【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法。
技术介绍
1、在晶圆的生产工艺中，电镀凸块后需要用药液对晶圆表面的金属层进行蚀刻，然而，过量蚀刻会严重影响产品的可靠性，因此，金属层蚀刻工艺对于药液的均匀性和蚀刻速率的要求较高。
2、现有技术中，常采用制作具有金属层开窗的测机片来量测金属层的厚度，并以此测试蚀刻速率和均匀性，但是，制作测机片的流程复杂，且每测试一种晶圆金属层的蚀刻速率和均匀性都需要制作新的测机片，测量效率慢、生产成本高。
技术实现思路
1、本申请主要解决的技术问题是提供一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，能够提高测量效率，降低生产成本。
2、为解决上述技术问题，本申请提供一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，包括：测量晶圆上金属层的第一金属层电阻；在预设时间间隔内蚀刻所述金属层，测量蚀刻后所述金属层的第二金属层电阻；基于所述第一金属层电阻、所述第二金属层电阻以及所述预设时间间隔，得到所述金属层的蚀刻速率。
3、其中，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻之前，还包括：在所述金属层上选取多个量测点位，以所述量测点位为中心确定所述金属层上的金属块；其中，多个所述量测点位在所述金属层上间隔分布。
4、其中，相邻的所述量测点位之间的间隔大于间隔阈值，所述金属块的长度和宽度相等，且所述金属块的长度和宽度小于所述间隔阈值。
5、其中，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻，包括：测量多个所述金属块的第一金属块
6、其中，用于确定所述第一金属层电阻的任意两个所述第一金属块电阻之间的差值小于第一电阻阈值，用于确定所述第二金属层电阻的任意两个第二金属块电阻的差值小于第二电阻阈值。
7、其中，所述在预设时间间隔内蚀刻所述金属层，包括：利用金属蚀刻液在预设时间间隔内蚀刻至少部分所述金属层，以使所述金属层上至少部分所述量测点位对应的所述金属块被蚀刻。
8、其中，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻之前，还包括：在所述晶圆表面溅射形成所述金属层；其中，所述金属层对应有与所述金属层的金属材质相关的电阻率。
9、其中，所述基于所述第一金属层电阻、所述第二金属层电阻以及所述预设时间间隔，得到所述金属层的蚀刻速率，包括：基于所述第一金属层电阻以及所述电阻率，得到所述金属层的第一厚度；基于所述第二金属层电阻以及所述电阻率，得到所述金属层蚀刻后的第二厚度；基于所述第一厚度、所述第二厚度以及所述预设时间间隔，得到所述蚀刻速率。
10、其中，所述预设时间间隔分为多个采集时间点，每个所述采集时间点对应有所述第一厚度和所述第二厚度；所述基于所述第一厚度、所述第二厚度以及所述预设时间间隔，得到所述蚀刻速率，包括：基于每个所述采集时间点对应的所述第一厚度和所述第二厚度，得到随所述时间采集点变化的所述蚀刻速率。
11、其中，在常温下所述晶圆的阻抗至少为所述金属层阻抗的预设数值倍；其中，所述预设数值大于倍数阈值。
12、本申请的有益效果是：本申请提供的晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，通过量测晶圆表面金属层在预设时间间隔内被蚀刻前后的金属层电阻，换算成金属层在预设时间间隔内被蚀刻的厚度，得到金属层的蚀刻速率，无需制作各种测机片，从而能够提高测量效率，降低生产成本。
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1.一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，相邻的所述量测点位之间的间隔大于间隔阈值，所述金属块的长度和宽度相等，且所述金属块的长度和宽度小于所述间隔阈值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于确定所述第一金属层电阻的任意两个所述第一金属块电阻之间的差值小于第一电阻阈值，用于确定所述第二金属层电阻的任意两个所述第二金属块电阻的差值小于第二电阻阈值。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在预设时间间隔内蚀刻所述金属层，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻之前，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一金属层电阻、所述第二金属层电阻以及所述预设时间间隔，得到所述金属层的蚀
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设时间间隔分为多个采集时间点，每个所述采集时间点对应有所述第一厚度和所述第二厚度；
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在常温下所述晶圆的阻抗至少为所述金属层阻抗的预设数值倍；其中，所述预设数值大于倍数阈值。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，相邻的所述量测点位之间的间隔大于间隔阈值，所述金属块的长度和宽度相等，且所述金属块的长度和宽度小于所述间隔阈值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量晶圆上金属层的第一金属层电阻，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于确定所述第一金属层电阻的任意两个所述第一金属块电阻之间的差值小于第一电阻阈值，用于确定所述第二金属层电阻的任意两个所述第二金属块电阻的差值小于第二电阻阈值。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨东晓，
申请(专利权)人：厦门通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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