【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种封装结构及其封装方法，特别是关于一种具有粘合层的封装结构及其封装方法。
技术介绍
1、目前半导体封装朝向更高密度的结构进行发展，以提高半导体芯片的信号传播速率及功率密度，常见的封装结构是通过硅穿孔(tsv)让不同晶粒能够垂直堆叠并借由硅穿孔中的金属进行信号传输，又或是通过重分布线路层(rdl)让不同晶粒能够设置在同一封装结构中。其中，在晶粒与重分布线路层进行热压合时，容易因为晶粒本身的应力而翘曲，导致接合强度受到影响，另外，由于晶粒的焊接凸块与重分布线路层的接合凸块之间也容易产生位置偏差，导致凸块与凸块之间接触面积较小而影响其接合强度。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于借由粘合层粘接重分布线路层及电子元件，以大幅提高两个元件间的接合强度，而能够完成更加复杂的封装结构。
2、本专利技术的一种具有粘合层的封装结构包含第一重分布线路层、粘合层及第一电子元件，该第一重分布线路层具有第一上表面及第一下表面，该第一上表面具有多个上凸块，该第一下表面具有多个导接垫，该粘合层位于该第一重分布线路层的该第一上表面，且该粘合层围绕所述多个上凸块，该第一电子元件设置于该粘合层上，该第一电子元件具有第一主动面及多个导接件，所述多个导接件显露于该第一主动面上，该第一主动面朝向该第一上表面，且各该导接件连接各该上凸块，其中该粘合层的两个粘接面分别粘接该第一上表面及该第一主动面。
3、较佳地，该粘合层是由有机粘合材料固化形成。
4、较佳地，包含多
5、较佳地，该第一电子元件具有第一密封体、第一晶粒及多个第一焊接凸块，所述多个第一焊接凸块位于该第一晶粒上，该第一密封体围绕该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块，且该第一密封体的第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面，该第一显露表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个第一焊接凸块即为该第一电子元件的所述多个导接件。
6、较佳地，该第一电子元件具有第二重分布线路层，该第二重分布线路层具有第二下表面及第二上表面，该第二下表面的多个下重分布导接垫连接所述多个上凸块，该第二上表面的多个上重分布导接垫连接所述多个第一焊接凸块，该第二下表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个下重分布导接垫即为该第一电子元件的所述多个导接件。
7、较佳地，包含第二电子元件及第三重分布线路层，该第二电子元件具有第二密封体、第二晶粒及多个第二焊接凸块，该第二晶粒具有下导接面及上导接面，所述多个第二焊接凸块的两端分别连接该下导接面及该第三重分布线路层的多个上导接垫，该第二密封体围绕该第二晶粒及该第二焊接凸块，且该第二晶粒的该上导接面及该第二焊接凸块的第二连接面显露于该第二密封体外，该第二晶粒的该上导接面连接该第一重分布线路层的所述多个导接垫。
8、较佳地，包含多个导接元件，所述多个导接元件连接第三重分布线路层的多个下导接垫。
9、本专利技术的一种具有粘合层的封装结构的封装方法包含提供第一重分布线路层，该第一重分布线路层具有第一上表面及第一下表面，该第一上表面具有多个上凸块，该第一下表面具有多个导接垫；在该第一重分布线路层上形成粘合层，该粘合层位于该第一重分布线路层的该第一上表面，且该粘合层围绕所述多个上凸块；平坦化该粘合层，使所述多个上凸块显露于该粘合层；设置第一电子元件于该粘合层上，该第一电子元件具有第一主动面及多个导接件，所述多个导接件显露于该第一主动面上，该第一主动面朝向该第一上表面；以及热压合该第一电子元件及该第一重分布线路层，使各该导接件连接各该上凸块，其中该粘合层的两个粘接面在热压合中分别粘接该第一上表面及该第一主动面。
10、较佳地，在该第一重分布线路层上形成该粘合层包含：涂布有机粘合材料于该第一重分布线路层上；加热并冷却该有机粘合材料使其固化为该粘合层。
11、较佳地，平坦化该粘合层是以飞切工艺(fly-cut)对该粘合层进行切削。
12、较佳地，在热压合该第一电子元件及该第一重分布线路层后另包含再次对该粘合层进行升温及冷却而完成最终固化。
13、较佳地，包含设置多个导接元件于该第一重分布线路层的该第一下表面，且各该导接元件连接各该导接垫。
14、较佳地，该第一电子元件的制造方法为：在第一晶粒上形成多个第一焊接凸块；形成第一密封体包覆该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块；平坦化该第一密封体而形成第一显露表面，该第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面，且该第一显露表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个第一焊接凸块即为该第一电子元件的所述多个导接件。
15、较佳地，该第一电子元件的制造方法为：在第一晶粒上形成多个第一焊接凸块；形成第一密封体包覆该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块；平坦化该第一密封体而形成第一显露表面，该第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面；形成第二重分布线路层于该第一显露表面上，该第二重分布线路层具有第二下表面及第二上表面，该第二上表面的多个上重分布导接垫连接所述多个第一焊接凸块，该第二下表面即为该第一电子元件的该第一主动面，该第二下表面的多个下重分布导接垫即为该第一电子元件的所述多个导接件，其中，当该第一电子元件及该第一重分布线路层热压合时，该第二下表面的多个下重分布导接垫连接所述多个上凸块。
16、较佳地，该第一重分布线路层是设置于第二电子元件及第三重分布线路层上，该第二电子元件具有第二密封体、第二晶粒及多个第二焊接凸块，该第二晶粒具有下导接面及上导接面，所述多个第二焊接凸块的两端分别连接该下导接面及该第三重分布线路层的多个上导接垫，该第二密封体围绕该第二晶粒及该第二焊接凸块，且该第二晶粒的该上导接面及该第二焊接凸块的第二连接面显露于该第二密封体外，该第二晶粒的该上导接面连接该第一重分布线路层的所述多个导接垫。
17、较佳地，包含设置多个导接元件于该第三重分布线路层的多个下导接垫上，使各该导接元件连接各该下导接垫。
18、本专利技术借由该粘合层粘接该第一重分布线路层及该第一电子元件，可大幅提高该第一重分布线路层及该第一电子元件之间的接合强度，让该封装结构能够设计得更为复杂及紧凑，以提高信号传输速率及功率密度。
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1.一种具有粘合层的封装结构，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：该粘合层是由有机粘合材料固化形成。
3.根据权利要求1所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：包含多个导接元件，所述多个导接元件位于该第一重分布线路层的该第一下表面，且各该导接元件连接各该导接垫。
4.根据权利要求1所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：该第一电子元件具有第一密封体、第一晶粒及多个第一焊接凸块，所述多个第一焊接凸块位于该第一晶粒上，该第一密封体围绕该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块，且该第一密封体的第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面，该第一显露表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个第一焊接凸块即为该第一电子元件的所述多个导接件。
5.根据权利要求4所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：该第一电子元件具有第二重分布线路层，该第二重分布线路层具有第二下表面及第二上表面，该第二下表面的多个下重分布导接垫连接所述多个上凸块，该第二上表面的多个上重分布导接垫连接所述多个第一焊接凸块，该第二下表面即为该
6.根据权利要求5所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：包含第二电子元件及第三重分布线路层，该第二电子元件具有第二密封体、第二晶粒及多个第二焊接凸块，该第二晶粒具有下导接面及上导接面，所述多个第二焊接凸块的两端分别连接该下导接面及该第三重分布线路层的多个上导接垫，该第二密封体围绕该第二晶粒及该第二焊接凸块，且该第二晶粒的该上导接面及该第二焊接凸块的第二连接面显露于该第二密封体外，该第二晶粒的该上导接面连接该第一重分布线路层的所述多个导接垫。
7.根据权利要求6所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：包含多个导接元件，所述多个导接元件连接第三重分布线路层的多个下导接垫。
8.一种具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：包含：
9.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：在该第一重分布线路层上形成该粘合层包含：涂布有机粘合材料于该第一重分布线路层上；加热并冷却该有机粘合材料使其固化为该粘合层。
10.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：平坦化该粘合层是以飞切工艺对该粘合层进行切削。
11.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：在热压合该第一电子元件及该第一重分布线路层后另包含再次对该粘合层进行升温及冷却而完成最终固化。
12.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：包含设置多个导接元件于该第一重分布线路层的该第一下表面，且各该导接元件连接各该导接垫。
13.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：该第一电子元件的制造方法为：在第一晶粒上形成多个第一焊接凸块；形成第一密封体包覆该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块；平坦化该第一密封体而形成第一显露表面，该第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面，且该第一显露表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个第一焊接凸块即为该第一电子元件的所述多个导接件。
14.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：该第一电子元件的制造方法为：在第一晶粒上形成多个第一焊接凸块；形成第一密封体包覆该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块；平坦化该第一密封体而形成第一显露表面，该第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面；形成第二重分布线路层于该第一显露表面上，该第二重分布线路层具有第二下表面及第二上表面，该第二上表面的多个上重分布导接垫连接所述多个第一焊接凸块，该第二下表面即为该第一电子元件的该第一主动面，该第二下表面的多个下重分布导接垫即为该第一电子元件的所述多个导接件，其中，当该第一电子元件及该第一重分布线路层热压合时，该第二下表面的多个下重分布导接垫连接所述多个上凸块。
15.根据权利要求14所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：该第一重分布线路层是设置于第二电子元件及第三重分布线路层上，该第二电子元件具有第二密封体、第二晶粒及多个第二焊接凸块，该第二晶粒具有下导接面及上导接面，所述多个第二焊接凸块的两端分别连接该下导接面及该第三重分布线路层的多个上导接垫，该第二密封体围绕该第二晶粒及该第二焊接凸块，且该第二晶粒的该上导接面及该第二焊接凸块的第二连接面显露于该第二密封体外，该第二晶粒的该上导接面连接该第一重分布线路层的所述多个导接垫。
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【技术特征摘要】
1.一种具有粘合层的封装结构，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：该粘合层是由有机粘合材料固化形成。
3.根据权利要求1所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：包含多个导接元件，所述多个导接元件位于该第一重分布线路层的该第一下表面，且各该导接元件连接各该导接垫。
4.根据权利要求1所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：该第一电子元件具有第一密封体、第一晶粒及多个第一焊接凸块，所述多个第一焊接凸块位于该第一晶粒上，该第一密封体围绕该第一晶粒及所述多个第一焊接凸块，且该第一密封体的第一显露表面显露各该第一焊接凸块的第一连接面，该第一显露表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个第一焊接凸块即为该第一电子元件的所述多个导接件。
5.根据权利要求4所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：该第一电子元件具有第二重分布线路层，该第二重分布线路层具有第二下表面及第二上表面，该第二下表面的多个下重分布导接垫连接所述多个上凸块，该第二上表面的多个上重分布导接垫连接所述多个第一焊接凸块，该第二下表面即为该第一电子元件的该第一主动面，所述多个下重分布导接垫即为该第一电子元件的所述多个导接件。
6.根据权利要求5所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：包含第二电子元件及第三重分布线路层，该第二电子元件具有第二密封体、第二晶粒及多个第二焊接凸块，该第二晶粒具有下导接面及上导接面，所述多个第二焊接凸块的两端分别连接该下导接面及该第三重分布线路层的多个上导接垫，该第二密封体围绕该第二晶粒及该第二焊接凸块，且该第二晶粒的该上导接面及该第二焊接凸块的第二连接面显露于该第二密封体外，该第二晶粒的该上导接面连接该第一重分布线路层的所述多个导接垫。
7.根据权利要求6所述的具有粘合层的封装结构，其特征在于：包含多个导接元件，所述多个导接元件连接第三重分布线路层的多个下导接垫。
8.一种具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：包含：
9.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：在该第一重分布线路层上形成该粘合层包含：涂布有机粘合材料于该第一重分布线路层上；加热并冷却该有机粘合材料使其固化为该粘合层。
10.根据权利要求8所述的具有粘合层的封装结构的封装方法，其特征在于：平坦化该粘合层是以飞切工艺对该...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄宇中，蔡欣谚，陈法仲，林政帆，王晨聿，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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