【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法。
技术介绍
1、半导体碳化硅(sic)是制备高性能功率器件的理想材料，在新能源汽车、智能电网、轨道交通等工业领域均具有重要的研究价值。碳化硅功率器件的质量首先取决于碳化硅材料本身的质量，因此研究碳化硅的物理性质、掺杂浓度和缺陷表征是碳化硅材料发展的基础，而碳化硅缺陷结构的表征识别则是其中的一项重要课题。
2、目前熔融碱腐蚀是碳化硅位错表征的重要手段，但单组分熔融氢氧化钾对于重掺杂n型碳化硅晶片的腐蚀效果并不明显，无法直接通过腐蚀坑的大小和形状区分螺型位错(tsd)和刃型位错(ted)，而且腐蚀坑的位错密度远低于实际位错密度。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述技术问题，提供一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，包括：
2、提供重掺杂n型碳化硅晶片、坩埚，所述坩埚内具有强碱固体；
3、对所述坩埚加热，使得所述强碱固体熔化至熔融状态；
4、将氧化剂溶于熔融状态的强碱后，形成腐蚀剂；
5、腐蚀所述重掺杂n型碳化硅晶片，其中，将所述重掺杂n型碳化硅晶片的一部分浸入所述腐蚀剂，另一部分暴露于所述腐蚀剂表面，对暴露于所述腐蚀剂表面的所述重掺杂n型碳化硅晶片施加恒定的电压，使得所述重掺杂n型碳化硅晶片浸入所述腐蚀剂的部分被腐蚀；
6、将腐蚀后的所述重掺杂n型碳化硅晶片进行检测，获得腐蚀后的所述重掺杂n型碳化硅晶片的形貌。
7、可选的，所述强碱固体为氢
8、可选的，所述氧化剂为过氧化钠。
9、可选的，所述强碱固体和氧化剂的质量的比值范围为50：3～80：3。
10、可选的，所述坩埚为镍坩埚。
11、可选的，腐蚀所述重掺杂n型碳化硅晶片的时间根据腐蚀剂的成分、腐蚀的温度、施加电压的大小决定。
12、可选的，腐蚀所述重掺杂n型碳化硅晶片的时间范围为5min～10min。
13、可选的，对所述重掺杂n型碳化硅晶片施加恒定的电压为正电压。
14、可选的，施加恒定的电压的范围为3v～5v。
15、可选的，所述重掺杂n型碳化硅晶片的电阻率为15mω*cm以下。
16、综上所述，本专利技术的优点及有益效果为：
17、本专利技术提供一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法。包括将强碱固体熔化后，在熔融的强碱中加入适量氧化剂，氧化剂溶于熔融状态的强碱后，形成的氧化剂与强碱的混合物作为腐蚀剂，将重掺杂n型碳化硅晶片的一部分浸入所述腐蚀剂中，同时在所述重掺杂n型碳化硅晶片暴露在所述腐蚀剂外的一部分施加正的偏置电压，对所述重掺杂n型碳化硅晶片进行腐蚀。
18、一方面，通过在强碱中加入氧化剂，提高腐蚀剂中的氧含量，进而促进氧化过程，即促进重掺杂n型碳化硅晶片各向异性的化学腐蚀过程；另一方面，在对所述重掺杂n型碳化硅晶片施加正电压，抑制所述重掺杂n型碳化硅晶片表面各项同性的电化学腐蚀过程。氧化剂和偏置电压的结合对位错特征显示效果显著，可以清晰区分所述重掺杂n型碳化硅晶片的不同位错类型腐蚀效果。
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1.一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述强碱固体为氢氧化钾固体或者氢氧化钠固体其中的一种。
3.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述氧化剂为过氧化钠。
4.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述强碱固体和氧化剂的质量的比值范围为50：3～80：3。
5.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述坩埚为镍坩埚。
6.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，腐蚀所述重掺杂n型碳化硅晶片的时间根据腐蚀剂的成分、腐蚀的温度、施加电压的大小决定。
7.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，腐蚀所述重掺杂n型碳化硅晶片的时间范围为5min～10min。
8.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，对所述重掺杂n型碳化硅晶片施加恒定的电压为正电压。
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10.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述重掺杂n型碳化硅晶片的电阻率为15mΩ*cm以下。
...【技术特征摘要】
1.一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述强碱固体为氢氧化钾固体或者氢氧化钠固体其中的一种。
3.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述氧化剂为过氧化钠。
4.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述强碱固体和氧化剂的质量的比值范围为50：3～80：3。
5.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于，所述坩埚为镍坩埚。
6.如权利要求1所述的一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐嶺茂，孔亚非，皮孝东，王蓉，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：
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