【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种高psrr低压差线性稳压器电路。
技术介绍
1、提升ldo的psrr(电源抑制比)的传统方法主要考虑通过采用二极管接法的mos管与共源放大结构串联，调整其内部的误差放大器的psrr指标使其接近1，从而让整体电路的psrr提升。
2、但传统方法存在一个缺点，负载电流的上升将导致ldo内部的功率管的栅极电压下降，这使得传统方法中的nmos管的栅源电压增加，nmos管由于二极管接法始终工作在饱和区，可以推出nmos管的漏源电流将会增加，nmos管和共源放大结构在一条支路上，所以共源放大结构的漏源电流也将增加。注意到功率管栅极电压同时也是共源放大结构的漏源电压，共源放大结构漏源电压的下降和漏源电流的增加这二者共同作用，使得共源放大结构的导通电阻随着负载电流的上升而大幅下降，导致误差放大器psrr减小，不再约等于1。因此，随着负载电流的上升，传统方法对于psrr的提升效果将不再明显。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高psrr低压差线性稳压器电路，以解决负载电流变大对电路整体psrr性能提升能力下降的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种高psrr低压差线性稳压器电路，包括误差放大器、零极点追踪频率补偿电路、p型输出功率管以及psrr提升电路；
3、所述误差放大器的负输入端连接电压差线性稳压器的输出端，正输入端接入参考电压vref，输出端分别与所述psrr提升电路的直流电压偏置nmos管和所述
4、所述误差放大器用于形成完整的反馈回路，所述零极点追踪频率补偿电路产生零点来动态追踪输出极点；所述psrr提升电路与所述p型输出功率管的栅端相连，提高低压差线性稳压器的电源抑制比并降低负载电流变大对psrr的影响。
5、在一种实施方式中，所述高psrr低压差线性稳压器电路包括nmos管mn1～mn6、pmos管mp1～mp3、电阻r1～r3、负载电阻rl、电容c1～c2和电流源i1～i2；
6、电流源i1的输入端接输入电压vin，输出端同时接pmos管mp2的源端和mp3的源端，pmos管mp2的栅端接参考电压vref，pmos管mp3的栅端接在电阻r1的第二端和电阻r2的第一端之间；pmos管mp2的漏端接nmos管mn5的漏端和栅端，pmos管mp3的漏端接nmos管mn6的漏端；nmos管mn5的源端和nmos管mn6的源端均接地；
7、电流源i2的输入端接输入电压vin，输出端同时接电容c1的第二端、nmos管mn4的漏端和nmos管mn2的栅端；电容c1的第一端通过电阻r3同时接nmos管mn4的栅端、nmos管mn6的漏端、电容c2的第一端和nmos管mn3的栅端；nmos管mn4的源端接地；
8、nmos管mn1的栅端和漏端均接输入电压vin，源端同时接nmos管mn2的漏端和pmos管mp1的栅端；nmos管mn2的源端接nmos管mn3的漏端，nmos管mn3的源端接地；pmos管mp1的源端接输入电压vin，漏端同时连接负载电阻rl的第一端、电阻r1的第一端和电容c2的第二端；电阻r1的第二端通过电阻r2接地，负载电阻rl的第二端接地。
9、在一种实施方式中，所述pmos管mp1是功率pmos管。
10、本专利技术提供的一种高psrr低压差线性稳压器电路，结构简单，在只有很小的面积牺牲情况下，有效对线性稳压器的psrr指标进行提升；更关键的是可以在负载电流变大时，同样对电路的电源抑制性能有提升效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高PSRR低压差线性稳压器电路，其特征在于，包括误差放大器、零极点追踪频率补偿电路、P型输出功率管以及PSRR提升电路；
2.如权利要求1所述的高PSRR低压差线性稳压器电路，其特征在于，所述高PSRR低压差线性稳压器电路包括NMOS管MN1～MN6、PMOS管MP1～MP3、电阻R1～R3、负载电阻RL、电容C1～C2和电流源I1～I2；
3.如权利要求2所述的高PSRR低压差线性稳压器电路，其特征在于，所述PMOS管MP1是功率PMOS管。
【技术特征摘要】
1.一种高psrr低压差线性稳压器电路，其特征在于，包括误差放大器、零极点追踪频率补偿电路、p型输出功率管以及psrr提升电路；
2.如权利要求1所述的高psrr低压差线性稳压器电路，其特征在于，所述高psrr低压差线性稳压器电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄立朝，丁宁，沈泊言，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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