生长困难，一般而言，al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109～1010/cm2乃至更高；algan材料的掺杂与gan相比要困难得多，不论n型掺杂还是p型掺杂，随着al组分的增加，外延层的电导率迅速降低，尤其是p-algan的掺杂尤为棘手，掺杂剂mg的激活效率低下，导致空穴不足，导电性和发光效率锐降，等等。
3、由于上述情况的存在，目前的紫外led外延片的内量子效率并不高，现有技术中，为了提高紫外led外延片的发光复合效率，通常的方法是提高电子阻挡层的势垒和厚度，增强对电子的限制能力，但这样会使空穴的注入困难，同时电压会增大。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种紫外led外延片及其制备方法、led芯片，旨在提高发光复合效率的同时，降低工作电压。
2、根据本专利技术实施例当中的一种紫外led外延片制备方法，该方法包括提供一半成品紫外led外延片；
3、在所述半成品紫外led外延片上沉积p型半导体层，所述p型半导体层包括依次层叠的通过二维模式生长的p型algan层和p型gan层，其中，生长所述p型algan层的
4、其中，在生长所述p型gan层前，由生长所述p型algan层的第一温度降低至第二温度，由生长所述p型algan层的第一压力降低至第二压力，并通入刻蚀气体对生长完成的p型algan层进行刻蚀。
5、进一步的，生长所述p型algan层的压力为100mbar～200mbar，生长所述p型gan层的压力为200mbar～250mbar。
6、进一步的，生长所述p型algan层的温度为1050℃～1200℃，生长所述p型gan层的温度为850℃～870℃。
7、进一步的，所述第一温度与所述第一温度的差值为100℃～200℃，所述第二压力为所述第一压力的一半。
8、进一步的，生长所述algan层的nh3气氛的通入量为5l～20l，生长所述gan层的nh3气氛的通入量为32l～34l。
9、进一步的，所述在生长所述p型gan层前，由生长所述p型algan层的第一温度降低至第二温度，由生长所述p型algan层的第一压力降低至第二压力，并通入刻蚀气体对生长完成的p型algan层进行刻蚀的步骤包括：
10、通入cl2，关闭nh3和h2，对生长完成的p型algan层进行刻蚀，刻蚀完毕后，通入n2吹扫，其中，刻蚀时间为1min～3min，通入n2吹扫4min～6min。
11、进一步的，所述半成品紫外led外延片的制备步骤包括：
12、提供一衬底；
13、在所述衬底上沿外延生长方向依次沉积aln层、algan过渡层、n型半导体层、有源层、ebl电子阻挡层。
14、根据本专利技术实施例当中的一种紫外led外延片，所述紫外led外延片根据上述紫外led外延片制备方法制备得到，包括依次层叠的半成品紫外led外延片及p型半导体层；
15、所述p型半导体层包括依次层叠的p型algan层和p型gan层，其中，所述p型gan层沉积于采用刻蚀气体对生长完成的p型algan层进行刻蚀的刻蚀表面上。
16、进一步的，所述p型algan层的厚度为50nm～100nm，所述p型gan层的厚度为20nm～50nm。根据本专利技术实施例当中的一种led芯片，包括上述的紫外led外延片。
17、本专利技术实施例提供的一种紫外led外延片及制备方法、led芯片，该方法包括提供一半成品紫外led外延片，并在半成品紫外led外延片上沉积p型半导体层，p型半导体层包括依次层叠的通过二维模式生长的p型algan层和p型gan层，其中，生长p型algan层的温度高于生长p型gan层的温度，生长p型algan层的压力低于生长p型gan层的压力，生长p型algan层的nh3气氛浓度低于生长p型gan层的nh3气氛浓度，在生长p型gan层前，由生长p型algan层的第一温度降低至第二温度，由生长p型algan层的第一压力降低至第二压力，并通入刻蚀气体对生长完成的algan层进行刻蚀，具体的，由于生长二维模式的p型algan层同时加上刻蚀作用，可以减少测光的吸收，提高光的取出效率，另外，p型algan层经过刻蚀的部分可以作为扩展层，提高空穴的注入效率，而通过二维模式生长的p型gan层，可以提供较高的空穴浓度，提高发光复合效率，并起到更好的金半欧姆接触，从而降低接触端的势垒，降低工作电压。
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1.一种紫外LED外延片制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，生长所述P型AlGaN层的压力为100mbar～200mbar，生长所述P型GaN层的压力为200mbar～250mbar。
3.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，生长所述P型AlGaN层的温度为1050℃～1200℃，生长所述P型GaN层的温度为850℃～870℃。
4.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，所述第一温度与所述第一温度的差值为100℃～200℃，所述第二压力为所述第一压力的一半。
5.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，生长所述AlGaN层的NH3气氛的通入量为5L～20L，生长所述GaN层的NH3气氛的通入量为32L～34L。
6.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，所述在生长所述P型GaN层前，由生长所述P型AlGaN层的第一温度降低至第二温度，由生长所述P型AlGaN层的第一压力降低至第二压力，并通入刻
7.根据权利要求1-6任一项所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，所述半成品紫外LED外延片的制备步骤包括：
8.一种紫外LED外延片，其特征在于，所述紫外LED外延片根据权利要求1-7任一项所述紫外LED外延片制备方法制备得到，包括依次层叠的半成品紫外LED外延片及P型半导体层；
9.根据权利要求8所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述P型AlGaN层的厚度为50nm～100nm，所述P型GaN层的厚度为20nm～50nm。
10.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求8至9中任一项所述的紫外LED外延片。
...【技术特征摘要】
1.一种紫外led外延片制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，生长所述p型algan层的压力为100mbar～200mbar，生长所述p型gan层的压力为200mbar～250mbar。
3.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，生长所述p型algan层的温度为1050℃～1200℃，生长所述p型gan层的温度为850℃～870℃。
4.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，所述第一温度与所述第一温度的差值为100℃～200℃，所述第二压力为所述第一压力的一半。
5.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，生长所述algan层的nh3气氛的通入量为5l～20l，生长所述gan层的nh3气氛的通入量为32l～34l。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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