【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及滤波器，具体涉及一种谐振器、谐振器的形成方法、滤波器、通信设备及终端。
技术介绍
1、谐振器是用于实现电能和机械能相互转化的器件，在射频通讯和传感领域中发挥着重要的作用，因此谐振器的性能提升对于通信系统的性能提升具有重要意义。谐振器的品质因数是影响谐振器性能的关键指标之一，因此如何提供技术方案，以提高谐振器的品质因数，成为了亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种谐振器、谐振器的形成方法、滤波器、通信设备及终端，以提高谐振器的品质因数。
2、本专利技术实施例提供一种谐振器，包括：
3、依次堆叠的第一电极层、压电层和第二电极层，其中，所述第一电极层、所述压电层、所述第二电极层以及所述谐振器的声学反射镜的投影相互重叠的区域为所述谐振器的有效区域；所述有效区域包括中心区和边缘区，所述边缘区环绕所述中心区；
4、位于所述第一电极层上的第一框架结构，所述第一框架结构位于所述有效区域的边缘区内，以使所述第一电极层的边缘区域厚度大于所述第一电极层的中心区域厚度，所述第一框架结构包括弧形结构。
5、可选地，所述压电层为纯平结构，所述谐振器还包括：
6、支撑层，位于所述压电层的下方，所述支撑层，与所述压电层下方对应的电极层，以及用以键合所述压电层和所述压电层下方相对应的电极层的衬底，合围形成空腔结构，所述衬底为保护衬底或器件衬底。
7、可选地，所述边缘区的外边缘与所述有效区域
8、所述第一水平结构位于所述第一电极层上，所述第一水平结构背离所述中心区的一侧的投影与所述边缘区的外边缘重合，所述第一水平结构朝向所述中心区一侧与所述弧形结构连接；且在宽度方向上，所述第一水平结构的投影宽度为第一值，所述弧形结构的投影宽度为第二值，所述第一值与所述第二值的和等于所述第一框架结构的投影宽度；
9、其中，以沿所述第一电极层表面背离所述中心区的方向为宽度方向，沿垂直所述第一电极层表面的方向为厚度方向。
10、可选地，在所述厚度方向上，所述弧形结构朝向中心区一侧的侧壁以弧面从所述第一电极层连接至所述弧形结构的顶面，其中，所述弧面为多个弧面连接组成。
11、可选地，在所述厚度方向上，所述弧形结构的厚度为大于等于0.01微米，且小于等于3微米。
12、可选地，所述第一框架结构还包括第二水平结构和第一斜面结构，所述第一斜面结构位于所述弧形结构和所述有效区域的中心区的第一电极层之间；
13、在朝向中心区的一侧，所述第一斜面结构的侧壁为斜面，且所述第一斜面结构的一端与所述弧形结构的底面相接，另一端与位于所述有效区域的中心区的第一电极层连接；
14、在宽度方向上，所述第二水平结构的投影宽度为第三值，所述弧形结构的投影宽度为第四值，所述第一斜面结构的投影宽度为第五值，所述第三值，所述第四值以及所述第五值的和等于所述第一框架结构的投影宽度值，以沿所述第一电极层表面背离所述中心区的方向为宽度方向。
15、可选地，在厚度方向上，所述弧形结构的厚度值与所述第一斜面结构和所述弧形结构的厚度值之和的比值范围为20％-80％，其中，沿垂直所述第一电极层表面的方向为所述厚度方向。
16、可选地，在所述厚度方向上，所述弧形结构的数量为多个，所述斜面结构的数量为多个，且所述弧形结构的数量与所述斜面结构的数量的比值范围在0.1到10之间。
17、可选地，所述第一框架结构还包括第三水平结构和第二斜面结构，所述第二斜面结构位于所述第三水平结构和所述弧形结构之间；
18、在朝向中心区的一侧，所述第二斜面结构的侧壁为斜面，且所述第二斜面结构的一端与所述第三水平结构连接，所述第二斜面结构的另一端与所述弧形结构的顶面连接；
19、在宽度方向上，所述第三水平结构的投影宽度为第六值，所述第二斜面结构的投影宽度为第七值，所述弧形结构的投影宽度为第八值，所述第六值，所述第七值以及所述第八值的和等于所述第一框架结构的投影宽度值，以沿所述第一电极层表面背离所述中心区的方向为宽度方向。
20、可选地，所述第一框架结构还包括第一凹陷结构；所述第一凹陷结构设置于所述第一电极层上，所述第一凹陷结构朝向所述中心区一侧具有向所述第一电极层方向凹陷的凹面，其中，所述第一凹陷结构的一端连接所述弧形结构的底面，所述第一凹陷结构的另一端与所述第一电极层连接。
21、可选地，所述第一框架结构还包括第二凹陷结构；所述第二凹陷结构设置于所述第一电极层上，所述第二凹陷结构朝向所述中心区一侧具有向所述第一电极层方向凹陷的凹面，其中，在所述有效区域内，所述第二凹陷结构的一端连接所述斜面结构远离所述弧形结构的一端，所述第二凹陷结构的另一端与所述第一电极层连接。
22、可选地，所述谐振器还包括：位于所述第二电极层上的第二框架结构，所述第二框架架构至少包括弧形结构。
23、可选地，所述谐振器还包括：
24、保护层，覆盖于所述第一框架结构和所述第一电极层。
25、可选地，所述第一框架结构的厚度小于等于所位于的第一电极层的厚度的三分之二。
26、可选地，所述第一电极层为所述谐振器的顶电极或底电极，所述第二电极层为与所述第一电极层相对的底电极或顶电极。
27、可选地，在所述宽度方向上，所述第一框架结构的宽度小于等于10微米。
28、可选地，在所述有效区域的边缘区外，在沿厚度方向上，所述第一框架结构的平面高于所述第一电极层的平面，或所述第一框架结构的平面与所述第一电极层的平面的高度相等；
29、或，在所述有效区域的边缘区外，在沿厚度方向上，所述第二框架结构的平面高于所述第二电极层的平面，或所述第二框架结构的平面与所述第二电极层的平面的高度相等。
30、本专利技术实施例还提供了一种谐振器的形成方法，包括：
31、提供临时衬底；
32、在所述临时衬底上形成依次堆叠的第二电极材料层、压电层和第一电极材料层，所述第二电极材料层用以形成第二电极层；
33、去除部分区域内的部分厚度的第一电极材料层，形成第一框架结构，其中，所述第一框架结构包括弧形结构；
34、图形化剩余的所述第一电极材料层，以定义有效区域的一侧边界，得到第一电极层，所述有效区域包括中心区和边缘区，所述边缘区环绕所述中心区，且所述第一框架结构位于所述有效区域的边缘区内；
35、所述压电层、所述第一电极层和第二电极材料层的至少部分区域覆盖所述有效区域。
36、可选地，所述边缘区的外侧与所述有效区域的边缘重合，所述边缘区的内侧与所述中心区连接，所述去除部分区域内的部分厚度的第一电极材料层，形成第一框架结构，包括：
37、沿厚度方向上，根据第一刻蚀速率比图形化本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电层为纯平结构，所述谐振器还包括：
3.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述边缘区的外边缘与所述有效区域的边缘重合，所述边缘区的内边缘与所述中心区连接，所述第一框架结构还包括第一水平结构；
4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构朝向中心区一侧的侧壁以弧面从所述第一电极层连接至所述弧形结构的顶面，其中，所述弧面为多个弧面连接组成。
5.如权利要求4所述的谐振器，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构的厚度为大于等于0.01微米，且小于等于3微米。
6.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第二水平结构和第一斜面结构，所述第一斜面结构位于所述弧形结构和所述有效区域的中心区的第一电极层之间；
7.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于，在厚度方向上，所述弧形结构的厚度值与所述第一斜面结构和所述弧形结构的厚度值之和的比值范围为20％-80％，其中，沿垂直所述第一电极层表面
8.如权利要求7所述的谐振器，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构的数量为多个，所述斜面结构的数量为多个，且所述弧形结构的数量与所述斜面结构的数量的比值范围在0.1到10之间。
9.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第三水平结构和第二斜面结构，所述第二斜面结构位于所述第三水平结构和所述弧形结构之间；
10.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第一凹陷结构；所述第一凹陷结构设置于所述第一电极层上，所述第一凹陷结构朝向所述中心区一侧具有向所述第一电极层方向凹陷的凹面，其中，所述第一凹陷结构的一端连接所述弧形结构的底面，所述第一凹陷结构的另一端与所述第一电极层连接。
11.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第二凹陷结构；所述第二凹陷结构设置于所述第一电极层上，所述第二凹陷结构朝向所述中心区一侧具有向所述第一电极层方向凹陷的凹面，其中，在所述有效区域内，所述第二凹陷结构的一端连接所述斜面结构远离所述弧形结构的一端，所述第二凹陷结构的另一端与所述第一电极层连接。
12.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，还包括：位于所述第二电极层上的第二框架结构，所述第二框架架构至少包括弧形结构。
13.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，还包括：
14.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构的厚度小于等于所位于的第一电极层的厚度的三分之二。
15.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，所述第一电极层为所述谐振器的顶电极或底电极，所述第二电极层为与所述第一电极层相对的底电极或顶电极。
16.如权利要求3-11任一项所述的谐振器，其特征在于，在所述宽度方向上，所述第一框架结构的宽度小于等于10微米。
17.如权利要求12所述的谐振器，其特征在于，在所述有效区域的边缘区外，在沿厚度方向上，所述第一框架结构的平面高于所述第一电极层的平面，或所述第一框架结构的平面与所述第一电极层的平面的高度相等；
18.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：
19.如权利要求18所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述边缘区的外侧与所述有效区域的边缘重合，所述边缘区的内侧与所述中心区连接，所述去除部分区域内的部分厚度的第一电极材料层，形成第一框架结构，包括：
20.如权利要求19所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率比为刻蚀光刻胶的速率与刻蚀膜层的速率之比，所述第一刻蚀速率比小于等于1：3。
21.如权利要求20所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀速率比大于1：3。
22.如权利要求21所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述根据第二刻蚀速率比在朝向中心区一侧的方向，图形化所述初始第一框架结构，形成具有弧面的弧形结构，包括：
23.如权利要求22所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述根据第二刻蚀速率比在朝向中心区一侧的方向，图形化所述初始第一框架结构，形成具有弧面的弧形结构，包括：
24.如权利要求23所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构朝向中心区一侧的侧壁以弧面从剩余的所述第一电极材料层连接至所述弧形结构的顶面，其中，所述弧面为多个弧面连接组成。
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【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电层为纯平结构，所述谐振器还包括：
3.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述边缘区的外边缘与所述有效区域的边缘重合，所述边缘区的内边缘与所述中心区连接，所述第一框架结构还包括第一水平结构；
4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构朝向中心区一侧的侧壁以弧面从所述第一电极层连接至所述弧形结构的顶面，其中，所述弧面为多个弧面连接组成。
5.如权利要求4所述的谐振器，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构的厚度为大于等于0.01微米，且小于等于3微米。
6.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第二水平结构和第一斜面结构，所述第一斜面结构位于所述弧形结构和所述有效区域的中心区的第一电极层之间；
7.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于，在厚度方向上，所述弧形结构的厚度值与所述第一斜面结构和所述弧形结构的厚度值之和的比值范围为20％-80％，其中，沿垂直所述第一电极层表面的方向为所述厚度方向。
8.如权利要求7所述的谐振器，其特征在于，在所述厚度方向上，所述弧形结构的数量为多个，所述斜面结构的数量为多个，且所述弧形结构的数量与所述斜面结构的数量的比值范围在0.1到10之间。
9.如权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第三水平结构和第二斜面结构，所述第二斜面结构位于所述第三水平结构和所述弧形结构之间；
10.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第一凹陷结构；所述第一凹陷结构设置于所述第一电极层上，所述第一凹陷结构朝向所述中心区一侧具有向所述第一电极层方向凹陷的凹面，其中，所述第一凹陷结构的一端连接所述弧形结构的底面，所述第一凹陷结构的另一端与所述第一电极层连接。
11.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第二凹陷结构；所述第二凹陷结构设置于所述第一电极层上，所述第二凹陷结构朝向所述中心区一侧具有向所述第一电极层方向凹陷的凹面，其中，在所述有效区域内，所述第二凹陷结构的一端连接所述斜面结构远离所述弧形结构的一端，所述第二凹陷结构的另一端与所述第一电极层连接。
12.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，还包括：位于所述第二电极层上的第二框架结构，所述第二框架架构至少包括弧形结构。
13.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，还包括：
14.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，所述第一框架结构的厚度小于等于所位于的第一电极层的厚度的三分之二。
15.如权利要求1-11任一项所述的谐振器，其特征在于，所述第一电极层为所述谐振器的顶电极或底电极，所述第二电极层为与所述第一电极层相对的底电极或顶电极。
16.如权利要求3-11任一项所述的谐振器，其特征在于，在所述宽度方向上，所述第一框架结构的宽度小于等于10微米。
17.如权利要求12所述的谐振器，其特征在于，在所述有效区域的边缘区外，在沿厚度方向上，所述第一框架结构的平面高于所述第一电极层的平面，或所述第一框架结构的平面与所述第一电极层的平面的高度相等；
18.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：
19.如权利要求18所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述边缘区的外侧与所述有效区域的边缘重合，所述边缘区的内侧与所述中心区连接，所述去除部分区域内的部分厚度的第一电极材料层，形成第一框架结构，包括：
20.如权利要求19所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率比为刻蚀光刻胶的速率与刻蚀膜层的速率之比，所述第一刻蚀速率比小于等于1：3。
21.如权利要求20所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀速率比大于1：3。...
【专利技术属性】
技术研发人员：万晨庚，
申请(专利权)人：北京芯溪半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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