电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，包括控制电路、半桥电路、驱动电路、绝缘栅双极型晶体管电路以及锁相电路，控制电路与半桥电路、驱动电路和锁相电路均连接，半桥电路与驱动电路和锁相电路均连接，驱动电路连接并驱动所述绝缘栅双极型晶体管电路工作，绝缘栅双极型晶体管电路与锁相电路连接，锁相电路连接半桥电路并对半桥电路的输出信号进行相位差控制。与现有技术相比，由于锁相电路连接半桥电路并对半桥电路的输出信号进行相位差控制，从而使得连接半桥电路的驱动电路会对绝缘栅双极型晶体管电路的工作状态进行控制，进而实现对绝缘栅双极型晶体管的保护，提高了绝缘栅双极型晶体管及电磁炉的使用寿命。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电磁炉
，尤其涉及一种电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保 护电路。
技术介绍
在现代人们的生活中，电磁炉因具有升温快、热效率高、无明火、无烟尘、体积小 巧、安全性好以及外形美观等特点，具有广阔的市场空间，如家庭厨房、酒店、企业食堂、火 车餐厅、轮船餐厅等。电磁炉的工作原理是在电磁炉内部，由整流电路将50HZ/60HZ的交流电转换成 直流电，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHZ的高频电压，高速变化的电 流通过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场磁力线通过金属器皿的底部时，会在器皿底部 金属体内产生无数的小旋涡流，使得器皿本身能高速发热，从而对所述器皿内的食物进行 加热。上述过程，一般是利用功率器件绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)驱动电磁加热线圈和谐振电容组成的谐振电路工作完成的。这样，在所 述电磁炉工作过程中，有时会出现异常现象，这样所述绝缘栅双极型晶体管会在超过正常 的电流下工作，因此使得所述绝缘栅双极型晶体管容易烧毁，缩短了所述绝缘栅双极型晶 体管及电磁炉的使用寿命。因此，有必要提供一种保护电路来提高所述绝缘栅双极型晶体管以及电磁炉的使 用寿命。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，所述保护 电路能提高所述绝缘栅双极型晶体管及电磁炉的使用寿命。为实现上述目的，本技术提供了一种电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电 路，包括控制电路、半桥电路、驱动电路、绝缘栅双极型晶体管电路以及锁相电路，所述控制 电路与所述半桥电路、驱动电路和锁相电路均连接，所述半桥电路与所述驱动电路和所述 锁相电路均连接，所述半桥电路输出信号至所述驱动电路，所述驱动电路连接并驱动所述 绝缘栅双极型晶体管电路工作，所述绝缘栅双极型晶体管电路与所述锁相电路连接，所述 锁相电路连接所述半桥电路并对所述半桥电路的输出信号进行相位差控制。较佳地，所述半桥电路的输出信号的相位差为180度。具体地，所述绝缘栅双极型晶体管电路由两个相互串联的三极管组成，两个所述 三极管的基极分别与所述驱动电路连接。优选地，在本技术的一优选实施例中，所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保 护电路还包括输入低通滤波电路、三相整流电路、LC滤波电路，谐振电路、电流互感器以及 检锅电路，所述输入低通滤波电路、三相整流电路以及LC滤波电路依次顺序连接，所述输 入低通滤波电路与所述控制电路连接，所述谐振电路所述绝缘栅双极型晶体管电路、LC滤波电路、与电流互感器和检锅电路连接，所述电流互感器与所述LC滤波电路、谐振电路、绝 缘栅双极型晶体管电路以及锁相电路连接，所述检锅电路与所述谐振电路和所述控制电路 连接。 具体地，所述谐振电路包括谐振电容和输出电磁加热线圈，所述谐振电容与所述 LC滤波电路和所述输出电磁加热线圈连接，所述输出电磁加热线圈与所述谐振电容、检锅 电路以及绝缘栅双极型晶体管电路连接。 与现有技术相比，由于本技术电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路的锁相 电路连接半桥电路并对半桥电路的输出信号进行相位差控制，从而使得连接所述半桥电路 并接收所述输出信号的驱动电路会对所述绝缘栅双极型晶体管电路的工作状态进行控制， 进而实现对所述绝缘栅双极型晶体管的的保护，提高了所述绝缘栅双极型晶体管及电磁炉 的使用寿命。通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本 技术的实施例。附图说明图1为本技术电磁炉的绝缘栅双极型晶体管的保护电路的一个实施例的原 理框图。图2为图1所示半桥电路的输出信号的波形图。具体实施方式现在参考附图描述本技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元 件。如上所述，本技术提供了一种电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，由于所述锁 相电路连接半桥电路并对半桥电路的输出信号进行相位差控制，从而使得连接所述半桥电 路并接收所述输出信号的驱动电路会对所述绝缘栅双极型晶体管电路的工作状态进行控 制，进而实现对所述绝缘栅双极型晶体管的保护，提高了所述绝缘栅双极型晶体管及电磁 炉的使用寿命。请参考图1，描述了本技术电磁炉的绝缘栅双极型晶体管的保护电路的一个 优选实施例。如图所示，所述电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，包括控制电路10、 半桥电路11、驱动电路12、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)电路13、锁相电路14、输入低通滤波电路15、三相整流电路16、LC滤波电路17、谐振 电路、电流互感器19以及检锅电路20。需要注意的是，本实施例中，所述控制电路10集成 在CPU内，所述输入低通滤波电路15为电磁干扰(Electromagnetic Interference, EMI) 滤波电路。所述控制电路10与所述半桥电路11、驱动电路12、锁相电路14、输入低通滤波电 路15以及检锅电路20均连接，以实现对整个保护电路的总控制。所述半桥电路11输出具 有相位差为180度的A、B两个脉冲信号(如图2所示)，所述半桥电路11分别与所述驱动 电路12和锁相电路14连接，并将所述A脉冲信号输入所述锁相电路14，将所述A、B两个脉 冲信号输入所述驱动电路12。所述驱动电路12包括A、B两个驱动电路，所述半桥电路11 的A脉冲信号输入A驱动电路，B脉冲信号输入B驱动电路。所述驱动电路12对A、B脉冲4信号进行放大并用以驱动所述IGBT电路13工作。具体地，所述IGBT电路13由两个相互 串联的三极管组成，两个所述三极管的基极分别与所述驱动电路12的A、B驱动电路连接。 所述锁相电路14连接所述半桥电路11并对所述半桥电路11的A、B两个脉冲信号进行相 位差控制。如图所示，所述输入低通滤波电路15、三相整流电路16和LC滤波电路17依次顺 序连接，所述谐振电路与所述IGBT电路13、LC滤波电路17、电流互感器19和检锅电路20 连接，所述电流互感器19与所述LC滤波电路17、谐振电路、IGBT电路13以及锁相电路14 连接，所述检锅电路20与所述谐振电路连接。具体地，所述谐振电路包括两个谐振电容181和输出电磁加热线圈182。第一谐振 电容181的一端与所述LC滤波电路17和所述电流互感器19连接，另一端与第二谐振电容 181和所述输出电磁加热线圈182、检锅电路20连接，所述输出电磁加热线圈182还与所述 检锅电路20、IGBT电路13连接。本技术的工作原理是所述输入低通滤波电路15输入380V的交流电压，经共 模滤波电路(图未示)滤掉高频部分，再经所述三相整流电路16将交流电转换为直流电， 经LC滤波电路17滤波，将直流电转换为540V左右的高压电，并将所述540V的高压电输入 所述谐振电路；同时，所述半桥电路11输出相位差为180度的A、B两个脉冲信号，所述驱动 电路12输入24V的电压使得所述所述驱动电路12开始工作，并接收来自所述半桥电路11 的具有相位差的A、B脉冲信号，将所述脉冲信号放大并输出至所述IGBT电路13，驱动所述 IGBT电路13开始工作；所述绝缘栅双极型晶体管电路13的输出为B脉冲信号，经所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，包括控制电路、半桥电路、驱动电路、绝缘栅双极型晶体管电路以及锁相电路，所述控制电路与所述半桥电路、驱动电路和锁相电路均连接，所述半桥电路与所述驱动电路和所述锁相电路均连接，所述半桥电路输出信号至所述驱动电路，所述驱动电路连接并驱动所述绝缘栅双极型晶体管电路工作，所述绝缘栅双极型晶体管电路与所述锁相电路连接，所述锁相电路连接所述半桥电路并对所述半桥电路的输出信号进行相位差控制。2.如权利要求1所述的电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，其特征在于所述半 桥电路的输出信号的相位差为180度。3.如权利要求1所述的电磁炉的绝缘栅双极型晶体管保护电路，其特征在于所述绝 缘栅双极型晶体管电路由两个相互串联的三极管组成，两个所述三极管的基极分别与所述 驱动电路连接。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭朝阳，
申请(专利权)人：东莞市赛戈电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44