【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种检测pecvd设备气体管路堵塞的方法。
技术介绍
1、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)是一种将薄膜从气相沉积在基板(例如晶圆)上的固态层的方法，因此，该方法广泛用于半导体行业中。
2、现有技术的pecvd设备的部分装置，包括腔体、气体供应装置和气体管路，腔体用于进行薄膜的沉积，气体供应装置用于向所述腔体提供薄膜沉积的反应气体，气体管路用于排放气体供应装置初始提供的反应气体。当然pecvd设备还包括其他的装置，在此不做赘述。由于气体供应装置存放的气体在开始通入腔体内时，可能存在压强和流量等均不稳定的情况。所以需要将初始的部分供应气体排放掉。可以采用气体管路进行排放。而在pecvd反应中常以硅烷作为主要反应气体，而硅烷由于其活性强，与气体管路清洗或更换过程中残留的杂质反应，所以会在气体管路中比较容易形成粉尘，粉尘附着在气体管路上，进而在一定程度上堵塞气体管路。气体管路堵塞会导致反应气体堆积在气体管路中，可能会导致下一次薄膜沉积时的初始层薄膜的性质和厚度均产生变化。可能造成半导体器件出现不良。
3、然而，气体管路的堵塞如果比较轻微，比较难以监控及查看。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，可以检测pecvd设备的气体管路是否被堵塞。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，所述pecvd设备包括腔体、气体供应装置和气体管路，
3、根据待要沉积薄膜的厚度，将待要沉积薄膜预计分为n次沉积，n为大于1的正整数；
4、使用待检测的pecvd设备依次进行n次薄膜的沉积，每次沉积之前均通过气体管路排放一定时间的反应气体；
5、量测多次沉积后的实际薄膜的厚度之和；
6、计算所述实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内，如果不是，则认为所述pecvd设备的气体管路出现了堵塞，如果是，则认为所述pecvd设备的气体管路没有被堵塞。
7、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，将待要沉积薄膜预计分为多次沉积，预计每次沉积的厚度相同。
8、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，所述待要沉积薄膜和进行n次沉积的薄膜的材料相同。
9、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，所述薄膜包括氮化硅薄膜和氧化硅薄膜。
10、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，所述阈值为设定值。
11、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，还包括手动阀，用于开启或关闭所述气体供应装置的反应气体的供应。
12、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，所述反应气体为硅烷。
13、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，所述气体供应装置初始提供的反应气体的压强和流量均不稳定。
14、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，使用spc工具计算所述实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内。
15、可选的，在所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，使用spc工具建立表格，以计算所述实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内。
16、在本专利技术提供的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法中，包括：根据待要沉积薄膜的厚度，将待要沉积薄膜预计分为n次沉积，n为大于1的正整数；使用待检测的pecvd设备依次进行n次薄膜的沉积，每次沉积之前均通过气体管路排放一定时间的反应气体；量测多次沉积后的实际薄膜的厚度之和；计算实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内，如果不是，则认为pecvd设备的气体管路出现了堵塞，如果是，则认为pecvd设备的气体管路没有被堵塞。本专利技术可以检测气体管路是否出现堵塞，如果出现堵塞可以及时清理，从而获得了性质和厚度均达标的薄膜，提高了半导体器件的质量。
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1.一种检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，所述PECVD设备包括腔体、气体供应装置和气体管路，所述腔体用于进行薄膜的沉积，所述气体供应装置用于向所述腔体提供薄膜沉积的反应气体，所述气体管路用于排放所述气体供应装置初始提供的反应气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，将待要沉积薄膜预计分为多次沉积，预计每次沉积的厚度相同。
3.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述待要沉积薄膜和进行N次沉积的薄膜的材料相同。
4.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述薄膜包括氮化硅薄膜和氧化硅薄膜。
5.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述阈值为设定值。
6.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，还包括手动阀，用于开启或关闭所述气体供应装置的反应气体的供应。
7.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述
8.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述气体供应装置初始提供的反应气体的压强和流量均不稳定。
9.如权利要求1所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，使用SPC工具计算所述实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内。
10.如权利要求9所述的检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，使用SPC工具建立表格，以计算所述实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内。
...【技术特征摘要】
1.一种检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，所述pecvd设备包括腔体、气体供应装置和气体管路，所述腔体用于进行薄膜的沉积，所述气体供应装置用于向所述腔体提供薄膜沉积的反应气体，所述气体管路用于排放所述气体供应装置初始提供的反应气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，将待要沉积薄膜预计分为多次沉积，预计每次沉积的厚度相同。
3.如权利要求1所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述待要沉积薄膜和进行n次沉积的薄膜的材料相同。
4.如权利要求1所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述薄膜包括氮化硅薄膜和氧化硅薄膜。
5.如权利要求1所述的检测pecvd设备气体管路堵塞的方法，其特征在于，所述阈值为设...
【专利技术属性】
技术研发人员：李正阶，田守卫，崔永鹏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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