System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种调平测量装置及其使用方法制造方法及图纸_技高网

一种调平测量装置及其使用方法制造方法及图纸

技术编号:40738691 阅读:19 留言:0更新日期:2024-03-25 19:59
本申请涉及半导体制造工艺设备技术领域,公开一种调平测量装置,包括:底座,用于将所述调平测量装置安装在半导体设备的反应腔的外部;测量装置,设置于底座背向所述反应腔的一侧,用于测量半导体设备的卡盘与半导体设备的盖板之间的间距。测量时,通过所述底座将所述测试装置安装在半导体设备的反应腔的外部,从而由大气端对处于高温环境下的反应腔进行测量。该调平测量装置能够在避免高温影响的情况下,同时满足较小间距的检测要求。本申请还公开一种调平测量装置的使用方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造工艺设备,例如涉及一种调平测量装置及其使用方法


技术介绍

1、相关技术中,现有的调平检测器通常位于半导体设备的反应腔内,即设置于承托晶圆的卡盘(chuck)上,用于检测卡盘的测量面与半导体设备的盖板(lid)之间的间距,进而测算出卡盘是否为水平。

2、在实现本公开实施例的过程中,发现相关技术中至少存在如下问题:

3、首先,由于现有的调平检测器位于半导体设备的内部且受温度影响较大,导致其只能再常温下进行调平检测,从而无法准确测量出处于高温环境下热膨胀后卡盘是否为水平。其次,由于现有的调平检测器自身存在一定的厚度,导致其无法满足特殊工艺制程中对于较小间距的检测要求。

4、需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。

2、本公开实施例提供一种调平测量装置及其使用方法,能够在避免高温影响的情况下,同时满足较小间距的检测要求。

3、在一些实施例中,一种调平测量装置,包括:

4、底座,用于将所述调平测量装置安装在半导体设备的反应腔的外部;

5、测量装置,设置于底座背向所述反应腔的一侧,用于测量半导体设备的卡盘与半导体设备的盖板之间的间距。

6、可选地,所述底座包括:

7、底座本体,与所述半导体设备的反应腔相适配,用于与所述半导体设备的反应腔密封连接;

8、隔热件,形成于所述底座的中部;

9、所述测量装置通过承载件与底座相连,所述承载件与所述隔热件间隔设置,构成双层隔热层结构。

10、可选地,所述底座包括:

11、观察窗,设置于所述隔热件的中部并与所述测量装置相对应;

12、隔热挡板,可移动安装于所述观察窗。

13、可选地,所述承载件与所述底座可拆卸连接。

14、可选地,所述测量装置包括:

15、多个距离测量组件,所述测量组件布设在所述承载件上,用于对半导体设备的卡盘与半导体设备的盖板之间的间距进行多点测量。

16、可选地,所述距离测量组件包括:

17、激光同轴位移计,用于对半导体设备的卡盘与半导体设备的盖板之间的间距进行单点测量;

18、第一轴滑台,与所述激光同轴位移计固定连接,并使所述激光同轴位移计沿水平面具有两个垂直方向的自由度。

19、可选地,所述测量装置还包括:

20、对中测量组件,设置于所述承载件的中部,用于测量半导体设备的卡盘与晶圆是否对中。

21、可选地,所述对中测量组件包括:

22、对中摄像头,用于识别卡盘的中心点与晶圆的中心点是否重合;

23、第二轴滑台,与所述对中摄像头连接,带动所述对中摄像头沿竖直面上下滑动。

24、可选地,所述多个距离测量组件以所述对中测量组件为中心呈多边形阵列设置。

25、在一些实施例中,调平测量装置的使用方法,包括:

26、将如本申请的调平测量装置放置在校准平台上,其中,校准平台的中心设有环形标记,通过调平测量装置的测量装置识别环形标记并根据校准平台的高度进行校准;

27、在校准完成后,将调平测量装置放置在半导体设备的反应腔上,将反应腔抽真空并升温至工艺环境,同时操作半导体设备的卡盘上升至测量需求的高度;

28、根据调平测量装置的对中测量组件测量出的偏差值,对卡盘和晶圆进行对中调整,同时根据调平测量装置的多个距离测量组件测量出的高度值,判断卡盘是否为水平并进行调整,其中,高度值为卡盘与半导体设备的盖板之间的间距;

29、调整完成后,对反应腔进行降温并回填压力,拆下调平测量装置,并将反应腔的盖板闭合。

30、本公开实施例提供的调平测量装置及其使用方法,可以实现以下技术效果:

31、通过底座将调平测量装置安装在半导体设备的反应腔的外部,并通过在底座背向反应腔的一侧设置测量装置,并使用该测量装置测量半导体设备的卡盘与半导体设备的盖板之间的间距,从而可以由大气端对处于高温环境下的反应腔进行测量。这样,相比现有的调平检测器,本申请的调平测量装置可以在半导体设备的外部进行检测,并配合承载件的隔热作用,使得本申请的调平测量装置受温度影响较小,可以测量高温环境下的真实间距,进而准确地测量出处于高温环境下热膨胀后卡盘是否为水平。同时,本申请的调平测量装置设置在大气端,因此在测量时不会因为自身的高度问题而不能进行特殊工艺制程中对于较小间距的测量,从避免了在常温下测量校准后,实际使用中因为热胀而间距减小产生的盖板和卡盘的挤压导致卡盘碎裂的风险。

32、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调平测量装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的调平测量装置,其特征在于,所述底座包括:

3.根据权利要求2所述的调平测量装置,其特征在于,所述底座包括:

4.根据权利要求1所述的调平测量装置,其特征在于,所述承载件与所述底座可拆卸连接。

5.根据权利要求2至4任一项所述的调平测量装置,其特征在于,所述测量装置包括:

6.根据权利要求5所述的调平测量装置,其特征在于,所述距离测量组件包括:

7.根据权利要求5所述的调平测量装置,其特征在于,所述测量装置还包括:

8.根据权利要求7所述的调平测量装置,其特征在于,所述对中测量组件包括:

9.根据权利要求7所述的调平测量装置,其特征在于,所述多个距离测量组件以所述对中测量组件为中心呈多边形阵列设置。

10.一种调平测量装置的使用方法,其特征在于,包括:

【技术特征摘要】

1.一种调平测量装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的调平测量装置,其特征在于,所述底座包括:

3.根据权利要求2所述的调平测量装置,其特征在于,所述底座包括:

4.根据权利要求1所述的调平测量装置,其特征在于,所述承载件与所述底座可拆卸连接。

5.根据权利要求2至4任一项所述的调平测量装置,其特征在于,所述测量装置包括:

6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员:柴智王天宇赵学
申请(专利权)人:江苏微导纳米科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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