一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法技术

技术编号：40747429 阅读：15 留言：0更新日期：2024-03-25 20:04

本发明专利技术公开了一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法，属于石斛培育技术领域。培养方法包括以下步骤：(1)培养室建设：选择一个室内房间作为培养室，培养室内设置有培养架、中央空调和温湿度及光照控制系统；培养架设置为多层，自上而下分别为原球茎层、小苗层、播种层、中苗层、大苗层(2)播种(3)原球茎培养(4)小苗培养(5)中苗培养(6)大苗培养。有益效果：有利于合理利用电源能源、降低生产成本针对性强，科学合理的培养霍山石斛苗的各阶段生长，极大提高了霍山石斛的培育效率。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石斛培育，具体涉及一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法。

技术介绍

1、霍山石斛，又称米斛，是石斛中的极品，是中国国家濒临灭绝的珍稀药材。其干燥茎(霍枫斗)和鲜斛均可入药。富含多糖、氨基酸和石斛碱、石斛胺碱等十多种生物碱。能抗白内障，延缓衰老，抗突变，抗肿瘤等，具有极高的药用价值。

2、然而霍山石斛的生长条件极为苛刻。保护范围内海拔高度300至900米，阴凉湿润通风的环境。多生在河涧，沟溪山谷旁峭壁上，常与苔藓、石苇等植物附生在一起。喜阴凉、湿润、通风多雾的小气候。在气温14℃时开始生长，气温20-26℃、空气湿度在80％以上最适宜；如气温在30℃以上，相对湿度在20％以下时，则叶脉变黄、叶片下垂、茎现皱缩；如崖缝渗水过多则易烂根致死。

3、目前它的繁殖方法主要有播种繁殖和扦插繁殖，生活实际常采用播种繁殖，但其在野外条件下，存活率较低，且即使存活下来，成长至成苗也需要2-3年的时间，因此繁殖效率过低，不利于大规模生产应用。

4、公布号为cn108419659a的中国专利申请文献，公开了一种霍山石斛的野生种植方法，包括如下步骤：(1)组培苗选取、(2)组培苗处理、(3)培育物制备、(4)场地选取处理、(5)组培苗定栽、(6)定栽后管理。该专利改善了现有技术野生化培育产量低的问题，同时又有效提升了石斛内的营养成分含量，较现有人工种植石斛的食用价值明显提高，与野生石斛相当。但该专利方法培育石斛的过程繁琐，且效率依然较低，故还有待进一步提高。

技术实现思路</p>

1、本专利技术所要解决的技术问题在于如何解决现有的霍山石斛培育方法所存在的效率较低的问题。

2、本专利技术通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：

3、本专利技术提出一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法，包括以下步骤：

4、(1)培养室建设：选择一个室内房间作为培养室，培养室内设置有培养架、中央空调和温湿度及光照控制系统；培养架设置为多层，自上而下分别为原球茎层、小苗层、播种层、中苗层、大苗层；

5、(2)播种：将霍山石斛种子播种，在暗光下培养，控制光照强度为50～200lux并进行遮光处理，培养温度控制在25～27℃，培养时间为30～40d，得到原球茎；所述原球茎的形态为种子萌发变绿刚开始冒出牙尖；

6、(3)原球茎培养：将得到的原球茎转移至原球茎层，控制光照强度为1300～1500lux，培养温度控制在24～25℃，培养时间为50～60d，获得石斛小苗；所述石斛小苗的形态为具有2～4片叶、1～2㎝高、无根或有短根；

7、(4)小苗培养：将石斛小苗转移至小苗层，控制光照强度为1600～1900lux，培养温度控制在23～24℃，培养时间为50～60d，获得石斛中苗；所述石斛中苗的形态为具有4～6片叶、3～5㎝高、根长1㎝以上；

8、(5)中苗培养：将石斛中苗转移至中苗层，控制光照强度为2000～2500lux，培养温度控制在22～23℃，培养时间为60～80d，获得石斛大苗；所述石斛大苗的形态为具有4～8片叶、5～7㎝高、根有2㎝以上；

9、(6)大苗培养：将石斛大苗转移至大苗层，控制光照强度为2500～3000lux，培养温度控制在22～23℃，培养时间为80～100d，获得石斛成苗。

10、有益效果：本专利技术将组培瓶苗涉及各个阶段，有播种，原球茎，小苗，中苗，大苗各个阶段，模拟霍山石斛野外实际生长条件下不同阶段所需要的光照和温度的细微差别，极大提高了霍山石斛的培育效率，并且合理利用电源能源、降低生产成本。

11、优选的，所述将霍山石斛种子播种具体为：将霍山石斛果荚外表皮通过酒精浸泡，用无菌水冲洗，取出种子，将种子洒落在瓶内的培养基上。

12、优选的，所述培养室的湿度控制在40％～70％。

13、优选的，所述培养室的温度调控具体为：升温以顶层的传感器为指标，降温以底层的传感器为指标；当顶层的温度低于21℃时，自动启动对应空调的升温模式或关闭降温模式；当底层的温度高于27℃时，自动启动空调的降温模式或关闭升温模式。

14、优选的，所述培养架的每层之间间隔35-45cm，底层距离地面不低于30cm，顶层距离屋顶1.2m。

15、优选的，所述中央空调的风机风量不低于1200m3/h。

16、优选的，所述光照控制系统设置如下：夏天和秋天，开灯2小时，关闭灯培养2小时；冬天和春天，晚10点到上午10点灯光开启，其余时间关闭。

17、优选的，所述原球茎培养的密度为原球茎均匀布满培养基表面2/3的面积。

18、优选的，所述小苗培养的密度为每瓶20丛以上，每丛2-3株。

19、优选的，所述中苗培养、大苗培养的密度均为每瓶16-18丛，每丛2-3株。

20、本专利技术的优点在于：

21、1、本专利技术将组培瓶苗涉及各个阶段，有播种，原球茎，小苗，中苗，大苗各个阶段，模拟霍山石斛野外实际生长条件下不同阶段所需要的光照和温度的细微差别，极大提高了霍山石斛的培育效率，并且合理利用电源能源、降低生产成本。

22、2、本专利技术的培育方法针对性强，科学合理的培养霍山石斛苗的各阶段生长。

23、3、保护设备，能使设备使用更长久。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述将霍山石斛种子播种具体为：将霍山石斛果荚外表皮通过酒精浸泡，用无菌水冲洗，取出种子，将种子洒落在瓶内的培养基上。

3.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述培养室的湿度控制在40％～70％。

4.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述培养室的温度调控具体为：升温以顶层的传感器为指标，降温以底层的传感器为指标；当顶层的温度低于21℃时，自动启动对应空调的升温模式或关闭降温模式；当底层的温度高于27℃时，自动启动空调的降温模式或关闭升温模式。

5.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述培养架的每层之间间隔35-45cm，底层距离地面不低于30cm，顶层距离屋顶1.2m。

6.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述中央空调的风机风量不低于1200m3/h。

7.根据权利要求1所述的霍

8.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述原球茎培养的密度为原球茎均匀布满培养基表面2/3的面积。

9.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述小苗培养的密度为每瓶20丛以上，每丛2-3株。

10.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述中苗培养、大苗培养的密度均为每瓶16-18丛，每丛2-3株。

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【技术特征摘要】

1.一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述培养室的湿度控制在40％～70％。

5.根据权利要求1所述的霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，所述培养架的每层之间间隔35-45cm，底层...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴亚峰，王诗文，黄跃华，尚亮亮，纵瑞叶，王渊，潘跃，
申请(专利权)人：九仙尊霍山石斛股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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