【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体测试，特别涉及一种dut可寻址外围测试电路。
技术介绍
1、随着cmos技术的快速发展，器件的随机变化得到了广泛的关注。由于掺杂剂的随机波动、金属栅极粒度和刻线边缘粗糙度，器件的随机变化严重损害了电路的稳定性。为了准确地评估变异统计，特别是在sigma水平，迫切需要高密度器件测试结构。
2、传统上，设备测试结构被连接到单独的pad上。通过使用探头和测试仪器，可以手动表征设备的性能。然而，如果在大样本量下测试设备的变化，则需要大面积的测试结构开销，因为pad消耗大量的面积，通常为50μm(每个pad 50μm)。此外，大样本量测试的时间成本也是不可接受的。
技术实现思路
1、本专利技术实施例之一，一种dut阵列可寻址外围测试电路，该测试电路包括地址转换电路，以及与所述地址转换电路连接的开关电路。
2、所述地址转换电路用以将外部输入的地址转换为漏极地址和栅极地址，所述开关电路的行输出电连接(并且以信号电平电控制)dut阵列的漏极，所述开关电路的列输出电连接(并且以信号电平电控制)dut阵列的栅极，所述开关电路与所述dut阵列的漏极采用开尔文连接。
3、所述测试电路的电流测量点so与源极测量点共用同一个pad，且单独接地。
【技术保护点】
1.一种DUT阵列可寻址外围测试电路，其特征在于，该测试电路包括地址转换电路，以及与所述地址转换电路连接的开关电路，
2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，电流测量点SO与源极测量点共用同一个PAD，且单独接地。
3.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述开关电路的行、列输出通过地址缓冲器接入所述DUT阵列。
4.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述地址转换电路电控制地址寄存电路。
5.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括一感知电路，该感知电路通过一个开关阵列电控制所述DUT阵列的漏极。
6.根据权利要求5所述的测试电路，其特征在于，所述感知电路包括一隔离电路阵列，电控制所述DUT阵列的漏极。
7.根据权利要求6所述的测试电路，其特征在于，所述隔离电路包括闭时复位传输门单元，该单元由一个传输门电路和一个NMOS晶体管组成。
8.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，该测试电路位于晶圆切割道。
9.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种dut阵列可寻址外围测试电路，其特征在于，该测试电路包括地址转换电路，以及与所述地址转换电路连接的开关电路，
2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，电流测量点so与源极测量点共用同一个pad，且单独接地。
3.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述开关电路的行、列输出通过地址缓冲器接入所述dut阵列。
4.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述地址转换电路电控制地址寄存电路。
5.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试...
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