【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种气体分离膜以及气体分离膜的制造方法。
技术介绍
1、为了实现碳中和，正在研究吸收大气中的二氧化碳并直接回收的技术。在该技术中，已知有使吸收液或吸附材料吸收、吸附二氧化碳的方法即化学吸收与吸附法、使用气体分离膜来分离二氧化碳的膜分离法等。
2、例如，在专利文献1中，公开了一种具备由多孔质构成的支承层、和被层叠在支承层上的气体分离层的气体分离复合膜。在气体分离层的表面上，存在有被表面改性为亲水性的亲水性改性处理面。此外，公开了如下内容，即，该亲水性改性处理面是通过在对气体分离层实施了等离子处理等处理后，实施硅烷偶联处理而得到的。在这样的气体分离复合膜中，实现了优异的气体分离性和长寿命的并存。
3、但是，根据本专利技术人的研究，明确了如下情况，即，如果通过表面改性而在气体分离层的表面上形成亲水性改性处理面，则气体的透过性会降低。例如，在专利文献1中，明确了如下情况，即，虽然在硅烷偶联处理前实施等离子处理，但是这样的等离子处理成为了使气体的透过性降低的原因。如果气体的透过性降低，则在气体分离中就需要很大的能量。
4、因此，课题在于，在通过导入官能基团来实现作为目标的气体成分的选择分离性的同时，使成为其基底的聚有机硅氧烷的化学键状态最优化，从而实现气体透过性良好的气体分离膜。
5、专利文献1：日本特开2013-075264号公报
技术实现思路
1、本专利技术的应用例所涉及的气体分离膜具有：
2、树脂层，其由有机聚硅
3、改性层，其被设置在所述树脂层的一个面上，且具有被导入到所述一个面上的官能基团，
4、通过从所述改性层的表面侧照射x射线的x射线光电子能谱，从而取得包含si2p峰的范围的xps光谱，在对所述si2p峰进行波形分离时，si-o峰的面积比率为所述si2p峰的2％以上且30％以下。
5、本专利技术的应用例所涉及的气体分离膜的制造方法具有：
6、活化处理工序，其对由有机聚硅氧烷构成的树脂层的一个面实施活化处理；
7、官能基团导入工序，其被设置在所述活化处理工序之后，使偶联剂与实施了所述活化处理之后的所述一个面接触，并将官能基团导入到所述一个面上，
8、对于导入了所述官能基团之后的所述一个面而通过x射线光电子能谱来取得包含si2p峰的xps光谱，在对所述si2p峰进行波形分离时，源自sio2的si-o峰的面积比率为所述si2p峰的2％以上且30％以下。
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1.一种气体分离膜，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的气体分离膜，其中，
3.如权利要求1或2所述的气体分离膜，其中，
4.一种气体分离膜的制造方法，其特征在于，具有：
5.如权利要求4所述的气体分离膜的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种气体分离膜，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的气体分离膜，其中，
3.如权利要求1或2所述的气体分...
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