稀土基电磁屏蔽材料及其制备方法和应用技术

技术编号：40749710 阅读：50 留言：0更新日期：2024-03-25 20:06

本发明专利技术涉及一种稀土基电磁屏蔽材料，包括基体以及分散在所述基体中的稀土永磁合金粉末，其中，所述稀土永磁合金粉末在所述稀土基电磁屏蔽材料中的质量分数大于或等于30％，所述稀土永磁合金粉末由稀土永磁合金破碎后得到，且所述稀土永磁合金粉末同时满足以下条件：(1)剩磁大于或等于8.0kGs；(2)内禀矫顽力大于或等于10kOe；(3)最大磁能积大于或等于15MGOe。本发明专利技术还涉及一种稀土基电磁屏蔽材料的制备方法和应用。本发明专利技术所述稀土基电磁屏蔽材料主要由基体材料和稀土永磁合金粉末构成，稀土基电磁屏蔽材料在X至Ku波段的电磁屏蔽效能超过30dB，可屏蔽该频段99.9％的电磁波能量，具有优异的电磁屏蔽作用，且制备方法简单高效，适于工业化生产。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁屏蔽材料，特别是涉及一种稀土基电磁屏蔽材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着科学技术和电子工业的高速发展，各种电子设备于通信、交通、医疗等领域中广泛应用，各类数字化、高频化的电子电器设备在工作时将向空间辐射大量不同频率的电磁波能量，形成复杂的电磁环境，从而电磁辐射问题会影响电子元器件的正常运行，同时对人体健康产生危害，因此，亟需开发电磁屏蔽材料来阻挡或削弱电磁波辐射。

2、常用的电磁屏蔽材料通常是导电性较好的ag、cu等金属颗粒、金属网、金属板、碳材料等或其复合材料，但是这类材料不具备磁性能，通常以涡流损耗为主，而没有磁损耗，因此容易产热导致性能不稳定。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种稀土基电磁屏蔽材料及其制备方法和应用，所述稀土基电磁屏蔽材料主要由基体材料和稀土永磁合金粉末构成，具有优异的电磁屏蔽作用，且适于工业化生产。

2、一种稀土基电磁屏蔽材料，包括基体以及分散在所述基体中的稀土永磁合金粉末，其中，所述稀土永磁合金粉末在所述稀土基电磁屏蔽材料中的质量分数大于或等于30％，所述稀土永磁合金粉末由稀土永磁合金破碎后得到，且所述稀土永磁合金粉末同时满足以下条件：

3、(1)剩磁大于或等于8.0kgs；

4、(2)内禀矫顽力大于或等于10koe；

5、(3)最大磁能积大于或等于15mgoe。

6、在其中一个实施例中，所述稀土永磁合金粉末的尺寸为5μm-300μm。</p>

7、在其中一个实施例中，所述稀土永磁合金的电阻率小于或等于5×10-4ω·m。

8、在其中一个实施例中，所述稀土永磁合金选自钕铁硼永磁合金、1:5型钐钴永磁合金或2:17型钐钴永磁合金中的至少一种。

9、在其中一个实施例中，所述基体选自环氧树脂基体、酚醛树脂基体、石蜡基体或聚乙烯醇基体中的至少一种。

10、在其中一个实施例中，所述稀土基电磁屏蔽材料的形状为薄膜，所述稀土基电磁屏蔽材料的厚度为5μm-2000μm。

11、一种如上述所述的稀土基电磁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：

12、将稀土永磁合金在无氧环境中破碎成稀土永磁合金粉末；

13、将所述稀土永磁合金粉末与基体材料混合，成型得到稀土基电磁屏蔽材料。

14、在其中一个实施例中，所述无氧环境包括在真空、氩气、氮气或氖气氛围中。

15、在其中一个实施例中，所述稀土永磁合金粉末的尺寸为5μm-300μm。

16、一种如上述所述的稀土基电磁屏蔽材料在电子设备中的应用。

17、本专利技术的稀土基电磁屏蔽材料中，通过选择满足特定要求的剩磁、内禀矫顽力和最大磁能积的稀土永磁合金破碎成的稀土永磁合金粉末，以及调控所述稀土永磁合金粉末在稀土基电磁屏蔽材料中的质量分数，使得稀土基电磁屏蔽材料具有优异的电磁屏蔽性能，在x至ku波段(8ghz-18ghz频段)的电磁屏蔽效能(se)超过30db，可屏蔽该频段99.9％的电磁波能量。

18、另外，本专利技术的稀土基电磁屏蔽材料主要由稀土永磁合金粉末和基体构成，其中，稀土永磁合金易得，比如，可以使用生产过程中掉角、缺边或断裂的废料，进而使得稀土基电磁屏蔽材料的制备方法简单，适于工业化生产。

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【技术保护点】

1.一种稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，包括基体以及分散在所述基体中的稀土永磁合金粉末，其中，所述稀土永磁合金粉末在所述稀土基电磁屏蔽材料中的质量分数大于或等于30％，所述稀土永磁合金粉末由稀土永磁合金破碎后得到，且所述稀土永磁合金同时满足以下条件：

2.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述稀土永磁合金粉末的尺寸为5μm-300μm。

3.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述稀土永磁合金的电阻率小于或等于5×10-4Ω·m。

4.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述稀土永磁合金选自钕铁硼永磁合金、1:5型钐钴永磁合金或2:17型钐钴永磁合金中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述基体选自环氧树脂基体、酚醛树脂基体、石蜡基体或聚乙烯醇基体中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述稀土基电磁屏蔽材料的形状为薄膜，所述稀土基电磁屏蔽材料的厚度为5μm-2000μm。

7.一种如权利要求1

8.根据权利要求7所述的稀土基电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述无氧环境包括在真空、氩气、氮气或氖气氛围中。

9.根据权利要求7所述的稀土基电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述稀土永磁合金粉末的尺寸为5μm-300μm。

10.一种如权利要求1-6任一项所述的稀土基电磁屏蔽材料在电子设备中的应用。

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【技术特征摘要】

2.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述稀土永磁合金粉末的尺寸为5μm-300μm。

3.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏蔽材料，其特征在于，所述稀土永磁合金的电阻率小于或等于5×10-4ω·m。

5.根据权利要求1所述的稀土基电磁屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪峰，李逸兴，赵荣志，廖怡君，刘孝莲，阮佳昌，孙卓，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：

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