【技术实现步骤摘要】
本公开一般地涉及半导体。更具体地，本公开涉及一种半导体外延结构及该半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、氮化镓（gan）作为第三代半导体的主要代表材料之一，其兼具高频、高可靠性、低成本等优点，然而在gan基hemt外延材料的制作工艺中很容易出现si衬底与gan外延层之间的晶格失陪和热失配等问题，为了减小si衬底与gan外延层之间晶格失配导致的残余应力，降低gan外延层位错密度，通常会在衬底上生长一层铝层，然而因al的迁移率较低，从而导致含铝层的gan外延层的质量不佳。
技术实现思路
1、为了解决上述部分或全部问题，本公开提供了一种半导体外延结构及其制备方法，该半导体外延结构克服了目前si基gan外延预通al不均匀引起表面形成回溶坑，以及低的al原子的迁移率导致局部的过量预通al在后续外延层中累积形成很高密度的螺旋位错等一系列问题，有效的减小了衬底与外延界面之间的失配、以及缺陷问题，减少了后期该si基gan外延缓冲层制备的gan hemt 器件中陷阱效应引起的器件电流崩塌，降低静态电流泄漏，从外延层底层提升了si基gan hemt器件的性能。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体外延结构，其包括：衬底；设置在衬底上含铝氮硅原子键的薄层；设置在薄层上均匀的铝层；设置在铝层上的第一缓冲层。
3、根据本公开的第二方面，提供了一种hemt器件，包括衬底；设置在衬底上并产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；其中，半导体复合包括设置在衬底上含铝氮硅原子键的薄层、位
4、根据本公开的第三方面，提供了一种半导体外延结构的制备方法，其包括：提供一衬底；在衬底上形成含铝氮硅原子键的薄层并在薄层上形成均匀的铝层；在铝层上形成第一缓冲层。
5、在本公开实施例提供的hemt器件、半导体外延结构及其制备方法，其中，通过在衬底上形成铝氮硅原子键来生长均匀的铝层，有效地减少si衬底与外延之间的失配、以及缺陷问题，提升外延层的质量，保障器件的可靠性。
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1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述薄层的厚度为1-10埃。
3.一种HEMT器件，包括：
4.一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，在衬底上形成含铝氮硅原子键的薄层并在所述薄层上形成铝层的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上多次交替地提供氮源和铝源的步骤，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述在第二预定时长内交替地提供铝源和氮源的第二步骤包括：
8.根据权利要求7所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于第二预定时长内的周期的次数为1-20次。
11.根据权利要求6所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，在
12.根据权利要求6所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述以第三预定时长提供铝源的第三步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述薄层的厚度为1-10埃。
3.一种hemt器件，包括：
4.一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，在衬底上形成含铝氮硅原子键的薄层并在所述薄层上形成铝层的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体外延结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上多次交替地提供氮源和铝源的步骤，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体外延结构的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈帅，付汝起，周以伦，叶念慈，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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